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標簽 > 寬帶隙半導體
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在基于寬帶隙半導體(例如GaN和SiC器件)的高效經(jīng)濟型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)發(fā)展的推動下,許多應(yīng)用現(xiàn)在都看到了轉(zhuǎn)換為直流電能的好處。因此,精確的直流電能計量變得...
功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導體器件時,柵極電阻選型注意事項
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢,以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗,開關(guān)損耗會被...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬帶隙半導體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢
設(shè)計出色功效的電子應(yīng)用時,需要考慮使用新型高性能氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)技術(shù)的器件。與電子開關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比,這些新型寬帶隙技術(shù)具有...
2023-10-12 標簽:SiC氮化鎵電子開關(guān) 2865 1
利用寬帶隙半導體和數(shù)字控制設(shè)計更有效的功率因數(shù)校正電路
作者:Jeff Shepard 為了最大限度地提高交流市電供電設(shè)備(包括 AC/DC 電源、電池充電器、基于電池的儲能系統(tǒng)、電機驅(qū)動器和不間斷電源)的效...
2023-10-03 標簽:半導體功率因數(shù)電源轉(zhuǎn)換器 1432 0
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢,以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗,開關(guān)損耗會被...
2023-09-21 標簽:半導體SiC電子開關(guān) 1083 0
導入寬帶隙半導體 滿足高瓦數(shù)電源供應(yīng)需求
益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢壘二極管,以降低開關(guān)損耗和恢復損耗,搭配 PFC 和 LLC ...
2023-06-02 標簽:半導體功率器件數(shù)字控制器 676 0
寬帶隙半導體是一種具有寬帶隙的半導體材料,其特性是具有較寬的能帶隙,可以吸收和發(fā)射更多的光子,從而提高半導體器件的效率。它廣泛應(yīng)用于太陽能電池、激光...
使用寬帶隙半導體和數(shù)字控制設(shè)計更有效的功率因數(shù)校正立即下載
類別:電子資料 2022-11-24 標簽:應(yīng)用筆記得捷寬帶隙半導體 234 0
Nexperia斥資2億美元加速漢堡工廠寬帶隙(WBG)半導體研發(fā)與生產(chǎn)
全球領(lǐng)先的半導體制造商Nexperia今日宣布將投入高達2億美元(折合約1.84億歐元)的資金,以顯著擴大其位于德國漢堡工廠的寬帶隙(WBG)半導體研究...
寬帶隙(WBG)半導體助力可持續(xù)電動汽車電源轉(zhuǎn)換,頂部冷卻(TSC)技術(shù)提升熱性能
現(xiàn)如今,全球移動出行領(lǐng)域正處于一個重大轉(zhuǎn)變之中,電動汽車(EV)銷量激增,各國政府和消費者也在努力低碳出行減輕氣候變化的影響,預計到2030年,電動汽車...
新的寬帶隙半導體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
新的寬帶隙半導體技術(shù)提高了功率轉(zhuǎn)換效率
2023-11-30 標簽:半導體功率轉(zhuǎn)換寬帶隙半導體 759 0
如何賦能新一代寬帶隙半導體?這三類隔離柵極驅(qū)動器了解一下~
在電力電子領(lǐng)域,為了最大限度地降低開關(guān)損耗,通常希望開關(guān)時間短。然而快速開關(guān)同時隱藏了高壓瞬變的危險,這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此,必須設(shè)計更高...
為什么說這兩種寬帶隙半導體將成為數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)的新寵?
數(shù)據(jù)中心在日益數(shù)字化、互聯(lián)化和虛擬化的世界中發(fā)揮著關(guān)鍵和重要的作用。由于數(shù)據(jù)中心有巨大的能源需求,因此需要能夠減少電力損失、提高效率和加強熱控制的電源解...
在航天和衛(wèi)星動力系統(tǒng)中使用寬帶隙半導體要克服三個關(guān)鍵的挑戰(zhàn)
寬帶隙 (WBG) 半導體在電源轉(zhuǎn)換方面具備幾個優(yōu)勢,如功率密度和效率更高,同時可通過允許使用更小無源元器件的高頻開關(guān),減少系統(tǒng)尺寸和重量。這些優(yōu)勢在航...
? ? ? ?寬帶隙半導體可實現(xiàn)高壓(10kv及以上)開關(guān)。因此,需要新的封裝解決方案來為此類設(shè)備奠定的基礎(chǔ)。金屬化陶瓷基板是一種眾所周知且成熟的技術(shù),...
自硅問世以來,寬帶隙半導體,如氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC),已被證明是電力電子領(lǐng)域最有前途的材料。與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比,這些材料具有多個優(yōu)勢...
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