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半導(dǎo)體工藝

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半導(dǎo)體工藝技術(shù)

通用小芯片互聯(lián)技術(shù) (UCIe) 標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用解析

IP 公司沒有受邀參加最初的官宣活動，可能是因?yàn)樾枰埖陌雽?dǎo)體和系統(tǒng)公司已經(jīng)足夠多。但我們將調(diào)整我們的 D2D（Die-to-Die）互連來遵循該標(biāo)準(zhǔn)...

2022-10-20 標(biāo)簽：調(diào)制解調(diào)器 PCIe 5G 2248 0

加速特征相關(guān)(FD)干法刻蝕的工藝發(fā)展

隨著ALD厚度的增加，SiN /基底界面處的孔形狀從方形變?yōu)閳A形，并且逐漸變小。在足夠的ALD厚度下，菱形孔的尖端可視度有限，這會導(dǎo)致較低的刻蝕速率且刻...

2021-11-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 SEM圖像 2080 0

半導(dǎo)體工藝晶圓片的制備過程

先看一些晶圓的基本信息，和工藝路線。晶圓主要尺寸有4吋，6吋硅片，目前對8吋，12吋硅片的應(yīng)用在不斷擴(kuò)大。這些直徑分別為100mm、150mm、2...

2024-04-15 標(biāo)簽：芯片制造硅片晶圓制造 2048 0

晶圓鍵合的種類和應(yīng)用

晶圓鍵合技術(shù)是將兩片不同結(jié)構(gòu)/不同材質(zhì)的晶圓，通過一定的物理方式結(jié)合的技術(shù)。晶圓鍵合技術(shù)已經(jīng)大量應(yīng)用于半導(dǎo)體器件封裝、材料及器件堆疊等多種半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-10-24 標(biāo)簽：CMOS 晶圓半導(dǎo)體器件 2029 0

半導(dǎo)體工藝中的蝕刻工藝的選擇性

刻蝕的機(jī)制，按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開表面」等過程。所以整個(gè)刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開的擴(kuò)散效...

2023-12-11 標(biāo)簽：集成電路印刷電路蝕刻 2003 0

離子注入仿真用什么模型

離子注入是一種重要的半導(dǎo)體工藝，用于在材料中引入離子，改變其物理和化學(xué)性質(zhì)。離子注入仿真是對離子的注入過程進(jìn)行建模和模擬，以幫助優(yōu)化工藝參數(shù)并預(yù)測材料性...

2023-12-21 標(biāo)簽：磁場仿真模型 1833 0

半導(dǎo)體工藝的發(fā)展史

半導(dǎo)體工藝是當(dāng)今世界中不可或缺的一項(xiàng)技術(shù)，它影響著我們生活的各個(gè)方面。它的重要性源于其能夠制造出微小而精密的電子器件，這些器件能夠在電子級別控制電流和信...

2024-01-15 標(biāo)簽：集成電路二極管晶體管 1792 0

半導(dǎo)體工藝裝備現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

第三代半導(dǎo)體設(shè)備第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單...

2023-06-03 標(biāo)簽：探測器分立器件電子制造 1783 0

借助虛擬工藝加速工藝優(yōu)化

二維（2D）設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DRC）已不足以用來規(guī)范設(shè)計(jì)以達(dá)成特定性能和良率目標(biāo)的要求。同時(shí)完全依賴實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) （DOE）來進(jìn)行工藝表征和優(yōu)化也變...

2020-07-03 標(biāo)簽：電容器 DRAM 3d 1544 0

通過自由空間設(shè)計(jì)加速無線充電應(yīng)用

業(yè)界正在考慮使用新的半導(dǎo)體工藝。基于氮化鎵（GaN）的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無線電鏈路。

2020-09-16 標(biāo)簽：氮化鎵無線充電功率控制器 1412 0

半導(dǎo)體封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體工藝主要是應(yīng)用微細(xì)加工技術(shù)、膜技術(shù)，把芯片及其他要素在各個(gè)區(qū)域中充分連接，如：基板、框架等區(qū)域中，有利于引出接線端子，通過可塑性絕緣介質(zhì)后灌封固定...

2024-03-01 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體封裝半導(dǎo)體工藝 1406 0

化學(xué)放大型光刻膠的作用原理

感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟(jì)效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝...

2023-05-25 標(biāo)簽：光刻膠半導(dǎo)體工藝 1338 0

淺析MEMS工藝的部分關(guān)鍵技術(shù)

MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號...

2023-10-18 標(biāo)簽：mems 晶圓芯片制造 729 0

半導(dǎo)體工藝技術(shù)：器件的制造步驟

電信號處理工業(yè)始于上個(gè)世紀(jì)初的真空管，真空管使得收音機(jī)、電視機(jī)和其他電子產(chǎn)品成為可能。它也是世界上第一臺計(jì)算機(jī)的大腦。

2024-04-28 標(biāo)簽：集成電路晶體管芯片制造 724 0

使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)加速半導(dǎo)體工藝發(fā)展

虛擬DOE能夠降低硅晶圓測試成本，并成功降低DED鎢填充工藝中的空隙體積

2023-07-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝泛林集團(tuán)虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) 623 0

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā)

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā) 編號：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技摘要 ? III-V材料與絕緣子...

2023-04-18 標(biāo)簽：拋光半導(dǎo)體工藝 413 0

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V集成光子的制備

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V集成光子的制備編號：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝。...

2023-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 380 0

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 HQ2和HF溶液循環(huán)處理 ?

書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：HQ2和HF溶液循環(huán)處理編號：JFKJ-21-213 作者：炬豐科技摘要采用原子顯微鏡研究了濕法化學(xué)處理過程...

2023-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體工藝 379 0

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對簡單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
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角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來檢測角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過1/16圈，角度傳感器就會計(jì)數(shù)一次。
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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
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HCS12X系列單片機(jī)簡介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號干擾器主要針對各類考場、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場所。
重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲能彈簧來驅(qū)動電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
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無刷直流電機(jī)由電動機(jī)主體和驅(qū)動器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無刷電機(jī)是指無電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無刷形式，即交流鼠籠式異步電動機(jī)，這種電動機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
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聲紋識別，生物識別技術(shù)的一種，也稱為說話人識別，包括說話人辨認(rèn)和說話人確認(rèn)。聲紋識別就是把聲信號轉(zhuǎn)換成電信號，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會使用不同的聲紋識別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡單的端對端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
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所謂識別技術(shù)，也稱為自動識別技術(shù)，通過被識別物體與識別裝置之間的交互自動獲取被識別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動開關(guān)”。故在電路中起著自動調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
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　　E2PROM一般指EEPROM，EEPROM （Electrically Erasable Programmable read only memory）是指帶電可擦可編程只讀存儲器。是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲芯片。 EEPROM 可以在電腦上或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有信息，重新編程。一般用在即插即用。

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