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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體資訊

APSME 2025功率半導(dǎo)體展:洞察行業(yè)發(fā)展機(jī)遇,攜手共創(chuàng)美好未來(lái)

在科技飛速發(fā)展的今天,功率半導(dǎo)體作為電子設(shè)備的核心部件,其重要性不言而喻。從我們?nèi)粘J褂玫闹悄苁謾C(jī)、電腦,到新能源汽車、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備,功率半導(dǎo)體無(wú)處不...

2025-03-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 307 0

探索合作,共促功率半導(dǎo)體行業(yè)新發(fā)展

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在當(dāng)今科技日新月異的時(shí)代,功率半導(dǎo)體作為電子產(chǎn)業(yè)的核心力量,正深刻地改變著我們的生活和世界。從新能源汽車的蓬勃發(fā)展到智能家居的普及,從5G通信的快速崛起...

2025-01-24 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 307 0

海爾集團(tuán)一行來(lái)訪比亞迪

日前,海爾集團(tuán)董事局副主席、總裁梁海山,董事局董事劉斥,海爾智家副總裁、全球采購(gòu)總經(jīng)理李洋等高層領(lǐng)導(dǎo)蒞臨訪問(wèn)比亞迪。比亞迪集團(tuán)董事長(zhǎng)兼總裁王傳福帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)...

2025-05-09 標(biāo)簽:比亞迪海爾功率半導(dǎo)體 303 0

2025廣州新能源汽車功率半導(dǎo)體展會(huì):開啟行業(yè)新征程,照亮未來(lái)之路

當(dāng)新能源汽車的浪潮席卷全球,功率半導(dǎo)體作為其核心支撐技術(shù),正站在時(shí)代發(fā)展的風(fēng)口浪尖。2025年11月20-22日,備受矚目的 AUTO TECH Chi...

2025-03-17 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體 298 0

TMC2025觀察 |?功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)的20個(gè)前瞻故事(下篇)

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以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識(shí)星球-《TMC2025記錄|功率半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)》系列-文字原創(chuàng),素材來(lái)源:TMC現(xiàn)場(chǎng)記錄、廠商官網(wǎng)-本...

2025-07-07 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體核心板汽車 297 0

普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備,獲功率半導(dǎo)體國(guó)際巨頭海外工廠訂單

普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備,獲功率半導(dǎo)體國(guó)際巨頭海外工廠訂單

據(jù)悉,在高端Clip封裝設(shè)備領(lǐng)域長(zhǎng)期由少數(shù)國(guó)際巨頭把持的局面下,近期,中國(guó)半導(dǎo)體裝備制造商普萊信實(shí)現(xiàn)了重大突破,普萊信Clip Bond封裝整線設(shè)備(涵...

2025-06-16 標(biāo)簽:封裝功率半導(dǎo)體 283 0

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的狀況 增長(zhǎng)勢(shì)頭過(guò)于強(qiáng)勁

氮化鎵 (GaN) 的情況略有不同。這種材料的賣點(diǎn)之一是它可以在硅晶圓上作為外延生長(zhǎng),因此不需要 GaN 晶圓。該行業(yè)的許多公司目前都是無(wú)晶圓廠,這在一...

2023-02-21 標(biāo)簽:晶圓SiC氮化鎵 283 0

半導(dǎo)體制造商專注擴(kuò)大功率半導(dǎo)體和成熟的工藝產(chǎn)能

晶圓代工龍頭中芯國(guó)際在未來(lái)5至7年內(nèi)將有約34萬(wàn)片晶圓產(chǎn)能的12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目,其中包括深圳、北京、上海等地項(xiàng)目。

2023-07-14 標(biāo)簽:中芯國(guó)際晶圓代工功率半導(dǎo)體 279 0

中國(guó)碳化硅功率半導(dǎo)體參與全球競(jìng)爭(zhēng)的持久動(dòng)力:“創(chuàng)新-制造-市場(chǎng)”三位一體

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國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET廠商的發(fā)展路徑對(duì)國(guó)產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體全球競(jìng)爭(zhēng)的啟示 第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)作為未來(lái)功率電子產(chǎn)業(yè)的核心基礎(chǔ)材料,正在...

