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標(biāo)簽 > 寄生電感
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SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰的抑制方法簡析（下）
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
因?yàn)榧纳姼械拇嬖冢瑢?dǎo)致高頻信號的IL（插入損耗）較大，嚴(yán)重影響到電容的高頻濾波效果，因此發(fā)展出了三端子電容，它比普通電容更加接近理想電容，寄生電感更小...
電流流過導(dǎo)線，會在導(dǎo)線的周圍產(chǎn)生磁場。當(dāng)導(dǎo)線電流變化時(shí)，這個(gè)磁場也會變化，變化的磁場會產(chǎn)生電場，這個(gè)電場將阻礙電流的變化，而阻礙電流變化的這種能力，就可...
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動的，不需要驅(qū)動電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會讓驅(qū)動MOS變的不那么簡單。
寄生電感怎么來的 不必要的LC串聯(lián)諧振要絕對杜絕嗎？
我一直有一個(gè)感覺：咱們硬件工程師，會遇到各種各樣的問題，亦或是各種各樣的現(xiàn)象，總會有一個(gè)非常簡單的解釋，一句話或者是幾句話，我們見多了這個(gè)解釋，就自以為...
pcb等長設(shè)計(jì)為什么會出現(xiàn)時(shí)延差異？
1倍線寬的蛇形繞線帶來的延時(shí)差異是-10ps，比參考線快了10ps，造成延時(shí)差異的主要原因是信號的自耦合現(xiàn)象。
鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù)，鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟，且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種，直徑小于100um的鋁...
隨著科技的不斷發(fā)展，功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率，封測企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
當(dāng)選擇一個(gè)可從單電源產(chǎn)生多輸出的系統(tǒng)拓?fù)鋾r(shí)，反激式電源是一個(gè)明智的選擇。由于每個(gè)變壓器繞組上的電壓與該繞組中的匝數(shù)成比例，因此可以通過匝數(shù)來輕松設(shè)置每個(gè)...
2019-05-29 標(biāo)簽：寄生電感交叉調(diào)整率 5140 0
EAS單脈沖雪崩擊穿能量, EAS標(biāo)定了器件可以安全吸收反向雪崩擊穿能量的高低。以低于Tj(max)為極限。
PCB(Printed Circuit Board)，即印刷電路板，其按照導(dǎo)體層數(shù)分類，可以分為只有一面覆銅的單面板，兩面都有覆銅的雙面板，以及具有多個(gè)...
2023-07-08 標(biāo)簽：電容器PCB板IC設(shè)計(jì) 5078 0
今天來討論一個(gè)I2C走線問題，過程是通過用ST提供的IBIS模型，從SI的角度出發(fā)，做SI仿真來評估STM32的I2C信號和確定Layout走線到底能走多長。
為了創(chuàng)建一個(gè)輻射干擾盡可能低的優(yōu)化電路板布局，開關(guān)模式穩(wěn)壓器的熱回路必須盡可能小—也就是說，寄生電感越小越好。為了說明快速開關(guān)電流產(chǎn)生的影響，我們針對一...
2019-04-16 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓器寄生電感 4582 0
DC-DC轉(zhuǎn)換器的使用有利于簡化電源電路設(shè)計(jì)，縮短研制周期，實(shí)現(xiàn)最佳指標(biāo)等，被廣泛用于電力電子、軍工、科研、工控設(shè)備、通訊設(shè)備、儀器儀表、交換設(shè)備、接入...
由于普通的電容不是理想電容，不能有效地濾除高頻噪聲，這是由于：①電容引線電感造成電容諧振，對高頻信號呈現(xiàn)較大的阻抗，削弱了對高頻信號的旁路作用；②導(dǎo)線之...
今天給大家分享的是：PCB走線中需要注意的7個(gè)點(diǎn)。 一、PCB 電源布線 數(shù)字電路很多時(shí)候需要的電流是不連續(xù)的，所以對一些高速器件就會產(chǎn)生浪涌電流。 如...
射頻設(shè)計(jì)中“Bypass”和“Decoupling”的概念
而且“Bypass”和“Decoupling”很多時(shí)候結(jié)構(gòu)類似，很多人也將“Bypass電容”與“Decoupling電容”用做同義詞，不過二者的使用目...
2022-10-10 標(biāo)簽：射頻信號寄生電感射頻設(shè)計(jì) 3836 0
RC-IGBT電壓折回現(xiàn)象產(chǎn)生機(jī)理及改進(jìn)結(jié)構(gòu)介紹
IGBT同時(shí)集MOSFET易驅(qū)動和BJT大電流兩個(gè)顯著特點(diǎn)于一身，因此在新能源、高鐵、智能電網(wǎng)、電動汽車這些綠色產(chǎn)業(yè)中成為不可或缺的核心功率器件。
針對低內(nèi)部電感的電解電容器優(yōu)化設(shè)計(jì)方案
針對低內(nèi)部電感進(jìn)行了優(yōu)化的電解電容器可以幫助降低工業(yè)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的成本，同時(shí)提高效率，性能和可靠性。 隨著在工業(yè)4.0和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）等新興趨勢...
2021-02-02 標(biāo)簽：電容器寄生電感工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) 3727 0
在電路PCB設(shè)計(jì)中，地平面設(shè)計(jì)是一個(gè)重要的組成部分，PCB地平面的設(shè)計(jì)不僅關(guān)乎到電子產(chǎn)品的工作性能，而且對于EMC方面的影響也是息息相關(guān)。
2024-03-19 標(biāo)簽：開關(guān)電源emiPCB設(shè)計(jì) 3547 0
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