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標(biāo)簽 > 場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型:結(jié)型場效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
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VDMOS(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transi...
2024-09-29 標(biāo)簽:電阻VDMOS器件場效應(yīng)晶體管 804 0
MOSFET全稱金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
2023-08-24 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管體二極管 748 0
GaN FET(場效應(yīng)晶體管)中集成電流傳感的優(yōu)勢
本文重點(diǎn)介紹了一項(xiàng)新發(fā)展:將電流傳感(CS)直接集成到采用PDFN封裝的氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)中,且無需外部供電。我們將深入探討這一解決...
2024-08-23 標(biāo)簽:傳感器場效應(yīng)晶體管GaN 684 0
技術(shù)資料#TPS7B4261-Q1 汽車級 300mA 40V 電壓跟蹤低壓差穩(wěn)壓器,具有獨(dú)立的使能和電源良好狀態(tài)
TPS7B4261-Q1 是一款單片集成低壓差電壓跟蹤器。該器件采用 8 引腳 HSOIC 封裝。TPS7B4261-Q1 設(shè)計(jì)用于在汽車環(huán)境中為非車載...
2025-02-26 標(biāo)簽:封裝電纜場效應(yīng)晶體管 670 0
場效應(yīng)晶體管與微流控器件的集成應(yīng)用分析
據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,來自巴西坎皮納斯州立大學(xué)(State University of Campinas)以及巴西國家生物分析科學(xué)技術(shù)研究所(Nati...
2023-07-28 標(biāo)簽:傳感器場效應(yīng)晶體管微流控器件 654 0
正常時陽值成為數(shù)下歐以值較小司圍2.2 VMOS場效應(yīng)品體管源極S、漏極D的判定 VMSO場效應(yīng)晶體管的R和R的檢測
2023-05-24 標(biāo)簽:晶閘管場效應(yīng)晶體管VMOS管 601 0
用戶指南#LMG3100 評估模塊 LMG3100EVM-089介紹
LMG3100 評估模塊 (EVM) 是一款緊湊、易于使用的功率級,帶有外部 PWM 信號。該板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?..
2025-02-21 標(biāo)簽:電源模塊降壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 562 0
用戶指南:LMG2100EVM-097 LMG2100R026評估模塊介紹
LMG2100R026 評估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級模塊,通過外部 PWM 信號進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管氮化鎵 560 0
穩(wěn)壓二極管就是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管,由于特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)特點(diǎn),適用反向擊穿的工作狀態(tài),只要限制電流的大小,這種擊穿是非破壞性的。
2023-01-09 標(biāo)簽:pcb模擬電路穩(wěn)壓二極管 537 1
"超越 MOSFET "的晶體管是否真的存在?
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是互補(bǔ)金...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaN FET)。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成,...
2025-02-21 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 443 0
OPA1S2385 具有集成低電平有效開關(guān)和緩沖器的、250MHz、CMOS跨阻放大器技術(shù)手冊
OPA1S2384 和 OPA1S2385 (OPA1S238x) 將高帶寬,場效應(yīng)晶體管 (FET) 輸入運(yùn)算放大器與一個快速 SPST COMS 開...
2025-04-30 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管高帶寬跨阻放大器 290 0
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
TPS7H6005-SEP 耐輻射 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:ldoFET場效應(yīng)晶體管 253 0
TPIC46L01 1.2mA/1.2mA 6 通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPIC46L01、TPIC46L02 和 TPIC46L03 是低側(cè)預(yù)驅(qū)動器,提供串行輸入接口和 并行輸入接口,用于控制 6 個外部場效應(yīng)晶體管 (F...
2025-05-22 標(biāo)簽:輸入接口電源開關(guān)FET 239 0
TPS7H6025-SEP 耐輻射 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 ...
2025-05-15 標(biāo)簽:封裝FET場效應(yīng)晶體管 238 0
TPS7H6023-SP 抗輻射 QMLV 22V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管GaN 229 0
TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該系列包括 T...
2025-05-15 標(biāo)簽:驅(qū)動器FET場效應(yīng)晶體管 222 0
LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊
LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 驅(qū)動器,專為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有可調(diào)死區(qū)時間能...
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