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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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隨著半導(dǎo)體功率器件的使用環(huán)境和性能要求越來(lái)越高,器件散熱能力要求也隨之提高。器件散熱問(wèn)題導(dǎo)致的失效占了總失效的一半以上,而通過(guò)封裝技術(shù)升級(jí),是提高器件散...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-20 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器功率器件熱設(shè)計(jì) 1390 0
功率器件,作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件,扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓,還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動(dòng)汽車、通...
碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性,還...
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中,我們...
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案
遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后,最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V,相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...
???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試(CP)???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng),主...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十二)——功率半導(dǎo)體器件的PCB設(shè)計(jì)
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-13 標(biāo)簽:PCB設(shè)計(jì)功率器件功率半導(dǎo)體器件 979 0
隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能逆變器以及牽引逆變器等應(yīng)用對(duì)功率密度的需求日益提高,系統(tǒng)的工作溫度也隨之增...
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管,特點(diǎn)是可以使用電壓控制、耐壓高、飽和壓降小、切換速度快、節(jié)能等。功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心部件,其封裝技術(shù)對(duì)系統(tǒng)性...
電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)中IGBT全面解析
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),作為MOSFET和雙極晶體管的復(fù)合器件,是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,以其高工作頻率、高電流性能和低開(kāi)關(guān)損耗等特點(diǎn),確保...
2025-01-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車IGBT晶體管 1459 0
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十一)——功率半導(dǎo)體器件的功率端子
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低...
2025-01-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 725 0
中文相關(guān)的文章很少,英文稍多,基本都是會(huì)議文章,下了好多篇,慢慢看。 1200V/50A B6 ECP模塊與DBC模塊對(duì)比 ECP :Embedded ...
隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流電能的一個(gè)周期內(nèi),將直流電能斬成幅值相等而寬度根據(jù)正...
2024-12-27 標(biāo)簽:正弦波脈寬調(diào)制功率器件 1928 0
MOS產(chǎn)品朝著高性能、低功耗、高安全、高穩(wěn)定性和高可靠性等方向演進(jìn),如何才能做出更好的MOS產(chǎn)品?好的封裝是提升性能的一個(gè)關(guān)鍵。TOLL封裝是一種無(wú)引線...
DOH新材料工藝封裝技術(shù)解決功率器件散熱問(wèn)題
DOH:DirectonHeatsink,熱沉。助力提升TEC、MOSFET、IPM、IGBT等功率器件性能提升,解決孔洞和裂紋問(wèn)題提升產(chǎn)品良率及使用壽...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動(dòng)進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì)...
2024-12-23 標(biāo)簽:功率器件函數(shù)熱設(shè)計(jì) 949 0
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