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標(biāo)簽 > 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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從底層重新認(rèn)識(shí)D觸發(fā)器、建立時(shí)間和保持時(shí)間
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)或 IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它在柵極和主體之間利用絕緣體(如 SiO2)。如今,...
2023-12-04 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管D觸發(fā)器 2226 0
石墨烯(Graphene)是一種以sp2雜化連接的碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的新材料。
2023-11-29 標(biāo)簽:激光器碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2946 0
人體呼氣中揮發(fā)性有機(jī)物濃度的變化與某些疾病密切相關(guān),通過分析人體呼氣中的揮發(fā)性有機(jī)物來診斷疾病是一種無創(chuàng)非侵入性、操作方便的手段,近年來在疾病診斷和早期...
【Soc級(jí)系統(tǒng)防御】Soc硬件木馬與電子鏈學(xué)習(xí)
隨著尖端工藝的代工成本和現(xiàn)代片上系統(tǒng)(system-on-a-chip,SoC)平臺(tái)設(shè)計(jì)復(fù)雜性的不斷提高,曾經(jīng)局限于一個(gè)國家甚至一家公司的IC供應(yīng)鏈已經(jīng)...
2023-11-20 標(biāo)簽:處理器FPGA設(shè)計(jì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2102 0
【Soc級(jí)系統(tǒng)防御】Soc全流程電子硬件概述
FET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它通過控制柵極電壓來控制源極和漏極之間的電流,從而實(shí)現(xiàn)邏輯功能。
C?N識(shí)別丙烷和丁烷的氣體傳感器的開發(fā)研究
氣體傳感是航空航天、軍事、醫(yī)療以及工業(yè)環(huán)境等應(yīng)用的一個(gè)重要研究領(lǐng)域,它有助于預(yù)防有毒有害氣體對(duì)人類健康和環(huán)境造成的風(fēng)險(xiǎn)。在家庭和工業(yè)環(huán)境中,丙烷和丁烷通...
2023-11-14 標(biāo)簽:氣體傳感器柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管 855 0
感應(yīng)加熱的基本原理 感應(yīng)加熱中的功率半導(dǎo)體
感應(yīng)加熱是一種強(qiáng)大的熱處理技術(shù),它利用感應(yīng)電流在導(dǎo)電材料內(nèi)產(chǎn)生的電阻加熱來快速加熱金屬物體。
2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管感應(yīng)加熱 3373 0
繼電器的原理是基于電磁感應(yīng)。當(dāng)電流通過繼電器的線圈時(shí),產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì)使開關(guān)閉合或斷開。這樣,繼電器就可以在一個(gè)電路中控制另一個(gè)電路的通斷。例如,可以使用低...
美格納推出第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFE...
2023-11-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體服務(wù)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1498 0
eFuse基于一個(gè)簡單概念,即通過測(cè)量已知電阻器上的電壓來檢測(cè)電流,然后在電流超過設(shè)計(jì)限值時(shí),通過場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。
2023-11-01 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管NVM 3.5萬 0
隨著ChatGPT強(qiáng)勢(shì)來襲,AI人工智能應(yīng)用層出不窮。智能化時(shí)代,數(shù)據(jù)量指數(shù)型增長,摩爾定律已經(jīng)不能滿足當(dāng)前的數(shù)據(jù)處理需求,元器件的物理尺寸已經(jīng)接近極限。
2023-10-22 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管人工智能憶阻器 4825 0
"超越 MOSFET "的晶體管是否真的存在?
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是互補(bǔ)金...
短波紅外和中波紅外波段是兩個(gè)重要的大氣窗口。在該波段范圍內(nèi),碲化汞膠體量子點(diǎn)表現(xiàn)出良好的光響應(yīng)。
2023-10-16 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管紅外探測(cè)器光譜儀 1424 0
美格納發(fā)布第8代150V MXT MV MOSFET
美格納半導(dǎo)體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術(shù)的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。MXT MV ...
2023-10-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏極 1610 0
無損評(píng)估、生物醫(yī)學(xué)診斷和安全篩查等諸多令人興奮的太赫茲(THz)成像應(yīng)用,由于成像系統(tǒng)的光柵掃描要求導(dǎo)致其成像速度非常慢,因此在實(shí)際應(yīng)用中一直受到限制。
半導(dǎo)體工業(yè)工藝和產(chǎn)品發(fā)展趨勢(shì)
上回我們講到了在1959年,杰克·基爾比在半導(dǎo)體材料鍺上面制作出了世界上第一個(gè)集成電路芯片,標(biāo)志著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式拉開了集成電路的時(shí)代。
2023-10-07 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 977 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基礎(chǔ)知識(shí)
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它的主要特點(diǎn)是具有輸入電阻高、噪聲低、...
SiC,作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一,具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2023-09-28 標(biāo)簽:晶圓場(chǎng)效應(yīng)晶體管肖特基二極管 4584 0
究竟有哪一些款式的MOS管是比較常用于72V的電機(jī)控制器呢?
在全球出行電動(dòng)化的背景下,結(jié)合2021-2027全球與中國電動(dòng)摩托車市場(chǎng)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢(shì)》報(bào)告:2026年全球電動(dòng)摩托車市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到693億元,年...
2023-09-28 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電機(jī)控制器 1644 0
驅(qū)動(dòng)電路的必要組成部分有哪些 驅(qū)動(dòng)電路和控制電路的區(qū)別和聯(lián)系
將控制信號(hào)進(jìn)行放大,以能夠提供足夠的功率和電流來驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器。功率放大器通常采用晶體管、MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等高功率開關(guān)元件。
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