什么是功率半導體？IGBT 的下一步是什么？

BC-IGBT 由結構頂部和底部的柵極組成。東京大學的研究員 Takuya Saraya 在論文中說：“IGBT 的一個主要缺點是其開關頻率相對較低，因...

2022-06-15 標簽：MOSFETIGBT功率半導體 3.2萬 0

SiC MOSFET驅動電壓測試結果離譜的六大原因

開關特性是功率半導體開關器件最重要的特性之一，由器件在開關過程中的驅動電壓、端電壓、端電流表示。一般在進行器件評估時可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時直...

2022-06-02 標簽：變換器功率半導體驅動電壓 3626 0

功率半導體的創(chuàng)新驅動下一代能源網(wǎng)絡建設，構建可持續(xù)發(fā)展的未來

全球變暖是人類面臨的最大挑戰(zhàn)。全球科學家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一...

2022-04-22 標簽：安森美半導體功率半導體能源網(wǎng)絡 7112 0

如何使用SBR提高電源轉換效率

對于幾乎任何電子或電氣系統(tǒng)的設計，最大限度地提高電源效率非常重要。在移動設備中，更好的電源效率可提供更長的電池壽命，這是一個關鍵賣點。對于基本上任何應用...

2022-04-20 標簽：SBR功率半導體 3679 0

RC-IGBT 技術帶來更多動力

多年來，市場對功率半導體的需求一直在增加，需要功率轉換系統(tǒng)的小型化、成本的降低和性能的提高。這種性能增益是通過增加給定封裝尺寸的輸出功率來實現(xiàn)的，這與系...

2022-02-22 標簽：電機IGBT功率半導體 4199 0

淺談功率半導體的燒結芯片貼裝技術

Micro-Punch 工具對模具的數(shù)量或位置沒有限制；它可以適應任何 DBC 尺寸或配置，它可以獨立壓制最薄和最小的模具，即使它們彼此非常接近。

2022-02-06 標簽：功率半導體 3882 0

淺談功率半導體燒結貼片技術

銀 （Ag）/銅 （Cu） 壓力燒結（見圖 1）是一種應用于粉末材料（即納米顆粒）的熱處理工藝，以提供更高的強度、完整性和導電性。

2021-11-12 標簽：熱敏電阻IGBT功率半導體 3555 0

NTC溫度傳感器溫度測量解決方案解析

NTC上的溫度測量值大約對應于模塊下方散熱器的溫度。NTC可用于監(jiān)視環(huán)境和冷卻條件。

2021-05-03 標簽：溫度傳感器NTC散熱器 6130 0

什么是IGBT？功率半導體元器件的特點

　除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。

2021-05-24 標簽：MOSFET元器件雙極晶體管 1.6萬 0

SiCMOSFET如何實現(xiàn)降低功率轉換過程中能量損耗

人們普遍認為，SiCMOSFET可以實現(xiàn)非常快的開關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導體封裝的限制，在實際...

2021-01-27 標簽：SiC功率半導體功率晶體管 3828 0

ITECH半導體測試方案解析，從容應對全球功率半導體市場風起云涌

功率模塊供應商會搭建不同的產(chǎn)品解決方案，并進行轉換效率，溫升等指標驗證，向下游的客戶（生產(chǎn)電機控制器，UPS，光伏逆變器制造商…）提供參考案例并證明其性...

2020-08-17 標簽：IGBT功率模塊功率半導體 1151 0

常用的功率半導體器件

MCT是一種新型MOS與雙極復合型器件。如圖所示。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅動圖MCT的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結合在...

2019-10-23 標簽：功率半導體半導體器件 2764 0

關于功率半導體的性能分析和應用介紹

Nexperia 是世界一流標準產(chǎn)品的首選生產(chǎn)商、供應商， 專注于邏輯、分立器件和 MOSFET 市場，擁有恩智浦半導體的設計部門， 以及位于英國和德國...

2019-09-02 標簽：物聯(lián)網(wǎng)微處理器功率半導體 1.8萬 0