垂直GaN功率器件徹底改變功率半導(dǎo)體

使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問(wèn)題。

2023-10-20 標(biāo)簽：充電器晶圓氮化鎵 1748 0

功率半導(dǎo)體：車(chē)載逆變器電路控制的核心

什么是逆變器？就是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的產(chǎn)品。

2023-10-09 標(biāo)簽：晶閘管逆變器IGBT 871 0

SiC功率器件的封裝技術(shù)

傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)是采用鉛或無(wú)鉛焊接合金把器件的一個(gè)端面貼合在熱沉襯底上，另外的端面與10-20mil鋁線楔或金線鍵合在一起。這種方法在大功率、高...

2023-10-09 標(biāo)簽：封裝技術(shù)焊接功率半導(dǎo)體 896 0

Cu-Clip互連技術(shù)有哪些特點(diǎn)呢？

Cu-Clip技術(shù)，它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中。它的特點(diǎn)有：降低寄生電感和電阻，增加載流能力，相應(yīng)地提高可靠性，以及靈活的形狀設(shè)計(jì)。

2023-10-07 標(biāo)簽：IGBTCMC寄生電感 2469 0

車(chē)規(guī)模塊系列（四）：Cu-Clip互連技術(shù)簡(jiǎn)析

在上篇討論TPAK封裝時(shí)，我們聊到了Cu-Clip技術(shù)，當(dāng)然它可以應(yīng)用在很多模塊封裝形式當(dāng)中

2023-10-07 標(biāo)簽：IGBTSiC寄生電感 3048 0

碳化硅器件“上車(chē)”加快，800V高壓平臺(tái)蓄勢(shì)待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間先后順序，業(yè)內(nèi)將半導(dǎo)體材料劃分為三代。常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

2023-09-28 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1025 0

2023-09-27 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 1642 0

IGBT的概念和發(fā)展歷史 IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理 IGBT市場(chǎng)規(guī)模分析

功率半導(dǎo)體器件（Power Electronic Device）又稱(chēng)為電力電子器件和功率電子器件，是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制...

2023-09-24 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 6060 0

車(chē)載充電機(jī)在新能源汽車(chē)拆解應(yīng)用分析

車(chē)載充電機(jī)OBC(On-Board Charger)屬于安裝在新能源電動(dòng)車(chē)內(nèi)的零部件，它將交流充電樁輸出的交流電轉(zhuǎn)化為高壓直流電，給整車(chē)高壓動(dòng)力電池充電。

2023-09-21 標(biāo)簽：英飛凌功率半導(dǎo)體碳化硅 2102 0

超結(jié)VDMOS的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

超結(jié)VDMOS是一種發(fā)展迅速、應(yīng)用廣泛的新型功率半導(dǎo)體器件。

2023-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體工藝技術(shù) 7861 0

二極管應(yīng)用手冊(cè)

本書(shū)介紹了功率半導(dǎo)體器件的原理、結(jié)構(gòu)、特性和可靠性技術(shù)，器件部分涵蓋了當(dāng)前電力電子技術(shù)中使用的各種類(lèi)型功率半導(dǎo)體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、...

2023-09-14 標(biāo)簽：二極管MOSFETIGBT 574 0

MEMS及功率半導(dǎo)體的特色工藝晶圓代工與模組封裝集成

工藝平臺(tái)涵蓋超高壓、車(chē)載、先進(jìn)工業(yè)控制和消費(fèi)類(lèi)功率器件及模組，以及車(chē)載、工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)傳感器，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電、光伏儲(chǔ)能、消費(fèi)電...

2023-09-14 標(biāo)簽：傳感器新能源汽車(chē)信號(hào)處理器 3912 0

電動(dòng)汽車(chē)OBC分類(lèi)及其大功率PFC技術(shù)分析

高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)渲?，尤其是輕負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn)，令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比，其...

2023-09-12 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)MOSFET功率半導(dǎo)體 2056 0

一起來(lái)聊聊賽米控丹佛斯的DCM系列

隨著碳達(dá)峰，碳中和的提出，新能源相關(guān)的產(chǎn)業(yè)可以說(shuō)是得到了飛速的發(fā)展，包括風(fēng)光儲(chǔ)以及馬路上每天看得見(jiàn)的新能源汽車(chē)。

2023-09-12 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)散熱器SiC 7960 0

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域及現(xiàn)狀分析

近年來(lái)，新型功率開(kāi)關(guān)器件IGBT(圖1)已逐漸被人們所認(rèn)識(shí)，IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率...

2023-09-11 標(biāo)簽：三極管新能源汽車(chē)IGBT 3830 0