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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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隨著半導(dǎo)體器件向著微型化、髙度集成化及高功率密度方向發(fā)展,其發(fā)熱量急劇增大,熱失效已經(jīng)成為阻礙微電子封裝器件性能和壽命的首要問題。
2023-03-25 標(biāo)簽:散熱器Tim半導(dǎo)體器件 2608 0
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。它具有三個(gè)主要區(qū)域:截止區(qū)、放大區(qū)和飽和區(qū)。晶體管的工作狀態(tài)取決于其基極(B)、集電極(C)和發(fā)射極(E)...
瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor,簡稱TVS)是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓瞬變影響的半導(dǎo)體器件。它們能夠迅速響...
2024-09-30 標(biāo)簽:電子設(shè)備半導(dǎo)體器件瞬態(tài)抑制二極管 2592 0
功率模塊一般指的是將功率MOSFET、IGBT等功率半導(dǎo)體器件與其驅(qū)動(dòng)電路、散熱器等部分集成在一起的電路模塊。這種模塊具有集成度高、可靠性好、穩(wěn)定性強(qiáng)等...
2023-02-26 標(biāo)簽:MOSFET散熱器半導(dǎo)體器件 2552 0
寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于哪?
集成寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件作為硅技術(shù)在多種技術(shù)應(yīng)用中的替代品,是一個(gè)不斷增長的市場(chǎng),可以提供效率和功率密度的改善,在能源和成本節(jié)約方面有很大的反響。...
2023-02-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體器件寬帶隙器件 2485 0
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件,它在電子電路中扮演著開關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成:源極(S...
2024-09-18 標(biāo)簽:MOS管電子電路半導(dǎo)體器件 2473 0
可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡稱SCR)是一種四層三端半導(dǎo)體器件,具有單向?qū)щ娦?,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域??煽毓柽^...
2024-07-31 標(biāo)簽:可控硅觸發(fā)電路半導(dǎo)體器件 2455 0
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金屬-氧化物-半導(dǎo)體)是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子電路中。MOS器件有兩種基本類型:MO...
2024-07-25 標(biāo)簽:電子電路半導(dǎo)體器件MOS器件 2441 0
二極管的類型 二極管是帶有pn結(jié)或替代結(jié)的雙端半導(dǎo)體器件。它們按結(jié)構(gòu)和用途可分為整流二極管、齊納二極管等。二極管已被廣泛應(yīng)用。 整流二極管的功能 二極管...
可控硅是可控硅整流器的簡稱??煽毓栌袉蜗?、雙向、可關(guān)斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優(yōu)點(diǎn),被廣泛用于可控整流、調(diào)壓、逆...
2023-09-11 標(biāo)簽:可控硅電壓半導(dǎo)體器件 2419 0
igbt功率管和場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別和聯(lián)系是什么
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,它們?cè)谠S多電子設(shè)備中都有廣泛的應(yīng)用。盡管它們?cè)?..
2024-08-07 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管IGBT功率管 2415 0
3D晶圓級(jí)封裝,包括CIS發(fā)射器、MEMS封裝、標(biāo)準(zhǔn)器件封裝。是指在不改變封裝體尺寸的前提下,在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù),它起...
2022-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件2.5D封裝 2415 1
Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件,主要用于模擬器件材料中的非線性、非平衡的量子輸運(yùn)過...
2022-09-16 標(biāo)簽:服務(wù)器函數(shù)半導(dǎo)體器件 2395 0
貼片封裝的肖特基二極管是一種小型、高速、高效的半導(dǎo)體器件,通常由硅材料制成。
2023-02-25 標(biāo)簽:整流二極管肖特基二極管半導(dǎo)體器件 2384 0
如何在FLOEFD中查看風(fēng)扇工作點(diǎn)?
在產(chǎn)品散熱設(shè)計(jì)時(shí)需要查看風(fēng)扇的工作點(diǎn)是否合理,F(xiàn)LOEFD在計(jì)算完成之后,可以直接查看風(fēng)扇工作狀態(tài)點(diǎn)。
2023-03-20 標(biāo)簽:EDA工具半導(dǎo)體器件CAE 2380 0
瞬態(tài)抑制二極管(Transient Voltage Suppressor,簡稱TVS)是一種用于保護(hù)電子設(shè)備免受電壓瞬變影響的半導(dǎo)體器件。它們能夠迅速響...
2024-09-30 標(biāo)簽:電子設(shè)備半導(dǎo)體器件瞬變抑制二極管 2380 0
晶閘管(Thyristor),也稱為可控硅(SCR),是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。晶閘管是一種四層三端器件,具有兩個(gè)PN結(jié),其結(jié)構(gòu)類似于一...
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和BJT(雙極型晶體管)的...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導(dǎo)體器件,是國際上公認(rèn)的電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性...
2023-03-30 標(biāo)簽:IGBT特斯拉半導(dǎo)體器件 2355 0
可控硅控制加熱是一種利用可控硅元件對(duì)加熱設(shè)備進(jìn)行控制的技術(shù)??煽毓柙且环N半導(dǎo)體器件,具有可控的導(dǎo)通和截止特性,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。因此,可控硅控制...
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