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標(biāo)簽 > 寄生電容
寄生的含義就是本來(lái)沒(méi)有在那個(gè)地方設(shè)計(jì)電容，但由于布線之間總是有互容，互容就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容，又稱雜散電容。寄生電容一般是指電感，電阻，芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來(lái)的電容特性。實(shí)際上，一個(gè)電容等效于一個(gè)電容，一個(gè)電感，和一個(gè)電阻的串聯(lián)，在低頻情況下表現(xiàn)不是很明顯，而在高頻情況下，等效值會(huì)增大，不能忽略。
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本文探討了柵極串聯(lián)電阻在MOS管設(shè)計(jì)中的重要作用，指出其在防止電流尖峰、保護(hù)驅(qū)動(dòng)芯片和電磁干擾等方面的關(guān)鍵作用。此外，文章還強(qiáng)調(diào)了參數(shù)選擇的重要性，提出...
2025-06-27 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻MOS管寄生電容 88 0
Low-K材料是介電常數(shù)顯著低于傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?，k=3.9–4.2）的絕緣材料，主要用于芯片制造中的層間電介質(zhì)（ILD）。其核心目標(biāo)是通過(guò)降低金...
電子系統(tǒng)中的噪聲有多種形式。無(wú)論是從外部來(lái)源接收到的，還是在PCB布局的不同區(qū)域之間傳遞，噪聲都可以通過(guò)兩種方法無(wú)意中接收：寄生電容和寄生電感。寄生電感...
2025-03-17 標(biāo)簽：pcb寄生電容調(diào)節(jié)器 1405 0
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用中，寄生參數(shù)是指那些并非設(shè)計(jì)者最初所期望的，但在電路或元器件中由于物理結(jié)構(gòu)、材料特性或布局布線等因素而自然產(chǎn)生的非預(yù)期電氣參數(shù)。...
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類...
CAN通信節(jié)點(diǎn)多時(shí)，如何減少寄生電容和保障節(jié)點(diǎn)數(shù)量？
導(dǎo)讀在汽車電子與工業(yè)控制等領(lǐng)域，CAN通信至關(guān)重要。本文圍繞CAN通信，闡述節(jié)點(diǎn)增多時(shí)如何減少寄生電容的策略，同時(shí)從發(fā)送、接收節(jié)點(diǎn)等方面，講解保障節(jié)點(diǎn)數(shù)...
本文介紹了半大馬士革工藝：利用空氣隙減少寄生電容。 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，芯片制程已經(jīng)進(jìn)入了3納米節(jié)點(diǎn)及更先進(jìn)階段。在這個(gè)過(guò)程中，中道（MEOL）金...
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計(jì)中，MOS管無(wú)疑是最常用的電子元件之一。
MOS管的工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，通道電阻迅速減小，形成導(dǎo)電通道，使得...
LLC（Light Load Control）是一種在低負(fù)載條件下保持高效率的控制策略，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、LED驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。然而，在LLC關(guān)斷時(shí)，由于...
2024-08-08 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源電壓寄生電容 2305 0
寄生效應(yīng)和Via及Ground Bounce的詳細(xì)介紹和綜合應(yīng)用資料概述立即下載
類別：電子元器件應(yīng)用 2018-10-22 標(biāo)簽：放大器寄生電容Via 3155 0
如何精確測(cè)量ADC驅(qū)動(dòng)電路的穩(wěn)定時(shí)間方法的詳細(xì)概述立即下載
類別：單片機(jī) 2018-05-24 標(biāo)簽：ADC驅(qū)動(dòng)電路寄生電容 1365 0
PCB Layout中直角走線產(chǎn)生的影響解析立即下載
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-12-02 標(biāo)簽：pcbemi寄生電容 1585 0
淺談PCB Layout中直角走線產(chǎn)生的影響立即下載
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-12-01 標(biāo)簽：pcbemi寄生電容 1230 0
類別：PCB設(shè)計(jì)規(guī)則 2017-11-18 標(biāo)簽：PCB設(shè)計(jì)寄生電容高速pcb 2381 0
過(guò)孔寄生參數(shù)對(duì)PCB電路板性能有什么影響
過(guò)孔寄生參數(shù)對(duì)PCB電路板性能有著顯著的影響，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面。
普通探頭和差分探頭寄生電容對(duì)測(cè)試波形的影響
在電子測(cè)試和測(cè)量領(lǐng)域，探頭是連接被測(cè)設(shè)備(DUT)與測(cè)量?jī)x器(如示波器)之間的關(guān)鍵組件。探頭的性能直接影響到測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。其中，寄生電容是探...
瑤芯榮獲“中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)-年度最佳傳感器/MEMS獎(jiǎng)項(xiàng)”
2024 IIC國(guó)際集成電路展覽會(huì)今日在上海張江科學(xué)會(huì)堂盛大閉幕?，幮咀鳛閲?guó)內(nèi)功率器件和數(shù)?；旌闲盘?hào)鏈芯片產(chǎn)品的領(lǐng)軍企業(yè)，攜MEMS、IGBT、SiC ...
碳納米管晶體管兼容已有半導(dǎo)體制程工藝，解決碳納米管均勻可控?fù)诫s難題
研究中，他們提出了一種頂柵互補(bǔ)碳納米管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)（Top Gate complementary CNT MOSFETs）。在該...
寄生電容對(duì)MOS管快速關(guān)斷的影響 MOS（Metal Oxide Semiconductor）管是一種晶體管，它以其高性能和可靠性而廣泛應(yīng)用于許多電子設(shè)...
低溫對(duì)電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？
低溫對(duì)電子元器件影響是什么？電子元器件低溫失效原因有哪些？ 隨著科技的進(jìn)步和應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，人們對(duì)于電子元器件的質(zhì)量和可靠性要求也越來(lái)越高，因?yàn)殡娮?..
而當(dāng)狀態(tài)發(fā)生變化時(shí)，暫時(shí)會(huì)有Q3和Q4管同時(shí)導(dǎo)通，這時(shí)在電源和地之間形成了短暫的低阻抗，產(chǎn)生了30～100 mA的尖峰電流。當(dāng)門輸出電平從低變?yōu)楦邥r(shí)，電...
一種可以實(shí)現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來(lái)，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無(wú)線通信、雷達(dá)探測(cè)、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
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