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標(biāo)簽 > 功率晶體管
功率晶體管是隨著近幾年移動通信系統(tǒng)對基站功率放大器和手機(jī)功率放大器的性能要求提高逐漸發(fā)展起來的新型射頻功率器件。具有工作性能高、寄生電容小、易于集成等特點。特別適合在集成電路中作功率器件。
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小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器有哪些優(yōu)勢?低功率DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓O(shè)計
經(jīng)過五十多年的歷史發(fā)展,在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示,其復(fù)雜性不斷提高,現(xiàn)代設(shè)計的功率密度高到令人難以置信的同時還要提升效率以保持小功率。
2023-08-11 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器線性穩(wěn)壓器 786 0
小功率DC/DC轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
經(jīng)過五十多年的歷史發(fā)展,在電子電路中將直流電壓轉(zhuǎn)換成另一種直流電壓顯示,其復(fù)雜性不斷提高,現(xiàn)代設(shè)計的功率密度高到令人難以置信的同時還要提升效率以保持小功...
2023-08-11 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電源設(shè)計小功率 1150 0
基于功率晶體管TIP33C和TIP34C的40W功率放大器電路圖
這是基于功率晶體管TIP33C和TIP34C為主要部分構(gòu)建的40W功率放大器的電路圖。它采用對稱/雙電源供電。必須使用散熱器來防止晶體管過熱。
逆變器中的關(guān)鍵組件是功率半導(dǎo)體器件,通常采用功率晶體管(IGBT,Insulated Gate Bipolar Transistor)或金屬氧化物半導(dǎo)體...
2023-07-31 標(biāo)簽:場效應(yīng)管逆變器光伏逆變器 2542 0
這是以功率晶體管為主要部分的21W AB類音頻放大器的電路設(shè)計。它的設(shè)計簡單,設(shè)置也簡單。將 10k 微調(diào)器設(shè)置為大約一半,將 470 歐姆微調(diào)器設(shè)置為...
氧化鎵異質(zhì)集成和異質(zhì)結(jié)功率晶體管研究
超寬禁帶氧化鎵(Ga2O3)半導(dǎo)體具有臨界擊穿場強高和可實現(xiàn)大尺寸單晶襯底等優(yōu)勢, 在功率電子和微波射 頻器件方面具有重要的研究價值和廣闊的應(yīng)用前景。
2023-07-27 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管肖特基二極管熱管理 2604 0
硅雙極型晶體管、晶閘管及其衍生器件具有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),可改善大電流情況下的飽和壓降,降低其通態(tài)損耗。
2023-07-13 標(biāo)簽:晶閘管晶體管達(dá)林頓晶體管 583 0
負(fù)載牽引系統(tǒng)是改變射頻微波器件輸入源阻抗和輸出負(fù)載阻抗的阻抗?fàn)恳到y(tǒng),它可以測量出射頻微波器件及功率芯片在不同源阻抗及負(fù)載阻抗下的各種工作參數(shù),典型的被...
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻晶體管擊穿電壓 1071 0
功率元件具有較大的承載能力和較低的內(nèi)阻,以應(yīng)對較高的功率需求,并保證能量傳輸?shù)男省@?,功率晶體管(如MOSFET、BJT)和功率放大器模塊屬于典型的...
基于矢量的電機(jī)控制的一個固有優(yōu)勢是,可以采用同一原理,選擇適合的數(shù)學(xué)模型去分別控制各種類型的AC, PM-AC 或者 BLDC電機(jī)。
2023-06-26 標(biāo)簽:電機(jī)控制emi步進(jìn)電機(jī) 2322 0
引言: 在當(dāng)今科技迅猛發(fā)展的時代,高效能的功率電子器件對于各個領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。潤新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進(jìn)的產(chǎn)品,憑借...
2023-06-12 標(biāo)簽:功率晶體管 1887 0
未來智能城市的動力引擎:潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)
潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)...
大功率晶體管溫度過高如何解決,芯片導(dǎo)熱硅脂可助其快速散熱
總之,芯片導(dǎo)熱硅脂是一種非常有效的散熱材料,它可以大大提高大功率晶體管的散熱效率,保證機(jī)器設(shè)備的正常運行和可靠性
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