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標(biāo)簽 > 存儲(chǔ)器
存儲(chǔ)器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中,一個(gè)沒有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器,如內(nèi)存條、TF卡等。計(jì)算機(jī)中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。
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存儲(chǔ)器的一個(gè)關(guān)鍵問題是功耗,其中存儲(chǔ)器類型和配置等多種因素都會(huì)影響功耗。
據(jù)分析師預(yù)測(cè),DRAM行業(yè)將于2030年前縮減工藝至10nm以下,然而當(dāng)前的設(shè)計(jì)已無法在此基礎(chǔ)上進(jìn)行延伸,故而業(yè)內(nèi)開始尋求如3D DRAM等新型存儲(chǔ)器解決方案。
傳三星將擴(kuò)產(chǎn)DRAM 存儲(chǔ)器好景恐難延續(xù)
之前外資曾警告,DRAM 榮景能否持續(xù),取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子,要是三星擴(kuò)產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人,傳出決定擴(kuò)產(chǎn),新產(chǎn)線...
臺(tái)積電創(chuàng)新推出萬億晶體管封裝平臺(tái),專注于高性能計(jì)算和AI芯片應(yīng)用
臺(tái)積電高級(jí)研發(fā)副總裁張曉強(qiáng)指出,本項(xiàng)新技術(shù)主要針對(duì)AI芯片性能增強(qiáng)。新型HBM高帶寬存儲(chǔ)器與Chiplet架構(gòu)小芯片的引入需求大量組件及IC基板,由此引...
羅徹斯特電子與東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社展開正式合作
美國羅徹斯特電子有限公司(美國馬薩諸塞州)與先進(jìn)半導(dǎo)體和存儲(chǔ)解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(Toshiba Electronic...
淺談數(shù)據(jù)存儲(chǔ)類行業(yè)發(fā)展概況
全球數(shù)據(jù)量的爆發(fā)性增長,導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求持續(xù)增加,硬盤作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,是計(jì)算機(jī)最主要的存儲(chǔ)設(shè)備。
2023-02-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 806 0
芯片燒錄(也稱為編程或燒寫)的本質(zhì)是將編譯后的 機(jī)器碼程序 和 配置信息 通過特定協(xié)議寫入芯片內(nèi)部的 非易失性存儲(chǔ)器 (通常是Flash或OTP存儲(chǔ)器)...
美光、SK海力士、三星擬上調(diào)存儲(chǔ)芯片價(jià)格,數(shù)據(jù)中心需求強(qiáng)勁成為主因
臺(tái)灣東部花蓮地區(qū)4月3日發(fā)生強(qiáng)烈地震之后,美光、SK海力士、三星紛紛暫停存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià),三星雖未受直接影響,卻暫時(shí)停止出貨以待上級(jí)指示。據(jù)了解,盡管三家主...
研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)高性能單晶硅溝道3D NOR存儲(chǔ)器
NOR閃存以速度快、可靠性高和使用壽命長等優(yōu)勢(shì),在人工智能、汽車電子和工業(yè)領(lǐng)域中發(fā)揮著不可替代的作用。
2019年Q1存儲(chǔ)市場(chǎng)將出現(xiàn)8年來單季最大跌幅
據(jù)國外媒體報(bào)道,集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)的最新調(diào)查顯示,2019年Q1,由于市場(chǎng)供過于求,DRAM產(chǎn)業(yè)的大部分交易已改為月結(jié)價(jià)...
2019-03-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 803 0
靈動(dòng)微低功耗單片機(jī)MM32L0136C6P可替換STM32L053C8
ST超低功耗STM32L053C8微控制器采用高性能Arm?Cortex?-M0+32位RISC內(nèi)核、頻率32MHZ,高速嵌入式存儲(chǔ)器(高達(dá)64KB的閃...
韓國創(chuàng)新型相變存儲(chǔ)器結(jié)合DRAM和NAND優(yōu)點(diǎn)
然而,盡管PCM技術(shù)兼具速度與非易失性兩個(gè)優(yōu)點(diǎn),但由于制造工藝復(fù)雜且成本較高,同時(shí)還需消耗大量能量將相變材料加熱至非晶態(tài),導(dǎo)致生產(chǎn)過程耗電量巨大。
普冉股份指出,2023年上半年全球經(jīng)濟(jì)及行業(yè)需求低迷的影響,沒有完全消除公司根據(jù)經(jīng)濟(jì)形勢(shì)和市場(chǎng)供求情況,積極鞏固公司的現(xiàn)有儲(chǔ)存產(chǎn)品占有率在合適的價(jià)格的定...
一個(gè)很厲害的機(jī)器視覺工程師經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
CPU的速度和存儲(chǔ)器的空間都是用錢買來的,如果寫代碼時(shí)多花幾天時(shí)間提高一下程序效率,那么從降低CPU主頻和減少存儲(chǔ)器容量所節(jié)約的成本絕對(duì)是劃算的。CPL...
近日,日本NAND Flash大廠鎧俠宣布,將在未來三年內(nèi)投資360億日元,用于研發(fā)AI用CXL(Compute Express Link)省電存儲(chǔ)器。...
2024-11-12 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)中心 802 0
工業(yè)和信息化部副部長:存儲(chǔ)器正處于技術(shù)變革的關(guān)鍵時(shí)期
據(jù)工業(yè)和信息化部10月28日消息,日前,中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成立大會(huì)暨第一次會(huì)員大會(huì)在武漢召開。工業(yè)和信息化部副部長羅文出席大會(huì)并致辭。
2018-10-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 802 0
三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即,營收貢獻(xiàn)將飆升
三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃,即今年將全面啟動(dòng)其第五代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)芯片HBM3e的量產(chǎn)工作,并預(yù)期這一先進(jìn)產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻(xiàn)。...
DRAM產(chǎn)值將再改寫新高,南亞科/華邦電或?qū)⒗U出逐季創(chuàng)新高銷售佳績
DRAM大廠陸續(xù)洽談第3季DRAM合約價(jià)格,維持小漲局面,推升全球本季DRAM產(chǎn)值將再改寫新高,臺(tái)系DRAM南亞科(2408)和華邦電等,預(yù)料今年將繳...
用二維數(shù)組存儲(chǔ)最小元素是怎么實(shí)現(xiàn)的?
用二維數(shù)組存儲(chǔ)最小元素是怎么實(shí)現(xiàn)的?? 在計(jì)算機(jī)編程中,數(shù)組是一種非常重要的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)之一。它用于存儲(chǔ)一系列相同類型的變量,這些變量被放入單一的數(shù)組中并通...
2023-09-13 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器 800 0
EUVIS任意波形發(fā)生器AWG的特點(diǎn)及應(yīng)用
EUVIS AWG模塊發(fā)生任意連續(xù)性波波型,采樣頻率高達(dá)8GSPS。板載SRAM/DRAM提供高達(dá)8M/1Gx12位數(shù)據(jù)信息存儲(chǔ)器。EUVIS AWG模...
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