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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體
功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。
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電動(dòng)汽車等新興領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體下一個(gè)主戰(zhàn)場
據(jù)IMS Research數(shù)據(jù),全球功率半導(dǎo)體市場2012年增長率為5.0%,達(dá)到320億美元規(guī)模;預(yù)期2013年會(huì)恢復(fù)兩位數(shù)字增長 作為僅次...
開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十大關(guān)注點(diǎn)
開關(guān)電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術(shù),而它的發(fā)展趨勢又是大家必須時(shí)刻關(guān)注的問題,不然一不留神就會(huì)跟不上技術(shù)發(fā)展的步伐。電子元件技術(shù)網(wǎng)做了項(xiàng)開關(guān)電源技術(shù)...
2012-12-20 標(biāo)簽:開關(guān)電源IGBT功率半導(dǎo)體 3028 3
節(jié)能省電,下一代功率半導(dǎo)體的發(fā)展趨勢
當(dāng)前,材料的發(fā)展引領(lǐng)了產(chǎn)品性能的提升,碳化硅和氮化鎵的發(fā)展也就推動(dòng)了在變頻器和轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)上用到的功率半導(dǎo)體的發(fā)展,下面我們就下一代的功率半導(dǎo)體發(fā)展趨勢進(jìn)行分析。
2012-12-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器變頻器功率半導(dǎo)體 2390 0
這是來自電子科技大學(xué)微電子與固體電子學(xué)院副院長 張波的一篇文章,張教授就功率半導(dǎo)體的發(fā)展現(xiàn)狀及未來的趨勢進(jìn)行了詳細(xì)的解說,希望各位對這個(gè)重要的元器件有全...
2012-12-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 1.2萬 1
在進(jìn)入了“后石油時(shí)代”之后,電能無疑成為人類消耗的最大能源。從日常的手機(jī)、電視、洗衣機(jī)到高速列車都依靠電能驅(qū)動(dòng)。每個(gè)電子產(chǎn)品都需要功率半導(dǎo)體技術(shù)。功率半...
2012-11-20 標(biāo)簽:節(jié)能減排功率半導(dǎo)體 1465 0
飛兆半導(dǎo)體近日舉行了2012年度的北京媒體交流培訓(xùn)活動(dòng),會(huì)上,飛兆半導(dǎo)體中國區(qū)銷售總監(jiān)王劍,技術(shù)經(jīng)理陳立烽,高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理曹巍向媒體朋友介紹了飛兆半導(dǎo)體在...
2012-08-26 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體LED智能手機(jī) 982 0
三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始,依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊,以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半...
2012-07-25 標(biāo)簽:三菱電機(jī)SiC功率半導(dǎo)體 856 0
2011年功率半導(dǎo)體市場 英飛凌連續(xù)九年第一
據(jù)市場調(diào)研公司IMS最新報(bào)告,2011年功率半導(dǎo)體市場增長9%至約180億美元。而英飛凌則已連續(xù)第九年高居榜首。
2012-07-09 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體 683 0
2011年功率半導(dǎo)體市場供應(yīng)商10強(qiáng)
據(jù)市場調(diào)研公司IMS的最新報(bào)告,2011年功率半導(dǎo)體市場增長9%,約180億美元。而英飛凌則已連續(xù)第九年高居榜首。
2012-07-06 標(biāo)簽:英飛凌電源模塊功率半導(dǎo)體 977 0
“功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前,功率半導(dǎo)體材料正迎來材料更新?lián)Q代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),...
2012-07-02 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體電力轉(zhuǎn)換器 1631 0
設(shè)計(jì)師在減輕熱問題時(shí)常常需要做出很多折衷,包括電源變換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇、開關(guān)頻率的選擇、半導(dǎo)體封裝形式的選擇,還有半導(dǎo)體類型、散熱方式、變換電路的具體位置...
2012-04-26 標(biāo)簽:仿真功率半導(dǎo)體結(jié)溫 4531 1
英飛凌推出車用全新650V CoolMOS CFDA整合高速本體二極體
英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFE...
2012-04-05 標(biāo)簽:英飛凌功率半導(dǎo)體CoolMOS 1677 0
愛發(fā)科開發(fā)出制造功率半導(dǎo)體的新技術(shù)
日本愛發(fā)科面向硅基板上制作的功率半導(dǎo)體等,開發(fā)出了通過濺射法實(shí)現(xiàn)原來使用蒸鍍法及印刷法的“焊錫成膜工序”。該方法可將各種器件的電極膜使用的Au膜換成通過...
2012-03-16 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體愛發(fā)科 931 0
有60幾年歷史的美商國際整流器公司(IR)表示,其功率半導(dǎo)體產(chǎn)品除了既有的資料儲(chǔ)存等企業(yè)市場,也將把觸角伸往消費(fèi)市場,包括超輕薄筆電(Ultrabook...
2012-02-15 標(biāo)簽:電源IR功率半導(dǎo)體 4.2萬 0
英飛凌穩(wěn)居分立功率半導(dǎo)體細(xì)分市場榜首
英飛凌科技連續(xù)八年位居全球功率半導(dǎo)體市場榜首,英飛凌在分立式功率半導(dǎo)體細(xì)分市場上擁有8.6%的市場份額,第一次肯定在該市場上具有明確的榜首地位
2011-11-03 標(biāo)簽:英飛凌分立器件功率半導(dǎo)體 830 0
功率半導(dǎo)體器件的廣泛應(yīng)用可以實(shí)現(xiàn)對電能的傳輸轉(zhuǎn)換及最佳控制,大幅度提高工業(yè)生產(chǎn)效率,大幅度節(jié)約電能、降低原材料消耗。
2011-10-26 標(biāo)簽:集成電路芯片制造功率半導(dǎo)體 1379 0
東芝強(qiáng)推功率半導(dǎo)體 登頂世界第一寶座
作為進(jìn)行功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的東芝公司在近期發(fā)布會(huì)上表示,奪取市場份額首位寶座的決心。
2011-08-15 標(biāo)簽:東芝功率半導(dǎo)體 1063 0
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