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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容,但由于布線之間總是有互容,互容就好像是寄生在布線之間的一樣,所以叫寄生電容,又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上,一個(gè)電容等效于一個(gè)電容,一個(gè)電感,和一個(gè)電阻的串聯(lián),在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯,而在高頻情況下,等效值會(huì)增大,不能忽略。
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LCD串?dāng)_的定義及分類 垂直串?dāng)_產(chǎn)生的原因有哪些
隨著薄膜晶體管液晶顯示器的迅速發(fā)展,產(chǎn)品高分辨率、廣視角、高響應(yīng)速度 、 高開口率等需求對(duì)器件的顯示質(zhì)量提出了更高的要求。
CCM下的FLYBACK電源拓?fù)溟_關(guān)尖峰形成過(guò)程
FLYBACK(反激變換器)的開關(guān)功率管在開通和關(guān)斷時(shí)刻形成的電壓震蕩尖峰和電流震蕩尖峰是開關(guān)電源中的主要干擾源,對(duì)開關(guān)電源的傳導(dǎo)干擾和輻射干擾起著決定...
2023-09-07 標(biāo)簽:開關(guān)電源寄生電容反激變換器 4224 0
特斯拉線圈(Tesla Coil)是一種諧振變壓器(Resonant Transformer),由尼古拉·特斯拉在1891年發(fā)明,用于生產(chǎn)超高電壓、低電...
2023-09-07 標(biāo)簽:諧振電路寄生電容電磁感應(yīng) 5151 0
CAN FD協(xié)議是CAN-BUS協(xié)議的最新升級(jí),其將CAN的每幀8字節(jié)數(shù)據(jù)提高到64字節(jié),波特率從最高的1Mbps提高到8Mbps~15Mbps,使得通...
過(guò)孔的寄生電容延Κ了電路中信號(hào)的上升時(shí)問(wèn),降低了電路的速度。如果一塊厚度為25mil的PCB,使用內(nèi)徑為10mil,焊盤直徑為20mil的過(guò)孔,內(nèi)層電氣...
功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹
垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系?,從?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。
EMC與電磁能的產(chǎn)生、傳播和接收密切相關(guān),PCB設(shè)計(jì)中不希望出現(xiàn)EMC。電磁能來(lái)自多個(gè)源頭,它們混合在一起,因此必須特別小心,確保不同的電路、走線、過(guò)孔...
工程中要謹(jǐn)慎設(shè)計(jì),合理使用金屬導(dǎo)線的電感。 金屬導(dǎo)線可以看作一個(gè)電極,它與地線或其他電子元件之間存在一定的電容量,這個(gè)電容對(duì)射頻/微波電路的工作性能也會(huì)...
50Hz的交流電力線、大型電機(jī)等,都是交流磁場(chǎng)的來(lái)源,若總線靠近或經(jīng)過(guò)這些地方,地環(huán)路就會(huì)產(chǎn)生電流高達(dá)數(shù)安培甚至上百安培。電流流過(guò)地環(huán)路產(chǎn)生的共模電壓就...
Pierce振蕩器的原理是什么?Pierce振蕩器參數(shù)配置怎樣?
石英晶體是一種可將電能和機(jī)械能相互轉(zhuǎn)化的壓電器件,能量轉(zhuǎn)變發(fā)生在共振頻率點(diǎn)上。
基于分段模型的CRM boost電路軟開關(guān)時(shí)間優(yōu)化設(shè)計(jì)
臨界導(dǎo)通模式(critical conduction mode,CRM)下的DC-DC變換器能夠降低系統(tǒng)階數(shù),并且可以實(shí)現(xiàn)更高的效率而廣泛應(yīng)用于中小功率場(chǎng)景中。
繼電器可以作為驅(qū)動(dòng)嗎 繼電器驅(qū)動(dòng)電路圖詳解
設(shè)計(jì)繼電器驅(qū)動(dòng)電路之前,先簡(jiǎn)單的描述一下繼電器,繼電器的簡(jiǎn)圖如下所示(圖片從公眾號(hào)“新能源BMS”處引用),當(dāng)線圈通電后,鐵芯就變成了一個(gè)電磁鐵,于是鐵...
pcb多層過(guò)孔實(shí)現(xiàn)方法有哪些
過(guò)孔存在寄生電容的同時(shí)也存在著寄生電感,在高速數(shù)字電路的設(shè)計(jì)中,過(guò)孔的寄生電感帶來(lái)的危害往往大于寄生電容的影響。它的寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn),減...
igbt模塊參數(shù)怎么看 igbt的主要參數(shù)有哪些?
IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)是評(píng)估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時(shí)間、驅(qū)動(dòng)功率等的重要依據(jù),本文重點(diǎn)討論以下動(dòng)態(tài)參數(shù):模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極...
CAN FD用共模濾波器 - ACT1210D 信號(hào)線的共模扼流圈/濾波器 ? ACT1210D型是一種通過(guò)包含繞組工藝的獨(dú)有結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使泄漏電感、寄生...
寄生電容有一個(gè)通用的定義:寄生電容是存在于由絕緣體隔開的兩個(gè)導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之間的虛擬電容(通常不需要的),是 PCB 布局中的一種效應(yīng),其中傳播的信號(hào)表現(xiàn)得好...
一文詳解MOS管驅(qū)動(dòng)電路拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)
功率MOSFET是電壓型驅(qū)動(dòng)器件,輸入阻抗高,因而開關(guān)速度可以很高。
2023-07-22 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)MOS管 5284 0
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