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      標簽　>　半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      +關(guān)注331人關(guān)注

      半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

      文章：25464個 瀏覽：237088次 帖子：1065個

      半導(dǎo)體技術(shù)

      什么是四探針測量技術(shù)？ 什么是渦流測量技術(shù)？

      什么是四探針測量技術(shù)？ 什么是渦流測量技術(shù)？

      在半導(dǎo)體芯片等器件工藝中，后道制程中的金屬連接是經(jīng)過金屬薄膜沉積，圖形化和蝕刻工藝，最后在器件元件之間得到導(dǎo)電連接。

      2023-11-29 標簽：芯片半導(dǎo)體電阻測量 3012 0

      圖騰柱PFC專用數(shù)字控制器解決方案

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      隨著節(jié)能標準和客戶需求的不斷提高，電源解決方案的效率和尺寸也在不斷優(yōu)化，設(shè)計緊湊高效的 PFC 電源是一個復(fù)雜的開發(fā)挑戰(zhàn)。隨著第三代半導(dǎo)體器件氮化鎵和碳...

      2023-11-29 標簽：電源半導(dǎo)體PFC 3230 0

      IGBT中的PIN結(jié)構(gòu)分析（1）

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      IGBT的結(jié)構(gòu)中絕大部分區(qū)域是低摻雜濃度的N型漂移區(qū)，其濃度遠遠低于P型區(qū)，當IGBT柵極施加正向電壓使得器件開啟后

      2023-11-28 標簽：半導(dǎo)體MOS管IGBT 2537 0

      說說IGBT中PN結(jié)的導(dǎo)通狀態(tài)

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      下面簡要推導(dǎo)PN結(jié)導(dǎo)通狀態(tài)下的電荷濃度分布以及電流、電壓的關(guān)系。

      2023-11-28 標簽：二極管半導(dǎo)體IGBT 1745 0

      IGBT中都有哪些PN結(jié)？PN結(jié)的組合會給IGBT帶來哪些特性？

      IGBT中都有哪些PN結(jié)？PN結(jié)的組合會給IGBT帶來哪些特性？

      如下圖所示為目前國際上最為主流的IGBT芯片俯視圖和截面示意圖

      2023-11-28 標簽：半導(dǎo)體IGBTPN結(jié) 3100 1

      國產(chǎn)FPAI芯片的AI系統(tǒng)方案

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      今天，小弟和大家談一談某國產(chǎn)FPAI芯片的AI系統(tǒng)方案以及參考設(shè)計實例。

      2023-11-28 標簽：fpga芯片半導(dǎo)體 1591 0

      22nm平面工藝流程介紹

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      今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process ...

      2023-11-28 標簽：半導(dǎo)體晶片22nm 1.5萬 0

      6種二極管的特性分析

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      整流二極管 (Rectifier Diode) 顧名思義，是指對商用頻率的交流電進行整流的二極管。整流的主要目的是將交流轉(zhuǎn)換為直流，其具有高電壓、高電流...

      2023-11-28 標簽：二極管半導(dǎo)體整流二極管 2517 0

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      隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)、中美科技戰(zhàn)打響以來，集成電路成了一個熱門話題。我國也在加強集成電路的發(fā)展[1]，那么一個小小的芯片上到底隱藏著什么奧秘，中國為什么會因此...

      2023-11-28 標簽：芯片集成電路半導(dǎo)體 2605 0

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      2023-11-27 標簽：二極管半導(dǎo)體仿真 2576 0

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      根據(jù)前面的分析，電子或者空穴產(chǎn)生于導(dǎo)帶和價帶中是一個統(tǒng)計概率，這個概率符合費米分布規(guī)律。

      2023-11-27 標簽：半導(dǎo)體IGBT電荷 2481 0

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      本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導(dǎo)...

      2023-11-27 標簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 3750 0

      解析扇入型封裝和扇出型封裝的區(qū)別

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      扇出型封裝一般是指，晶圓級/面板級封裝情境下，封裝面積與die不一樣，且不需要基板的封裝，也就是我們常說的FOWLP/FOPLP。扇出型封裝的核心要素就...

      2023-11-27 標簽：半導(dǎo)體晶圓封裝 1.5萬 0

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      上節(jié)我們從公式角度分析了自由空間和周期排布空間的電子的存在概率問題，那么這節(jié)我將會通過棋盤的例子幫助大家定性理解兩者之間的區(qū)別。

      2023-11-27 標簽：半導(dǎo)體電荷 1225 0

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      我們可以將其理解為某個特定部落的人口問題，在這個部落，人口統(tǒng)計只計算單身人口，夫妻不計入統(tǒng)計范圍內(nèi)。

      2023-11-27 標簽：半導(dǎo)體 1429 0

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      IGBT全稱叫做絕緣柵雙極型晶體管，實際上就是絕緣柵場效應(yīng)管和雙極型晶體管結(jié)合到一起，一種非常簡單樸素的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，卻讓器件性質(zhì)發(fā)生了質(zhì)的變化，是科技創(chuàng)新...

      2023-11-27 標簽：半導(dǎo)體IGBT晶體管 1982 0

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      盡管有這些優(yōu)點，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實際的材料性能和加工難度這兩個關(guān)鍵因素之間進行權(quán)衡。

      2023-11-27 標簽：半導(dǎo)體晶圓晶體管 964 0

      光模塊生產(chǎn)工藝的核心環(huán)節(jié)介紹

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      5G通信、人工智能、元宇宙等新技術(shù)的涌現(xiàn)使得光通信行業(yè)快速發(fā)展。光模塊作為光通信設(shè)備中完成光電轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件，與服務(wù)器暴增的算力和數(shù)據(jù)交互直接配套。因此...

      2023-11-27 標簽：芯片半導(dǎo)體光通信 8093 0

      功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時，柵極電阻選型注意事項

      功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時，柵極電阻選型注意事項

      本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會被...

      2023-11-27 標簽：半導(dǎo)體柵極電阻功率逆變器 739 0

      中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池取得重要進展

      中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池取得重要進展

      近期，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所游經(jīng)碧研究員帶領(lǐng)的團隊在p-i-n反型結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池的p型空穴傳輸層設(shè)計和可控生長等方面取得重要進展。

      2023-11-25 標簽：太陽能電池半導(dǎo)體SAM 1018 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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