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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎(chǔ)。
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氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理 功率器件氮化鎵焊接方法有哪些
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關(guān)速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...
淺談采埃孚的IGBT功率器件數(shù)字孿生技術(shù)
該方法創(chuàng)建了基于Ansys Twin Builder軟件的熱降階模型,并和CFD的3D熱仿真進行了對比。簡化的ROM降階模型在所有的計算結(jié)果中都獲得了可...
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導體材料物理限制,是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應用受到限制。其中一個主要因素是成本。目前,GaN的制造...
深圳市薩科微半導體有限公司技術(shù)骨干來自清華大學,以新材料新工藝新產(chǎn)品推動公司發(fā)展,掌握國際領(lǐng)先的第三代半導體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...
芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品
芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應用場景中,使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能,使之...
2023-08-16 標簽:MOSFET功率器件SiC MOSFET 804 0
數(shù)明半導體SiLM824x系列隔離雙通道門級驅(qū)動器介紹
數(shù)明半導體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅(qū)動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動,而SiLM824...
碳化硅器件封裝中的3個關(guān)鍵技術(shù)指標是什么
傳統(tǒng)模塊封裝使用的敷銅陶瓷板(direct bonded copper-DBC)限定了芯片只能在二維平面上布局,電流回路面積大,雜散電感參數(shù)大。CPES...
幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處
GaN半導體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中,襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來作為GaN外延...
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