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標簽 > 存儲器
存儲器(Memory)是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設備。其概念很廣,有很多層次,在數(shù)字系統(tǒng)中,只要能保存二進制數(shù)據(jù)的都可以是存儲器;在集成電路中,一個沒有實物形式的具有存儲功能的電路也叫存儲器,如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中,具有實物形式的存儲設備也叫存儲器,如內(nèi)存條、TF卡等。計算機中全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。
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Fujitsu、NVIDIA、AMD和Intel高性能處理器架構(gòu)分析
商用高性能計算處理器市場主要被NVIDIA、AMD和Intel3家公司長期占據(jù),在面向E級計算 的 高 性 能 處 理 器 中,AMD 最 新 的Ins...
隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展,特別是大規(guī)模語言模型(如ChatGPT和Sora)的出現(xiàn),對數(shù)據(jù)處理能力和存儲技術(shù)提出了全新的需求。傳統(tǒng)存儲器架構(gòu)在能效比和計算...
因為這類設備的執(zhí)行機構(gòu)相對位移較大;或者傳動結(jié)構(gòu)復雜,機械、電氣、液壓等各環(huán)節(jié)稍有不到位就會產(chǎn)生誤差或故障。
2024-03-14 標簽:傳感器控制系統(tǒng)plc 1287 0
L1 Cache和L2 Cache通常和處理器是在一塊實現(xiàn)的。在SoC中,主存和處理器之間通過總線SYSBUS連接起來。
鐵電材料是一種具有自發(fā)極化并且這種極化可以在外電場作用下發(fā)生改變的材料。因此,超薄鐵電體對于高密度電子器件,特別是場效應晶體管和非易失性存儲器有著重大意義。
用面向?qū)ο笏枷敕庋bIIC、AT24C64驅(qū)動
使用面向?qū)ο蟮木幊趟枷敕庋bIIC驅(qū)動,將IIC的屬性和操作封裝成一個庫,在需要創(chuàng)建一個IIC設備時只需要實例化一個IIC對象即可,本文是基于STM32和...
以更低的系統(tǒng)成本實現(xiàn)更高的移動存儲性能
以更低的成本獲得更高的存儲性能可能會在存儲設備的設計中造成瓶頸。為了實現(xiàn)更高的性能,設備必須使用片上DRAM,這增加了總體成本。這就是統(tǒng)一內(nèi)存擴展(UM...
在組相聯(lián)cache中,用于替換cache line的算法有哪些?
LRU(Least Recently Used)算法:該算法會跟蹤每個cache line的age(年齡)情況,并在需要時替換掉近期最少使用的cache...
硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進封裝的一種工藝方式,是實現(xiàn)千級IO芯片高密度組裝的有效途徑,近年來在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得...
配方數(shù)據(jù)文件按照標準 CSV 格式存儲在 S7-1200 CPU 裝載存儲器或 S7-1200 SIMATIC 存儲卡“程序卡”中。
2022-09-22 標簽:plc存儲器數(shù)據(jù) 1271 0
基于16位定點運算DSP TMS320C2XX系列實現(xiàn)語音處理系統(tǒng)的
閃速存儲器FLASH是可快速擦寫的非易失性存儲器,自Intel公司于1988年推出FLASH Memory技術(shù)以來就得到了非常迅速的發(fā)展。FLASH最大...
為確保正確運行,大多數(shù)基于微處理器的系統(tǒng)都需要在上電和關(guān)斷期間以及進入或退出關(guān)斷或休眠模式時進行監(jiān)控。監(jiān)控器可能僅提供上電復位,也可能提供附加功能,例如...
數(shù)字電位器的溫度特性與傳統(tǒng)的機械電位器不同。在使用這些類型的器件進行設計時,必須考慮溫度對電位計絕對電阻的影響,因為數(shù)字電位計具有絕對電阻,其隨溫度的變...
2023-02-24 標簽:分壓器存儲器數(shù)字電位器 1266 0
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