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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92524次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      淺談IGBT模塊使用溫度范圍

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      IGBT模塊的運(yùn)行溫度范圍是非常重要的參數(shù)。一些設(shè)備要求工作在室溫下，而另一些設(shè)備要求工作在很寬的溫度范圍內(nèi)（如-40℃~+65℃）。溫度和散熱對(duì)于系統(tǒng)...

      2024-01-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBT功率器件 7764 0

      PWM技術(shù)的電動(dòng)跑步機(jī)電源設(shè)計(jì)分析

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      近年來(lái)，隨著新型電力電子功率器件的不斷出現(xiàn)，直流電機(jī)的控制方式發(fā)生了較大的變化。采用全控型的開關(guān)功率元件進(jìn)行脈沖寬度調(diào)制（pulse width mod...

      2024-02-15 標(biāo)簽：直流電機(jī)PWM功率器件 1165 0

      I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測(cè)試方法

      I-NPC三電平電路的雙脈沖及短路測(cè)試方法

      雙脈沖測(cè)試(DPT)是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間...

      2024-01-18 標(biāo)簽：電壓功率器件三電平 5905 2

      MOSFET的概念、應(yīng)用及選型

      MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的功率開關(guān)器件，也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。

      2024-01-17 標(biāo)簽：放大器MOSFET晶體管 2343 0

      碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場(chǎng)前景

      碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對(duì)碳化硅功...

      2024-01-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1053 0

      為什么DC-DC轉(zhuǎn)換器這么有用？

      為什么DC-DC轉(zhuǎn)換器這么有用？

      DC-DC 轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中扮演著不可或缺的角色。這是因?yàn)榕c線性穩(wěn)壓器相比，它們具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。尤其是線性穩(wěn)壓器會(huì)散發(fā)大量熱量，與 DC-DC 轉(zhuǎn)換...

      2024-01-12 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻升壓電路DC-DC 928 1

      常見(jiàn)電源拓?fù)浼爱a(chǎn)品介紹

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      去年源自危機(jī)感開的公眾號(hào)，自從技術(shù)轉(zhuǎn)崗業(yè)務(wù)，加上市場(chǎng)趨勢(shì)向下，總覺(jué)得要多積累一些東西來(lái)增加自身的價(jià)值，也逐漸理解業(yè)務(wù)未必就是把技術(shù)放下，也意識(shí)到哪怕不放...

      2024-01-11 標(biāo)簽：PFC功率器件LLC 1315 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢(shì)

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢(shì)

      隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正在引發(fā)一場(chǎng)革命。與傳統(tǒng)的硅（Si）器件相比，碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...

      2024-01-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2401 0

      提高功率器件輸出密度的方法

      提高功率器件輸出密度的方法

      “功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分，有功率晶體管（MOSFET、IGBT等）、二極管、晶閘管、雙向可控硅...

      2024-01-10 標(biāo)簽：二極管MOSFET晶體管 1401 0

      碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用前景

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...

      2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1057 0

      氮化鎵mos管驅(qū)動(dòng)方法

      氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)...

      2024-01-10 標(biāo)簽：電阻MOS管功率器件 4382 0

      氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和原理

      氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主...

      2024-01-09 標(biāo)簽：控制器功率器件GaN 4757 0

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率器件

      功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件，是專門用來(lái)進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過(guò)大電流的能力，處理電壓...

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      碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

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      2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 3657 0

      什么是800V高壓架構(gòu)？800V高壓架構(gòu)的多種方案

      越來(lái)越多的車企向800V高壓平臺(tái)進(jìn)軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么？它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”？400V和800V的電動(dòng)車在用車體驗(yàn)上...

      2024-01-06 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2262 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

      傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來(lái)了革新性的改變，成為了解決這一問(wèn)題的關(guān)鍵所在。

      2024-01-06 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 607 0

      碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)應(yīng)及發(fā)展趨勢(shì)

      隨著科技的不斷進(jìn)步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。碳化硅功率器件在未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿?，將在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出...

      2024-01-06 標(biāo)簽：智能電網(wǎng)功率器件碳化硅 1082 0

      過(guò)去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡(jiǎn)單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡(jiǎn)單的模型通常無(wú)法預(yù)測(cè)與為優(yōu)化器件...

      2024-01-05 標(biāo)簽：安森美仿真模型功率器件 1314 0

      SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析

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      為綜合評(píng)估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu)， 從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個(gè)方面共計(jì)10項(xiàng)指標(biāo)評(píng)估了冷板性...

      2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 2576 0

      貼片電源模塊sF6773參數(shù)及代換

      貼片電源模塊是一種常見(jiàn)的電源模塊，它通常用于電子設(shè)備中提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。在這篇文章中，我們將介紹sF6773貼片電源模塊的參數(shù)、功能以及代換方法。讓我...

      2024-01-04 標(biāo)簽：貼片電子設(shè)備電源模塊 4061 0

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