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標(biāo)簽 > 基本半導(dǎo)體
深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。
BASiC半導(dǎo)體SiC方案如何突破車載OBC及壁掛充電效率與功率極限
隨著全球電動(dòng)汽車(EV)市場(chǎng)的爆發(fā)式增長,車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器及直流快充樁對(duì)高效、高功率密度的需求日益
2025-06-19 標(biāo)簽: 電動(dòng)汽車 MOSFET 基本半導(dǎo)體 191 0
基本半導(dǎo)體亮相2025國際太陽能光伏和智慧能源展覽會(huì)
6月11-13日,全球光儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)——SNEC PV&ES 第十八屆(2025)國際太陽能光伏和智慧能源&a
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化
2025-06-10 標(biāo)簽: MOSFET 碳化硅 基本半導(dǎo)體 157 0
基本半導(dǎo)體亮相2025未來汽車先行者大會(huì)
近日,2025粵港澳大灣區(qū)車展在深圳國際會(huì)展中心(寶安)隆重開幕,在同期舉辦的2025未來汽車先行者大會(huì)上,基本半導(dǎo)體正
2025-06-06 標(biāo)簽: 新能源汽車 MOSFET 基本半導(dǎo)體 353 0
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)
2025-05-09 標(biāo)簽: MOSFET 碳化硅 基本半導(dǎo)體 372 0
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕?;景雽?dǎo)體攜全系列
2025-05-09 標(biāo)簽: 功率器件 碳化硅 基本半導(dǎo)體 394 0
基本半導(dǎo)體參加深圳市新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)鏈黨委系列活動(dòng)
近日,深圳市新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)鏈黨委系列活動(dòng)——“智馭未來”交流會(huì)在坪山青銅劍科技大廈舉行。近50家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企
2025-04-08 標(biāo)簽: 碳化硅 智能網(wǎng)聯(lián)汽車 基本半導(dǎo)體 336 0
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器
革新電源體驗(yàn)!基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢(shì)來襲
隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率、更低損
基本半導(dǎo)體榮獲麥田能源2024年度最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
近日,基本半導(dǎo)體憑借出色的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù),再次獲得客戶的高度認(rèn)可,榮獲由麥田能源頒發(fā)的2024年度“最佳供應(yīng)商
2025-01-21 標(biāo)簽: 逆變器 儲(chǔ)能系統(tǒng) 基本半導(dǎo)體 641 0
深圳基本半導(dǎo)體有限公司是中國第三代半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè),專業(yè)從事碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,在深圳坪山、深圳南山、北京亦莊、南京浦口、日本名古屋設(shè)有研發(fā)中心。公司擁有一支國際化的研發(fā)團(tuán)隊(duì),核心成員包括來自清華大學(xué)、劍橋大學(xué)、瑞典皇家理工學(xué)院、中國科學(xué)院等國內(nèi)外知名高校及研究機(jī)構(gòu)的十多位博士。
基本半導(dǎo)體掌握國際領(lǐng)先的碳化硅核心技術(shù),研發(fā)覆蓋碳化硅功率器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈,先后推出全電流電壓等級(jí)碳化硅肖特基二極管、通過工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET、車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊等系列產(chǎn)品,性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。其中650V碳化硅肖特基二極管產(chǎn)品已通過AEC-Q101可靠性測(cè)試,其他同平臺(tái)產(chǎn)品也將逐步完成該項(xiàng)測(cè)試?;景雽?dǎo)體碳化硅功率器件產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于新能源、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
基本半導(dǎo)體與深圳清華大學(xué)研究院共建第三代半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)中心,是深圳第三代半導(dǎo)體研究院發(fā)起單位之一,廣東省未來通信高端器件創(chuàng)新中心股東單位之一,獲批中國科協(xié)產(chǎn)學(xué)研融合技術(shù)創(chuàng)新服務(wù)體系第三代半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新中心,公司及產(chǎn)品榮獲2020“科創(chuàng)中國”新銳企業(yè)、“中國芯”優(yōu)秀技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)、中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽專業(yè)賽一等獎(jiǎng)等榮譽(yù)。
基本半導(dǎo)體產(chǎn)品在125kW工商業(yè)儲(chǔ)能PCS中的應(yīng)用
在工商業(yè)儲(chǔ)能系統(tǒng)中,儲(chǔ)能變流器(PCS)是核心組件之一,其性能直接影響整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。隨著碳化硅(SiC)功率器件的廣泛應(yīng)用,儲(chǔ)能PCS的效率、...
基本半導(dǎo)體正激DCDC開關(guān)電源芯片BTP1521x簡介
基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的BTP1521x是一款正激DCDC開關(guān)電源芯片,集成上電軟啟動(dòng)功能及過溫保護(hù)功能,輸出功率可達(dá)6W。該電源芯片工作頻率通過OSC腳設(shè)...
2025-01-15 標(biāo)簽:開關(guān)電源DCDC電源芯片 1486 0
基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊解析
隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域現(xiàn)代電力應(yīng)用的發(fā)展,硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料具有適合高壓、大功率應(yīng)用的優(yōu)良特性,在650...
基本半導(dǎo)體銅燒結(jié)技術(shù)在碳化硅功率模塊中的應(yīng)用
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性,成為了下一代車...
2024-07-18 標(biāo)簽:功率模塊碳化硅基本半導(dǎo)體 794 0
驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析
相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點(diǎn),越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...
