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      標(biāo)簽　>　功率半導(dǎo)體

      功率半導(dǎo)體

      功率半導(dǎo)體

      +關(guān)注23人關(guān)注

      功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

      文章：1140個(gè) 瀏覽：44040次 帖子：21個(gè)

      功率半導(dǎo)體技術(shù)

      一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件？車規(guī)級(jí)芯片分類介紹

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      當(dāng)finFET被提出時(shí)，相對(duì)于互連層而言，晶體管及相關(guān)邏輯單元制作工藝復(fù)雜度成比例增加。隨著更多晶體管技術(shù)被提出，這一差別有望延續(xù)至5nm，3nm和更低。

      2023-06-16 標(biāo)簽：汽車電子晶體管功率半導(dǎo)體 2518 0

      半導(dǎo)體芯片學(xué)習(xí)筆記-熱特性01

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      功率半導(dǎo)體行業(yè)的本質(zhì)是能源行業(yè)，熱特性是功率半導(dǎo)體的靈魂

      2023-05-30 標(biāo)簽：IGBT功率半導(dǎo)體 2511 0

      電子元器件用導(dǎo)熱絕緣封裝膠粘材料特性分析

      電子元器件用導(dǎo)熱絕緣封裝膠粘材料特性分析

      功率半導(dǎo)體模塊能夠?qū)崿F(xiàn)電能控制與轉(zhuǎn)換，為節(jié)能減排核心技術(shù)和基礎(chǔ)器件，在新能源、輸配電、軌道交通和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域使用。

      2023-11-25 標(biāo)簽：電力電子器件功率半導(dǎo)體陶瓷基板 2508 0

      壓敏電阻損壞的原因有哪些

      壓敏電阻是一種限壓型保護(hù)器件，利用壓敏電阻的非線性特性，當(dāng)過電壓出現(xiàn)在其兩極時(shí)，壓敏電阻可以將電壓鉗位到一個(gè)相對(duì)固定的電壓值，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)后級(jí)電路的保護(hù)。...

      2023-08-08 標(biāo)簽：壓敏電阻保護(hù)器件功率半導(dǎo)體 2488 0

      Cu-Clip互連技術(shù)有哪些特點(diǎn)呢？

      Cu-Clip互連技術(shù)有哪些特點(diǎn)呢？

      Cu-Clip技術(shù)，它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中。它的特點(diǎn)有：降低寄生電感和電阻，增加載流能力，相應(yīng)地提高可靠性，以及靈活的形狀設(shè)計(jì)。

      2023-10-07 標(biāo)簽：IGBTCMC寄生電感 2485 0

      IGBT技術(shù)及應(yīng)用介紹

      功率半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的細(xì)分領(lǐng)域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。IGBT是功率半導(dǎo)體的一種，作為電子電力裝置和系統(tǒng)中的“CPU”，高...

      2022-08-08 標(biāo)簽：cpu功率半導(dǎo)體 2484 0

      功率半導(dǎo)體的封裝方式有哪些

      功率半導(dǎo)體的封裝方式多種多樣，這些封裝方式不僅保護(hù)了功率半導(dǎo)體芯片，還提供了電氣和機(jī)械連接，確保了器件的穩(wěn)定性和可靠性。以下是對(duì)功率半導(dǎo)體主要封裝方式的...

      2024-07-24 標(biāo)簽：封裝晶體管功率半導(dǎo)體 2440 0

      功率半導(dǎo)體器件這種筆記(2)

      功率半導(dǎo)體器件這種筆記(2)

      下面是貼片二極管封裝圖，一般帶白線的是陰極，如果不清楚，就用萬(wàn)用表調(diào)制二極管檔，當(dāng)出現(xiàn)零點(diǎn)幾伏壓降的時(shí)候，紅表筆就代表二極管陽(yáng)極，黑表筆代表陰極。

      2023-12-03 標(biāo)簽：IGBTPN結(jié)貼片二極管 2421 0

      功率半導(dǎo)體分立器件的定義和分類

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      作為電子系統(tǒng)中的最基本單元，半導(dǎo)體功率器件在包括汽車電子、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、電子設(shè)備、航空航天、武器裝備、儀器儀表、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療電子等各行業(yè)都起著...

      2023-11-14 標(biāo)簽：晶閘管晶體管分立器件 2418 0

      為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用？

      僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導(dǎo)體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標(biāo)（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是50...

      2023-02-10 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體 2415 0

      淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關(guān)性能

      通常來講，全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件，在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。

      2023-02-13 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2400 0

      聊一聊Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

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      隨著寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件往更高的功率密度，更高的芯片溫度以及更高的可靠性方向發(fā)展，相應(yīng)地也對(duì)于功率半導(dǎo)體模塊封裝的提出了更高的要求。

      2023-10-22 標(biāo)簽：隔離電壓DBC功率半導(dǎo)體 2399 0

      深度解析熱敏電阻的熱管理

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      通過這一電路能夠?qū)?個(gè)散熱片進(jìn)行熱監(jiān)測(cè)。當(dāng)溫度高于85℃時(shí)，風(fēng)扇將被激活。在不利的環(huán)境條件下，溫度甚至能夠達(dá)到100℃，然后再進(jìn)行甩負(fù)荷。為完成這一操作...

      2018-05-07 標(biāo)簽：熱敏電阻功率半導(dǎo)體 2385 0

      深度解析七大汽車芯片產(chǎn)業(yè)等細(xì)分領(lǐng)域機(jī)遇與挑戰(zhàn)

      在車載鏡頭領(lǐng)域，舜宇光學(xué)（02382.HK）龍頭地位穩(wěn)固，其車載鏡頭出貨量已連續(xù)9年穩(wěn)居世界第一，2020年市占率32%，與第二名份額拉開較大差距。

      2022-11-02 標(biāo)簽：mcuMOSFETIGBT 2367 0

      芯動(dòng)半導(dǎo)體和博世汽車電子簽署長(zhǎng)期訂單合作協(xié)議

      功率半導(dǎo)體元件在新能源汽車中扮演關(guān)鍵角色，占據(jù)電機(jī)控制器價(jià)值量的30%-50%。因此，功率半導(dǎo)體元件的成本、性能和供貨能力對(duì)于車企在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中取得成功至關(guān)重要。

      2023-12-08 標(biāo)簽：電機(jī)控制器SiC功率半導(dǎo)體 2365 0

      功率半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語(yǔ)有哪些

      集成電路=IC：一種微型電子器件或部件。具體指采用半導(dǎo)體制備工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半...

      2023-07-31 標(biāo)簽：集成電路三極管MOSFET 2357 0

      功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試方案

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      我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來了...

      2025-01-22 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2326 0

      PWM控制型IGBT的EMI工程估算與基本原理分析

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      PWM控制型IGBT工作在斬波模式，使得IGBT本身自帶干擾源屬性，自擾與互擾系統(tǒng)中的其他設(shè)備。

      2023-09-08 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器IGBTPWM控制器 2312 0

      功率半導(dǎo)體在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用

      功率半導(dǎo)體在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用

      光伏逆變器按技術(shù)路線及功率水平可分為集中式、組串式和微型逆變器等。

      2023-08-10 標(biāo)簽：二極管MOSFET逆變器 2289 0

      晶閘管的工作原理 晶閘管的主要參數(shù)

      晶閘管，也稱為可硅控整流器（SCR），是一種大功率半導(dǎo)體器件，主要用于交流電路中的電壓和功率控制。

      2024-05-24 標(biāo)簽：晶閘管SCR功率半導(dǎo)體 2286 0

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        TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        　　閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。 　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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        LT8705
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