微波功率放大器發(fā)展概述

微波功率放大器主要分為真空和固態(tài)兩種形式。基于真空器件的功率放大器，曾在軍事裝備的發(fā)展史上扮演過(guò)重要角色，而且由于其功率與效率的優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)在仍廣泛應(yīng)用于雷...

2023-03-29 標(biāo)簽：功率放大器功率器件功率模塊 1735 0

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù)，鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟，且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種，直徑小于100um的鋁...

2023-03-27 標(biāo)簽：IGBT功率器件寄生電感 5368 0

碳化硅規(guī)?；瘧?yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造，下游是終端應(yīng)用。

2023-03-22 標(biāo)簽：逆變器功率器件碳化硅 2299 0

IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體...

2023-03-22 標(biāo)簽：IGBT晶體管參數(shù) 6602 0

IGBT功率模塊封裝主要面臨哪些問(wèn)題？

功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展，在工作損耗不變的情況下，使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大，在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下，會(huì)使得封裝體和裸芯的溫度更...

2023-03-20 標(biāo)簽：封裝IGBT失效機(jī)理 1824 0

IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析

IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來(lái)改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異，...

2023-03-20 標(biāo)簽：IGBT功率器件DBC 5033 0

如何計(jì)算散熱器

散熱器通常用于吸收和散發(fā)來(lái)自電子功率器件（如晶體管、可控硅、三端雙向可控硅等）的過(guò)多熱量，以便將器件溫度控制在其最大可容忍極限以下。

2023-03-19 標(biāo)簽：散熱器功率器件 2960 0

AMB陶瓷基板在IGBT中應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)

AMB（活性金屬釬焊）工藝技術(shù)是DBC（直接覆銅）工藝技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實(shí)現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。

2023-03-17 標(biāo)簽：逆變器IGBT功率器件 3897 0

半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況

從發(fā)展歷程來(lái)看，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展

2023-03-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2502 0

氧化鎵功率器件的研究新發(fā)展總結(jié)

相比于目前常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN，Ga2O3的Baliga品質(zhì)因數(shù)更大、預(yù)期生長(zhǎng)成本更低，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面更具潛力。

2023-03-13 標(biāo)簽：功率二極管功率器件功率晶體管 634 0

電動(dòng)汽車“千伏”高壓快充架構(gòu)設(shè)計(jì)發(fā)展報(bào)告

高電壓會(huì)導(dǎo)致壓縮機(jī)、PTC和電機(jī)驅(qū)動(dòng)MCU成本增.加，以當(dāng)前較為成熟的2C快充，采用150kW前驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)為例，950V電壓平臺(tái)相比450V電壓平臺(tái)增加成...

2023-03-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車壓縮機(jī)IGBT 579 0

大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)

大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱為功率器件，屬于電力電子技術(shù)（功率電子技術(shù)）領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器...

2023-03-01 標(biāo)簽：晶體管功率器件大功率晶體管 1911 0

PLC梯形圖語(yǔ)言的編程原則及邏輯指令

用戶程序的運(yùn)算是根據(jù)PLC的輸入/輸出映象寄存器中的內(nèi)容，邏輯運(yùn)算結(jié)果可以立即被后面的程序使用

2023-02-28 標(biāo)簽：繼電器plc西門子 4478 0

半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲/高速熔斷器選型指導(dǎo)

高速熔斷器作為保護(hù)半導(dǎo)體的器件，通過(guò)其本體的電流可能是直流，也可能是交流，或者是脈沖電流，因此計(jì)算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。

2023-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲功率器件 2292 0

《電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)及市場(chǎng)-2023版》

SiC MOSFET的采用是中期展望的主旋律，將迅速增長(zhǎng)并主導(dǎo)市場(chǎng)份額，IDTechEx在報(bào)告中給出了各類器件的應(yīng)用時(shí)間表。雖然經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的SiC MOS...

2023-02-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車功率器件SiC MOSFET 1662 0

碳化硅與碳化硅（SiC）功率器件

在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的SiC場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器...

2023-02-20 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管功率器件sic器件 2230 0

常見(jiàn)的功率器件有哪些？

我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦?，改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使...

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件電路控制 1.3萬(wàn) 0