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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)其導(dǎo)電特性,MOSFET可以分為增強型(Enhancemen...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS管絕緣場效應(yīng)晶體管 3928 0
mos驅(qū)動芯片失調(diào)電壓的產(chǎn)生原因
MOS驅(qū)動芯片,也稱為MOSFET驅(qū)動芯片,是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路。 MOSFET簡介 MOSFET是一種...
2024-07-14 標(biāo)簽:MOS場效應(yīng)晶體管驅(qū)動芯片 1329 0
mos驅(qū)動芯片需關(guān)注的參數(shù)有哪些
MOS驅(qū)動芯片是一種用于驅(qū)動MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)的集成電路,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動、LED照明等領(lǐng)域。在設(shè)計和選擇MOS驅(qū)...
2024-07-14 標(biāo)簽:集成電路MOS場效應(yīng)晶體管 1526 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率開關(guān)器件。選型時需要考慮多種因素,以確保MOSFET的性能滿足特定應(yīng)用的需求...
2024-07-11 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管電子電路 1663 0
單相逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于家用電器、工業(yè)控制、可再生能源等領(lǐng)域。 單相逆變電路的類型 單相逆變電路按照不同的分...
2024-07-08 標(biāo)簽:電子設(shè)備場效應(yīng)晶體管逆變電路 1198 0
交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。
2024-04-29 標(biāo)簽:MOS管場效應(yīng)晶體管漏電流 1048 0
這是光伏逆變器的核心部分,負(fù)責(zé)實現(xiàn)直流電(DC)到交流電(AC)的轉(zhuǎn)換。功率模塊通常包含多個功率半導(dǎo)體器件,如晶體管、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或金屬...
2024-04-25 標(biāo)簽:光伏系統(tǒng)場效應(yīng)晶體管光伏逆變器 6181 0
光伏儲能系統(tǒng)中使用的芯片種類多樣,它們在系統(tǒng)的不同部分發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBT場效應(yīng)晶體管 2287 0
深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管(BJT)、結(jié)柵場效應(yīng)晶體管(JFET)、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(M...
2024-04-10 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管SiC 1712 0
NMOS和PMOS都是MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的重要類型,它們在結(jié)構(gòu)和功能上有一些關(guān)鍵的區(qū)別。
2024-04-09 標(biāo)簽:NMOS電源開關(guān)場效應(yīng)晶體管 1.1萬 0
隨著晶體管尺寸的逐步縮小,其特征尺寸也在不斷縮小,當(dāng)特征尺寸到了22nm,平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng),逐漸被一種新型的晶...
2024-04-02 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 972 0
傳統(tǒng)集中式配電架構(gòu)需要將電能從電池分配到各個負(fù)載系統(tǒng),而智能配電系統(tǒng)采用分布式架構(gòu),減少了線束回路長度。e-Fuse的電流監(jiān)測關(guān)斷特性能夠降低線徑裕量的...
MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor F...
2024-02-26 標(biāo)簽:MOSFETMOS管場效應(yīng)晶體管 2531 0
場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件,用于控制電流的流動。
2024-02-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場效應(yīng)晶體管 2087 0
IGBT場效應(yīng)管的工作原理 IGBT場效應(yīng)管的選擇方法
IGBT,即絕緣柵雙極晶體管,是一種高效能的半導(dǎo)體器件,它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的特性。
nandflash和norflash的主要特點和區(qū)別
NAND Flash和NOR Flash都是基于浮柵場效應(yīng)晶體管(Floating Gate FET)的結(jié)構(gòu)。它們都包含源極(Source)、漏極(Dr...
2024-02-19 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管Nand flashNOR flash 2290 0
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。
2024-02-18 標(biāo)簽:MOSFET阻抗匹配場效應(yīng)晶體管 2073 1
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