功率器件

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功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統(tǒng)

所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢(shì)方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。...

2024-05-16 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 功率器件 1022 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件 GaN HEMT 1378 0

碳化硅(SiC)功率器件市場(chǎng)的爆發(fā)與行業(yè)展望

隨著全球?qū)﹄妱?dòng)汽車接納度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來(lái)的十年里將迎來(lái)全新的增長(zhǎng)機(jī)遇。預(yù)計(jì)，將來(lái)功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)商和汽車行業(yè)的運(yùn)作商會(huì)更積極地參與到這...

2024-04-30 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件 SiC 1632 0

SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率...

2024-04-29 標(biāo)簽：功率器件 SiC GaN 2177 0

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用

像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。功率...

2024-04-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 1580 0

碳化硅功率器件：高效能源轉(zhuǎn)換的未來(lái)

在現(xiàn)代電子行業(yè)，隨著能源效率要求的不斷提高和高溫、高頻、高壓應(yīng)用的增多，傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件正逐漸顯露出性能上的局限性。

2024-04-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件 SiC 997 0

功率PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)詳細(xì)整理

功率器件在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量，因此熱管理是功率PCB設(shè)計(jì)的首要任務(wù)。散熱設(shè)計(jì)：設(shè)計(jì)合適的散熱結(jié)構(gòu)，如散熱片、熱導(dǎo)管等，以提高熱量的傳導(dǎo)效率。 ...

2024-04-29 標(biāo)簽：pcb 電磁兼容性功率器件 1723 0

Tanner L-Edit在功率器件設(shè)計(jì)中的應(yīng)用有哪些呢？

像GaN、SiC,、第三代半導(dǎo)體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導(dǎo)體分立器件，常用在電子電力系統(tǒng)中進(jìn)行變壓、變頻、變流及功率管理等。

2024-04-28 標(biāo)簽：CMOS 晶圓大電流 1095 0

功率循環(huán)對(duì)IGBT 壽命的影響——準(zhǔn)確估算功率器件的壽命

內(nèi)容摘要供應(yīng)商們正在努力提高絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、Si和SiCMOSFET以及其他功率器件的最大功率水平和電流負(fù)載能力，并同時(shí)保持高質(zhì)量a和可靠...

2024-04-26 標(biāo)簽：功率器件 IGBTS 功率循環(huán)測(cè)試 1746 0

碳化硅功率器件：革新電力電子的未來(lái)龍頭

在當(dāng)今追求高效能、高耐用性的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越性能，成為了領(lǐng)域內(nèi)的明星產(chǎn)品，它的出現(xiàn)預(yù)示著一次技術(shù)革命的悄然到來(lái)。

2024-04-26 標(biāo)簽：逆變器功率器件 SiC 902 0

功率循環(huán)對(duì)IGBT壽命有何影響？如何準(zhǔn)確估算功率器件的壽命呢？

運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生的高結(jié)溫和高溫度梯度會(huì)引起機(jī)械應(yīng)力，尤其是在具有不同熱膨脹系數(shù)的材料之間的接觸面上，這可能導(dǎo)致這些器件性能退化甚至完全失效。

2024-04-24 標(biāo)簽：二極管 IGBT 功率器件 1629 0

晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析

化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯，表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比，另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...

2024-04-24 標(biāo)簽：集成電路二極管晶體管 1610 0

功率器件環(huán)境可靠性測(cè)試的加速老化物理模型

高溫柵偏（HighTemperatureGateBias，HTGB）、高溫反偏（HighTemperatureReverseBias，HTRB）、高溫高...

2024-04-23 標(biāo)簽：功率器件可靠性測(cè)試半導(dǎo)體服務(wù) 2930 0

如何利用 GaN 功率器件實(shí)現(xiàn)出色的中等功率電機(jī)變頻器

作者：Bill Schweber 對(duì)更高效利用能源的推動(dòng)、更嚴(yán)格的法規(guī)要求以及低溫運(yùn)行的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，所有這些都為近來(lái)降低電機(jī)功耗的舉措提供了支持。雖然硅 ...

2024-05-05 標(biāo)簽：變頻器電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率器件 906 0

SiC器件的工作原理與主要優(yōu)勢(shì)！

在追求能源效率和對(duì)高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長(zhǎng)的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。

2024-04-18 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件 SiC 1677 0

碳化硅（SiC）功率器件探討：未來(lái)的能源解決方案

隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)重要進(jìn)展。

2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件 SiC 1115 0

深入探討碳化硅功率器件優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具有比硅（Si）更優(yōu)越的物理和化學(xué)特性，包括更高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更大的熱導(dǎo)率、更高的工作溫度和更快的開(kāi)關(guān)速度。

2024-04-12 標(biāo)簽：變壓器電感器功率器件 731 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比于傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。

2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件 SiC 1874 0

碳化硅器件在車載充電機(jī)（OBC）中的性能優(yōu)勢(shì)

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體具有耐高溫、耐高壓、高頻率、抗輻射等優(yōu)異性能采用碳化硅功率器件可使電動(dòng)汽車或混合動(dòng)力汽車功率轉(zhuǎn)化能耗損失降低20%，在OBC產(chǎn)品上...

2024-04-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件碳化硅 924 0

碳化硅功率器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅具有比硅更高的熱導(dǎo)率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

2024-04-09 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 554 0

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工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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mbed

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無(wú)人機(jī)技術(shù)

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以無(wú)人駕駛來(lái)說(shuō)，城市中將建造一個(gè)巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時(shí)呼叫無(wú)人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫(xiě)的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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ARM架構(gòu)過(guò)去稱作進(jìn)階精簡(jiǎn)指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個(gè)32位精簡(jiǎn)指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
DragonBoard 410c

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Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開(kāi)發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對(duì)各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項(xiàng)功能。
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OpenCL是一個(gè)為異構(gòu)平臺(tái)編寫(xiě)程序的框架，此異構(gòu)平臺(tái)可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門(mén)用于編寫(xiě)kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語(yǔ)言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺(tái)的API組成。
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嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡(jiǎn)稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口。基于這些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開(kāi)發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開(kāi)發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
ARM公司

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ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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OpenStack

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OpenStack是一個(gè)開(kāi)源的云計(jì)算管理平臺(tái)項(xiàng)目，是一系列軟件開(kāi)源項(xiàng)目的組合。由NASA（美國(guó)國(guó)家航空航天局）和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起，以Apache許可證（Apache軟件基金會(huì)發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證）授權(quán)的開(kāi)源代碼項(xiàng)目。
YunOS

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MMU

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MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時(shí)稱作分頁(yè)內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問(wèn)請(qǐng)求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡(jiǎn)單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
馬云

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OMAPL138

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OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器（DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。

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