2024-06-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片碳化硅 3475 0
國芯思辰|基本半導(dǎo)體650V 20A碳化硅肖特基二極管B1D20065K替代IDH20G65C5應(yīng)用于PFC電路
PFC電路廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源(特別是通信電源)中。現(xiàn)階段,PFC電路多采用硅基材料,由于硅基材料的限制,電源的損耗較大,效率偏低。在電源的PFC電路...
2022-07-25 標(biāo)簽:肖特基二極管基本半導(dǎo)體 1193 0
國芯思辰|基本半導(dǎo)體?1200V碳化硅肖特基二極管B1D30120HC(替代科銳C4D30120D)助力車載充電機(jī)二次側(cè)整流
車載充電機(jī)可實(shí)現(xiàn)交流輸入(85VAC~265VAC)/直流輸出(200VDC-750VDC)輸出的功能,其電路的核心架構(gòu)通常由整流、PFC升壓、LLC逆...
2022-07-20 標(biāo)簽:肖特基二極管科銳基本半導(dǎo)體 925 0
可靠性,是指產(chǎn)品在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下完成規(guī)定功能的能力,是產(chǎn)品質(zhì)量的重要指標(biāo),如果在規(guī)定時(shí)間內(nèi)和條件下產(chǎn)品失去了規(guī)定的功能,則稱之為產(chǎn)品失效或出現(xiàn)了故障...
淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用
基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn),目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù),申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利,產(chǎn)品性能...
基本半導(dǎo)體BGH75N120HF1在高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)
混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1是將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT(硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二...
2023-05-18 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器分立器件碳化硅 516 0
基本半導(dǎo)體亮相2025國際太陽能光伏和智慧能源展覽會(huì)
6月11-13日,全球光儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)年度盛會(huì)——SNEC PV&ES 第十八屆(2025)國際太陽能光伏和智慧能源&儲(chǔ)能及電池技術(shù)與裝備(上海...
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 一、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其...
2025-06-10 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 157 0
基本半導(dǎo)體亮相2025未來汽車先行者大會(huì)
近日,2025粵港澳大灣區(qū)車展在深圳國際會(huì)展中心(寶安)隆重開幕,在同期舉辦的2025未來汽車先行者大會(huì)上,基本半導(dǎo)體正式成為深圳全球新能源汽車高端零部...
2025-06-06 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET基本半導(dǎo)體 353 0
BASiC半導(dǎo)體SiC方案如何突破車載OBC及壁掛充電效率與功率極限
隨著全球電動(dòng)汽車(EV)市場(chǎng)的爆發(fā)式增長,車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器及直流快充樁對(duì)高效、高功率密度的需求日益迫切。碳化硅(SiC)器件憑借其...
2025-06-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET基本半導(dǎo)體 191 0
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 372 0
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會(huì)展中心盛大開幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案...
2025-05-09 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 394 0
基本半導(dǎo)體參加深圳市新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)鏈黨委系列活動(dòng)
近日,深圳市新能源和智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)鏈黨委系列活動(dòng)——“智馭未來”交流會(huì)在坪山青銅劍科技大廈舉行。近50家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)、金融機(jī)構(gòu)、高校及產(chǎn)業(yè)投資方齊...
2025-04-08 標(biāo)簽:碳化硅智能網(wǎng)聯(lián)汽車基本半導(dǎo)體 336 0
革新電源體驗(yàn)!基本半導(dǎo)體Pcore?2 E2B工業(yè)級(jí)碳化硅半橋模塊強(qiáng)勢(shì)來襲
隨著可再生能源、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域的快速發(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率、更低損耗?答案是碳化硅(SiC)。作為...
基本半導(dǎo)體榮獲麥田能源2024年度最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)
近日,基本半導(dǎo)體憑借出色的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù),再次獲得客戶的高度認(rèn)可,榮獲由麥田能源頒發(fā)的2024年度“最佳供應(yīng)商”獎(jiǎng)項(xiàng)。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)基本半導(dǎo)...
2025-01-21 標(biāo)簽:逆變器儲(chǔ)能系統(tǒng)基本半導(dǎo)體 641 0
基本半導(dǎo)體榮獲2024年深圳市充電設(shè)施十大先鋒應(yīng)用
近日,由國家能源局主辦、深圳市發(fā)展改革委承辦的2024年推進(jìn)高質(zhì)量充電基礎(chǔ)設(shè)施體系建設(shè)座談會(huì)在深圳隆重召開。其中,基本半導(dǎo)體“高壓快充的碳化硅功率器件應(yīng)...
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
---|---|---|---|
B1D08065E | 直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):21A;正向壓降(Vf):1.45V@8A; |
獲取價(jià)格
|
|
B1D04065F |
獲取價(jià)格
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B1D20120H | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):1.2kV;平均整流電流(Io):70A;正向壓降(Vf):1.46V@20A;反向電流(Ir):6.75uA@1.2kV; |
獲取價(jià)格
|
|
B1D10065KF | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):24A;正向壓降(Vf):1.48V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價(jià)格
|
|
B1D10065E | 二極管配置:獨(dú)立式;直流反向耐壓(Vr):650V;平均整流電流(Io):29A;正向壓降(Vf):1.44V@10A;反向電流(Ir):70uA@650V; |
獲取價(jià)格
|
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