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標(biāo)簽 > 功率開(kāi)關(guān)器件
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UC1705-SP系列 具有 40V VDD 和輸出鎖存器的航天級(jí) QMLV、1.5A/1.5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UC1705 系列功率驅(qū)動(dòng)器采用高速肖特基工藝制成,用于連接低級(jí)控制功能和高功率開(kāi)關(guān)器件,尤其是功率 MOSFET。這些器件也是電容式線路驅(qū)動(dòng)器的最佳選...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET鎖存器柵極驅(qū)動(dòng)器 180 0
TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT:感應(yīng)加熱和軟開(kāi)關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿
在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N1...
2025-03-13 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率開(kāi)關(guān)器件 695 0
GD3162柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析:提供動(dòng)態(tài)柵極強(qiáng)度控制,提升EV牽引逆變器性能
作為汽車(chē)電動(dòng)牽引逆變器柵極驅(qū)動(dòng)器的領(lǐng)先供應(yīng)商之一,恩智浦不斷推動(dòng)逆變器效率、功能安全和汽車(chē)性能的提升。恩智浦發(fā)布的GD3162具有動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)功能,能夠...
2024-12-06 標(biāo)簽:恩智浦Ev柵極驅(qū)動(dòng)器 2237 0
移相全橋是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率轉(zhuǎn)換器,具有高效率、高功率密度和良好的電磁兼容性等優(yōu)點(diǎn)。然而,移相全橋在大功率應(yīng)用中存在一些局限性,限制了其在...
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的功率開(kāi)關(guān)器件。選型時(shí)需要考慮多種因素,以確保MOSFET的性能滿足特定應(yīng)用的需求...
2024-07-11 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管電子電路 1666 0
單相全橋逆變電路移相調(diào)壓方式的工作原理? 單相全橋逆變器的模式
單相全橋逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為交流電能的電力電子設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種電力系統(tǒng)和電力設(shè)備中。在單相全橋逆變電路中,移相調(diào)壓方式是一種常用的控制方式...
2024-07-08 標(biāo)簽:電子設(shè)備電力設(shè)備功率開(kāi)關(guān)器件 6937 0
逆變電路有哪些類(lèi)型?其最基本的應(yīng)用領(lǐng)域有哪些
逆變電路是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子電路。它廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,如電力系統(tǒng)、通信、工業(yè)控制、家用電器等。本文將介紹逆變電路的類(lèi)型及其應(yīng)用領(lǐng)域。 一、...
IGBT(Insulated-gate bipolar transistor)是一種高性能功率開(kāi)關(guān)器件,廣泛應(yīng)用于電力變換和控制領(lǐng)域。它是一種結(jié)合了易于...
逆變電路中的功率開(kāi)關(guān)器件是實(shí)現(xiàn)直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵元件,其主要作用是在控制信號(hào)的作用下,將直流電源輸出的電能轉(zhuǎn)換為交流電能。在逆變電路中,功率開(kāi)關(guān)器...
2023-12-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體逆變電路功率開(kāi)關(guān)器件 2813 0
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和IGCT(Integrated Gate Commutated Thyr...
晶閘管作為一種功率開(kāi)關(guān)器件,因其與繼電器相比有無(wú)觸點(diǎn)、使用壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn),常替代繼電器用于大功率電路控制中
簡(jiǎn)單分析一下五段式SVPWM和七段式SVPWM的不同點(diǎn)
SVPWM的實(shí)現(xiàn)在前期的文章中已經(jīng)詳細(xì)地介紹過(guò)了,這里就不再闡述。現(xiàn)在主要說(shuō)說(shuō)五段式SVPWM和七段式SVPWM的實(shí)現(xiàn)的區(qū)別。
2023-03-07 標(biāo)簽:dspSVPWM仿真系統(tǒng) 1.6萬(wàn) 0
雙脈沖測(cè)試之開(kāi)關(guān)特性參數(shù)講解
功率開(kāi)關(guān)器件的規(guī)格書(shū)上有著多種多樣的數(shù)據(jù),如靜態(tài)特性參數(shù),動(dòng)態(tài)特性參數(shù),開(kāi)關(guān)特性參數(shù)等等。其中靜態(tài)特性參數(shù)大多數(shù)可以通過(guò)靜態(tài)參數(shù)一體化測(cè)試機(jī)或者源表等設(shè)...
SiC MOSFET柵-源電壓測(cè)量:探頭頭部的安裝位置
關(guān)鍵要點(diǎn)?除了測(cè)量位置之外,探頭的安裝位置也很重要。?如果不慎將電壓探頭安裝在磁通量急劇變化的空間內(nèi),就會(huì)受到磁通量變化的影響,而體現(xiàn)在觀測(cè)波形上。
5分鐘帶你全面了解功率開(kāi)關(guān)器件雙脈沖測(cè)試
雙脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試,通過(guò)雙脈沖測(cè)試可以便捷的評(píng)估功率器件的性能,獲得穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)過(guò)程中的...
2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET脈沖測(cè)試功率開(kāi)關(guān)器件 4904 0
使用功率開(kāi)關(guān)器件如何選擇驅(qū)動(dòng)芯片
使用功率開(kāi)關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對(duì)標(biāo)稱(chēng)各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí),往往感覺(jué)選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下,總希望選擇一個(gè)剛好夠...
2022-04-28 標(biāo)簽:電阻驅(qū)動(dòng)芯片功率開(kāi)關(guān)器件 3074 0
PWM DC/DC轉(zhuǎn)換器功率開(kāi)關(guān)器件的對(duì)偶
半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件是有極性的,因此在用開(kāi)通與關(guān)斷互為對(duì)偶這一基本原則,以決定開(kāi)關(guān)管或開(kāi)關(guān)二極管的對(duì)偶器件時(shí),要注意它們的極性。當(dāng)然,二極管的對(duì)偶器件還是二極...
2014-07-31 標(biāo)簽:DC/DCPWM功率開(kāi)關(guān)器件 2061 0
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