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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)（FET））簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。

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場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

半導(dǎo)體光刻工藝光刻—半導(dǎo)體電路的繪制

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。

2023-07-27 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1270 0

氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究

超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和可實(shí)現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢(shì)，在功率電子和微波射頻器件方面具有重要的研究?jī)r(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。

2023-07-27 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2601 0

ttl電路和cmos電路的區(qū)別 TTL邏輯門(mén)的電路圖設(shè)計(jì)

TTL （Transistor-Transistor Logic）和 CMOS （Complementary Metal-Oxide Semicond...

2023-07-25 標(biāo)簽：CMOS 二極管 TTL 1.8萬(wàn) 0

表面終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究

金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導(dǎo)率、達(dá)5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場(chǎng)和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)

2023-07-25 標(biāo)簽：傳感器 MOSFET FET 1668 0

MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的...

2023-07-11 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 TTL電平 4165 0

高壓大電流DMOS外延區(qū)電阻率設(shè)計(jì)

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-07 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源斬波器逆變器 1414 0

MOSFET與BJT之間有何不同？MOSFET和BJT之間哪個(gè)更好？

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），由三個(gè)端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 6752 0

求一種高壓大電流DMOS版圖設(shè)計(jì)方案

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)

2023-07-05 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 MOS管逆變器 1007 0

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管設(shè)計(jì)過(guò)程

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。

2023-07-05 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源斬波器 MOS管 871 0

耗盡型MOSFET的符號(hào)/工作原理/類(lèi)型/特性/應(yīng)用場(chǎng)景

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種電壓控制器件，由源極、漏極、柵極和主體等端子構(gòu)成，用于放大或切換電路內(nèi)的電壓，也廣泛用于數(shù)字應(yīng)用的IC...

2023-07-05 標(biāo)簽：MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管電壓控制器 1.3萬(wàn) 0

while(1)到底占了多少CPU功耗呢？這些功耗去哪里了呢？

我們將CPU簡(jiǎn)單看作場(chǎng)效應(yīng)晶體管FET的集合。這么多個(gè)FET隨著每一次的翻轉(zhuǎn)都在消耗者能量。

2023-06-29 標(biāo)簽：電源管理 FET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2355 0

增強(qiáng)型和耗盡型MOSFET之間的區(qū)別是什么？

MOSFET可進(jìn)一步分為耗盡型和增強(qiáng)型。這兩種類(lèi)型都定義了MOSFET的基本工作模式，而術(shù)語(yǔ)MOSFET本身是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的縮寫(xiě)。

2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.1萬(wàn) 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：平面結(jié)構(gòu)

功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor...

2023-06-28 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體柵極 4953 0

單層GaSe中電荷轉(zhuǎn)移的理論研究

在這項(xiàng)研究中，使用機(jī)械剝離和分子束外延（MBE）技術(shù)制備了少層 γ-GaSe。通過(guò)對(duì) X 射線光電子能譜（XPS）、X 射線衍射（XRD）、拉曼光譜和二...

2023-06-25 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2444 0

MOS的寄生模型

引言：MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的縮...

2023-06-16 標(biāo)簽：MOSFET MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1912 0

基于Cr2C的面內(nèi)雙勢(shì)壘磁性隧道結(jié)中的巨遂穿磁阻

然而，關(guān)于基于2D磁性材料的平面內(nèi)MTJ的報(bào)道很少。已報(bào)道的平面內(nèi)MTJ Mn2CF2/Ti2CO2/Mn2CF2，其TMR的峰值約為106。面內(nèi)MTJ...

2023-06-01 標(biāo)簽：納米場(chǎng)效應(yīng)晶體管磁性材料 1467 0

MOSFET原理詳解與參數(shù)測(cè)試（1）

MOSFET又叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管，要想學(xué)好MOS管，首先我們要對(duì)標(biāo)三極管來(lái)學(xué)。我們說(shuō)，三極管有N管和P管，同樣的，MOS管也有N型和P型。

2023-05-26 標(biāo)簽：三極管 MOSFET NMOS 6079 0

11GHz ~ 20GHz HMC554ALC3BTR混頻器概述

HMC554ALC3B是一種通用的雙平衡無(wú)引線RoHS兼容無(wú)引線芯片載體（LCC）中的混頻器可以用作上變頻器或下變頻器的封裝。

2023-05-26 標(biāo)簽：變頻器混頻器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1271 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

近期，美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：充電器晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1430 0

單向晶閘管的檢測(cè)

正常時(shí)陽(yáng)值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場(chǎng)效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場(chǎng)效應(yīng)晶體管的R和R的檢測(cè)

2023-05-24 標(biāo)簽：晶閘管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 VMOS管 600 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管

場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)

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