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標(biāo)簽 > 功率芯片
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東芝與羅姆投資27億美元聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片
近日,據(jù)路透社消息,東芝和羅姆表示,他們將投資 3883 億日元(27 億美元)聯(lián)合生產(chǎn)功率芯片。
2023-12-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車碳化硅硅芯片 882 0
目前納微在半橋氮化鎵功率芯片方向上的專利已授權(quán)76件,除去世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)局WO的8件PCT專利之外,其授權(quán)率高達(dá)約80%,目前僅有3件專利處于失效狀態(tài)。
東芝攜手羅姆共同投資191億元,共同生產(chǎn)功率芯片
日本東芝(Toshiba)集團(tuán)與芯片制造商羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)(Rohm)近日宣布將共同生產(chǎn)功率芯片,總投資額達(dá)3883億日元(約人民幣191億元),這一舉措...
納微半導(dǎo)體宣布將參加亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
下一代氮化鎵和碳化硅技術(shù)為移動(dòng)電子、電動(dòng)汽車和工業(yè)領(lǐng)域注入超快充動(dòng)力
2024-03-15 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵碳化硅 819 0
近日,納微半導(dǎo)體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能,在手機(jī)和筆記本電腦充電器、電視電源...
2024-10-17 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 778 0
在3月17日的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級(jí)e平臺(tái),推出閃充電池、3萬(wàn)轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片,核心三電全維升級(jí),搭配全球首...
惠科Mini-LED項(xiàng)目和高功率芯片散熱封測(cè)項(xiàng)目落戶綿陽(yáng)
近日,綿陽(yáng)市與惠科股份有限公司共同簽署了項(xiàng)目投資協(xié)議,標(biāo)志著總投資100億元的惠科Mini-LED項(xiàng)目和高功率芯片散熱封測(cè)項(xiàng)目正式落戶綿陽(yáng)。
納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案
氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù),同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。
2023-04-25 標(biāo)簽:氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片 727 0
全球大廠帶節(jié)奏,日本功率半導(dǎo)體市場(chǎng)承受壓力
近日,日本電子元器件領(lǐng)域的兩家重要企業(yè)羅姆半導(dǎo)體和東芝,聯(lián)合發(fā)布聲明,計(jì)劃進(jìn)行一項(xiàng)巨額投資。
似乎我們的所有設(shè)備,都只能一味地“索取”電能,但你有沒(méi)有想過(guò),有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時(shí),將儲(chǔ)存的電能反向輸送。
2025-04-15 標(biāo)簽:氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 438 0
TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事(上篇)
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《TMC2025觀察|功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)》系列-文字原創(chuàng),素材來(lái)源:TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、廠商官網(wǎng)-本...
2025-06-28 標(biāo)簽:嵌入式功率半導(dǎo)體功率芯片 420 0
TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事(中篇)
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《TMC2025記錄|功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)》系列-文字原創(chuàng),素材來(lái)源:TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、廠商官網(wǎng)-本...
2025-06-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料功率半導(dǎo)體功率芯片 406 0
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