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標(biāo)簽 > 功率元件
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力挽半導(dǎo)體狂瀾,日本成立功率元件促進(jìn)協(xié)會(huì)
日本近期傳出日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成立功率元件促進(jìn)協(xié)會(huì)(Power Device Enabling Association,PDEA),主要的原因在于,日本在功...
Si之后的新一代功率半導(dǎo)體材料的開發(fā)在日本愈發(fā)活躍。進(jìn)入2013年以后,日本各大企業(yè)相繼發(fā)布了采用SiC和GaN的功率元件新產(chǎn)品,還有不少企業(yè)宣布涉足功...
富士通半導(dǎo)體有限公司臺(tái)灣分公司宣佈,成功透過硅基板氮化鎵(GaN)功率元件讓伺服器電源供應(yīng)器達(dá)到2.5kW的高輸出功率,并擴(kuò)大電源供應(yīng)的增值應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)低...
與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件,因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開...
IGBT功率元件的應(yīng)用及保護(hù)技術(shù)
IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題是驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)電路,本文根據(jù)在實(shí)際工作中對IGBT的應(yīng)用討論有關(guān)IGBT的驅(qū)動(dòng)及保護(hù)問題。
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