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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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壓力傳感器檢測(cè)物理壓力并將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào),然后以數(shù)字形式顯示壓力值。紙基電子器件由于其天然的生物降解性、優(yōu)異的柔韌性、多孔纖維結(jié)構(gòu)、重量輕以及成本低等優(yōu)...
實(shí)現(xiàn)小型化電源設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)
小型化一直是電子行業(yè)的一個(gè)熱點(diǎn),對(duì)電源尤其重要。電源的質(zhì)量通常以單位體積的功率來衡量,本文討論了一些有助于實(shí)現(xiàn)小型化電源設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)。
2022-07-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電源設(shè)計(jì)電感器 604 0
微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用,可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)...
硅晶圓揀選測(cè)試作為半導(dǎo)體制造流程中的關(guān)鍵質(zhì)量控制環(huán)節(jié),旨在通過系統(tǒng)性電氣檢測(cè)篩選出功能異常的芯片。該測(cè)試體系主要包含直流特性分析、輸出驅(qū)動(dòng)能力驗(yàn)證和功能...
石墨烯電學(xué)特性測(cè)試的挑戰(zhàn)和解決方案
隨著AI計(jì)算、大數(shù)據(jù)、高速互聯(lián)和5G/6G通信的快速發(fā)展,半導(dǎo)體行業(yè)正迎來一場(chǎng)材料革命。硅基芯片在制程縮小至2nm之后,已逼近物理極限,短溝道效應(yīng)、功耗...
在半導(dǎo)體芯片中,數(shù)十億晶體管需要通過金屬互連線(Interconnect)連接成復(fù)雜電路。隨著制程進(jìn)入納米級(jí),互連線的層次化設(shè)計(jì)成為平衡性能、功耗與集成...
計(jì)量學(xué)是推動(dòng)當(dāng)前及未來幾代半導(dǎo)體器件開發(fā)與制造的重要基石。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)不斷縮小至100納米,甚至更小的線寬,以及高深寬比結(jié)構(gòu)的廣泛應(yīng)用,掃描電子顯微鏡(...
適用于基于晶圓鍵合的3D集成應(yīng)用的高效單晶圓清洗
不同的微電子工藝需要非常干凈的表面以防止顆粒污染。其中,晶圓直接鍵合對(duì)顆粒清潔度的要求非常嚴(yán)格。直接晶圓鍵合包括通過簡(jiǎn)單地將兩種材料的光滑且干凈的表面接...
碳化硅MOSFET B1M160120HC在服務(wù)器電源中的應(yīng)用
服務(wù)器作為網(wǎng)絡(luò)的節(jié)點(diǎn)存儲(chǔ),處理著網(wǎng)絡(luò)上80%以上的數(shù)據(jù)和相關(guān)信息,需要24*7不間斷運(yùn)行,承載著整個(gè)企業(yè)甚至全球各地的訪問任務(wù),這主要?dú)w功于其高性能、高...
打造理想半導(dǎo)體開關(guān)所面臨的挑戰(zhàn)
自 1958 年 IBM 設(shè)計(jì)出首個(gè)管狀“開關(guān)模式電源”以來,打造無傳導(dǎo)和開關(guān)損耗的理想開關(guān)一直是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)者的夢(mèng)想。如今,各項(xiàng)開關(guān)技術(shù)的通態(tài)損耗都...
2023-02-22 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體 586 0
Aston 質(zhì)譜儀等離子體刻蝕過程及終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過程及終點(diǎn)監(jiān)測(cè) (干法刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)), 通過持續(xù)...
2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體分析儀監(jiān)測(cè) 586 0
美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)微系統(tǒng)技術(shù)辦公室主任Mark Rosker在去年舉辦的CS Mantech上表示,化合物半導(dǎo)體行業(yè)將很快進(jìn)入第三波...
半導(dǎo)體快速溫變測(cè)試的溫度循環(huán)控制標(biāo)準(zhǔn)
半導(dǎo)體材料簡(jiǎn)介半導(dǎo)體材料是一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電能力(電阻率在1mΩ·cm到1GΩ·cm之間)的材料,廣泛應(yīng)用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路。根...
電能質(zhì)量監(jiān)測(cè)裝置在某半導(dǎo)體公司的應(yīng)用
安科瑞 宣依依 摘 要: 半導(dǎo)體生產(chǎn)制造業(yè)在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中起著舉足輕重的作用,相關(guān)企業(yè)的規(guī)模也越來越大。其供配電系統(tǒng)穩(wěn)定、可靠的運(yùn)維不僅是其安全生產(chǎn)的基本保...
2023-06-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電能質(zhì)量監(jiān)測(cè) 583 0
在納米尺度集成電路制造領(lǐng)域,快速熱處理(RTP)技術(shù)已成為實(shí)現(xiàn)器件性能突破與工藝優(yōu)化的核心工具。相較于傳統(tǒng)高溫爐管工藝,RTP通過單片式作業(yè)模式與精準(zhǔn)的...
進(jìn)一步考量到 DBR 的設(shè)計(jì)時(shí),雖然界面平整的異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以提供較大而明顯的折射率差異以達(dá)到較高的 DBR反射率,然而這樣的設(shè)計(jì)同時(shí)也將造成界面處產(chǎn)生明顯...
去除表面鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)后有時(shí)依然無法觀察到失效點(diǎn),這時(shí)候就需要對(duì)芯片進(jìn)行進(jìn)一步處理,對(duì)于多層布線的芯片干法腐蝕或者濕法腐蝕來逐一去除,直至最...
功率器件簡(jiǎn)介 基本電源設(shè)備特性與應(yīng)用
功率器件簡(jiǎn)介 基本電源設(shè)備特性與應(yīng)用
艾德克斯IT2700在電源管理芯片老化測(cè)試中的應(yīng)用
在半導(dǎo)體領(lǐng)域,電源管理芯片老化測(cè)試是評(píng)估器件可靠性和篩選潛在缺陷的重要環(huán)節(jié),通過模擬極端工況加速芯片老化以暴露材料、工藝或設(shè)計(jì)中的薄弱點(diǎn)。隨著電子設(shè)備的...
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