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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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高壓放大器應(yīng)用場(chǎng)景非常廣泛,非常適用于半導(dǎo)體高壓驅(qū)動(dòng)、TFT產(chǎn)業(yè)高壓驅(qū)動(dòng)、各種高壓工程等應(yīng)用;也很適用當(dāng)作音頻信號(hào)產(chǎn)生器或函數(shù)波形產(chǎn)生器的波形放大使用。...
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合,這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是,將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高...
光電二極管是一種基于半導(dǎo)體的光傳感器或光傳感器,用于檢測(cè)和測(cè)量光的強(qiáng)度。它用于基于光的應(yīng)用,并利用光來(lái)控制各種其他電氣設(shè)備。本文詳細(xì)介紹了光電二極管及其...
溫度變送器是一種電子設(shè)備,用于將物體或環(huán)境的溫度轉(zhuǎn)化為電信號(hào)或其他可讀取的形式,以便測(cè)量、監(jiān)控或控制溫度的變化。溫度變送器在各個(gè)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛,包括工業(yè)...
肖特基二極管(Schottky Diode)不是一種穩(wěn)壓二極管,而是一種特殊的二極管。在這篇文章中,我們將深入探究肖特基二極管的工作原理、特點(diǎn)和應(yīng)用。 ...
2024-01-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管肖特基二極管 2825 0
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光...
在現(xiàn)代視覺處理系統(tǒng)中,晶振(晶體振蕩器)發(fā)揮著關(guān)鍵作用,通過提供精確、穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào),協(xié)調(diào)各個(gè)組件的操作,確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行。
使用ICP-MS/MS進(jìn)行光伏硅片表面Ti納米顆粒表征的實(shí)驗(yàn)過程
高度潔凈的硅片是光伏電池與集成電路生產(chǎn)過程中的基本要求,其潔凈度直接影響產(chǎn)品的最終性能、效率以及穩(wěn)定性。硅片是由硅棒上切割所得,其表面的多層晶格處于被破...
關(guān)于電子元器件空間輻射單粒子效應(yīng)的考核
宇宙遍布著各種高能量的輻射粒子,這些粒子會(huì)對(duì)元器件帶來(lái)影響,如何進(jìn)行抗輻射設(shè)計(jì)成為了工程師針對(duì)邏輯類數(shù)字電路、存儲(chǔ)器以及某些功率器件的一個(gè)必要考量。
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)快恢復(fù)二極管
整流用功率二極管必須要有較低的正向壓降以提高通態(tài)電流及降低通態(tài)功耗,同時(shí)還要具有較高的擊穿電壓,但對(duì)反向恢復(fù)時(shí)間的要求不高。開關(guān)用功率二極管則要求有較高...
摘要:通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來(lái)改變碳化硅升華生長(zhǎng)坩堝的加熱溫度,并采用 NaCl 和 Al2O3 進(jìn)行燒結(jié)實(shí)驗(yàn),觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢(shì)
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正在引發(fā)一場(chǎng)革命。與傳統(tǒng)的硅(Si)器件相比,碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器中的半導(dǎo)體器件,用于控制和調(diào)節(jié)電流。在維修或更換IGBT模塊時(shí),需要拆卸舊的模塊并安裝新的...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降和高電流容量等特點(diǎn)。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT...
功率二極管(Power Diode)是一種分立式電力半導(dǎo)體器件,它的電壓和電流應(yīng)用范圍遠(yuǎn)大于一般的小信號(hào)二極管,可用于整流、鉗位、瞬態(tài)電壓抑制、續(xù)游、吸...
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管是一種由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,它常用于集成電路中作為開關(guān)或放大器。MOS...
碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備,主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅逆變器具有許多優(yōu)越性能,如...
激光測(cè)厚儀是一種利用激光技術(shù)測(cè)量物體厚度的儀器。它采用激光束通過物體表面反射回來(lái)的光信號(hào)進(jìn)行測(cè)量,可以非常準(zhǔn)確地得出物體的厚度。激光測(cè)厚儀結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用...
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