2025-06-03 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 276 0

功率循環(huán)測(cè)試(Power Cycling Test)概論

1. 定義與目的 功率循環(huán)測(cè)試是一種可靠性測(cè)試方法,通過(guò)反復(fù)施加和切斷功率(如電流、電壓或溫度變化),模擬電子器件在實(shí)際工作中的開關(guān)狀態(tài),評(píng)估其在熱機(jī)械...

2025-05-22 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體功率循環(huán)測(cè)試 271 0

功率半導(dǎo)體究竟是什么

站在戰(zhàn)略升級(jí)的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),聞泰科技正在全力聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù),開啟全新發(fā)展階段。值此之際,公司特別推出 《探秘“芯”世界》系列專題,邀您一同探索半導(dǎo)體的奧秘,...

2025-07-09 標(biāo)簽:二極管功率半導(dǎo)體聞泰科技 267 0

揚(yáng)杰電子MG35P12E1A IGBT模塊:高效能電力電子解決方案

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在當(dāng)今工業(yè)自動(dòng)化和電力電子領(lǐng)域,高效、可靠的功率半導(dǎo)體器件是各類設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心。揚(yáng)杰電子推出的MG35P12E1A IGBT模塊,正是為滿足這一需求...

2025-06-18 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 266 0

全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國(guó)龍崛起

功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來(lái)趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)...

2025-03-13 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 262 0

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)

熱泵與空調(diào)全面跨入SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時(shí)代:能效革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí) 在“雙碳”目標(biāo)的驅(qū)動(dòng)下,商用空調(diào)和熱泵行業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)靜默卻深刻的技術(shù)革命。碳化硅(Si...

2025-06-09 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 256 0

招生通知|第二期 IGBT模塊:技術(shù)、驅(qū)動(dòng)和應(yīng)用培訓(xùn)班

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對(duì)于每一位從事電力電子技術(shù)的工程師來(lái)說(shuō),功率半導(dǎo)體,包括二極管和三極管,雖然其基本功能看似簡(jiǎn)單,但要真正掌握并駕馭其特性卻是一項(xiàng)極具挑戰(zhàn)性的工作。IGB...

2025-06-20 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 242 0

AUTO TECH 2025廣州新能源汽車功率半導(dǎo)體展:洞察行業(yè)脈搏,預(yù)見璀璨未來(lái)

在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下,新能源汽車已然成為全球汽車產(chǎn)業(yè)變革的核心方向。而功率半導(dǎo)體作為新能源汽車的“心臟”,在這場(chǎng)變革中扮演著舉足輕重的角色。2025年1...

2025-04-23 標(biāo)簽:新能源汽車功率半導(dǎo)體 229 0

提升功率半導(dǎo)體可靠性:推拉力測(cè)試機(jī)在封裝工藝優(yōu)化中的應(yīng)用

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隨著功率半導(dǎo)體器件在新能源、電動(dòng)汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其可靠性問(wèn)題日益受到關(guān)注。塑料封裝作為功率器件的主要封裝形式,因其非氣密性特性,在濕熱環(huán)...

2025-06-05 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體推拉力測(cè)試機(jī) 222 0

功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)該如何測(cè)試?

功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)該如何測(cè)試?那我們首先要知道功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)有哪些?然后才能了解怎樣去測(cè)試—— 功率半導(dǎo)體測(cè)試中的靜態(tài)參數(shù)主要包括以...

2025-05-14 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 151 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)洗牌:SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰

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國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司的批量淘汰,與其視為行業(yè)危機(jī),不如理解為市場(chǎng)機(jī)制的自我凈化——當(dāng)參數(shù)虛標(biāo)、低質(zhì)低價(jià)等亂象被清除,真正具備創(chuàng)新能力的企...

2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 151 0

中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“結(jié)硬寨,打呆仗”的破局之路

中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)從政策扶持、技術(shù)攻堅(jiān)到資本賦能的縮影。其發(fā)展揭示了中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的共性路徑:以IDM模式突破封鎖,以成本優(yōu)勢(shì)搶占市場(chǎng),以資本耐力換取技術(shù)時(shí)...

2025-06-24 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 137 0

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    董明珠
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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