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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區(qū)別。在本文中,我將詳細(xì)講解這兩種充電器的區(qū)別,包括技術(shù)原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術(shù)原...
氮化鎵的發(fā)展難題及技術(shù)突破盤點(diǎn)
同為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵時(shí)常被人用來與碳化硅作比較,雖然沒有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久,但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度...
碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,具有高頻...
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料,它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求,我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化...
氮化鎵(GaN)MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性,下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)...
2024-01-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 9298 0
可控硅調(diào)壓器是一種電源功率控制電器,以可控硅(電力電子功率器件)為基礎(chǔ),以專用控制電路為核心。它具有效率高、無機(jī)械噪聲和磨損、響應(yīng)速度快、體積小、重量輕...
氮化鎵充電器和原裝充電器是兩種不同類型的充電器,它們的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)都有所不同。要判斷哪種更好,需要從不同的角度進(jìn)行比較和分析。 首先,從充電效率方面來看。...
去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時(shí)依然無法觀察到失效點(diǎn),這時(shí)候就需要對芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理,對于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來逐一去除,直至最...
碳化硅的特性、應(yīng)用及動(dòng)態(tài)測試
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...
隨著技術(shù)的快速發(fā)展,硅作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的局限性逐漸顯現(xiàn)。探索硅的替代材料,成為了科研領(lǐng)域的重要任務(wù)。在本文中,我們將探討硅面臨的挑戰(zhàn)以及可能的替代材料。
2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體材料 2007 0
基于高溫退火非極性面氮化鋁單晶薄膜實(shí)現(xiàn)高性能聲學(xué)諧振器開發(fā)
氮化鋁(AlN)以其超寬禁帶寬度(~6.2 eV)和直接帶隙結(jié)構(gòu),與氧化鎵、氮化硼、金剛石等半導(dǎo)體材料被并稱為超寬禁帶半導(dǎo)體,與氮化鎵、碳化硅等第三代半...
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制,揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 3012 0
2.5D 和 3D 半導(dǎo)體封裝技術(shù)對于電子設(shè)備性能至關(guān)重要。這兩種解決方案都不同程度地增強(qiáng)了性能、減小了尺寸并提高了能效。2.5D 封裝有利于組合各種組...
轉(zhuǎn)眼2024年的第一個(gè)周末了,也許只有到了隆冬,我們才會(huì)知道,我們身上有著一個(gè)不可戰(zhàn)勝的夏天。之前在聊到特斯拉減少75% SiC用量的話題時(shí),我們聊了H...
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn),GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是,隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良,宇航電源將會(huì)得到更大...
原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹
半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入,這三種方式分別過程如何,有何區(qū)別呢?
2024-01-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電阻率MEMS技術(shù) 6447 0
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