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標(biāo)簽 > 刻蝕機(jī)
刻蝕機(jī)是一種用于電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器,于2012年5月14日啟用,在半導(dǎo)體和線路板制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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刻蝕機(jī)不能代替光刻機(jī)。光刻機(jī)的精度和難度的要求都比刻蝕機(jī)高出很多,在需要光刻機(jī)加工的時(shí)候刻蝕機(jī)有些不能辦到,并且刻蝕機(jī)的精度十分籠統(tǒng),而光刻機(jī)對(duì)精度的要...
半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化機(jī)遇來(lái)臨,但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還是需要全球合作
目前,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料與設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率平均還不到20%,但經(jīng)過(guò)15~20多年的技術(shù)積累,以及企業(yè)和國(guó)家的大力投入,半導(dǎo)體材料與設(shè)備在2020年將會(huì)獲得實(shí)質(zhì)...
2020-05-28 標(biāo)簽:光刻機(jī)刻蝕半導(dǎo)體設(shè)備 1.3萬(wàn) 0
中微半導(dǎo)體:“中國(guó)芯”的進(jìn)程已經(jīng)達(dá)到14nm大量生產(chǎn),7nm即將進(jìn)入生產(chǎn)的水平
截至目前,中微公司已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備 5 大供應(yīng)商之一,擁有1755 項(xiàng)專利,并且其自主研發(fā)的5nm刻蝕機(jī)已經(jīng)正式應(yīng)用于臺(tái)積電5nm生產(chǎn)線,3n...
2021-04-29 標(biāo)簽:集成電路中微半導(dǎo)體刻蝕機(jī) 8645 0
刻蝕機(jī)國(guó)產(chǎn)化率迅速提升,長(zhǎng)江存儲(chǔ)2020年達(dá)30%
目前,北方華創(chuàng)的刻蝕設(shè)備已經(jīng)覆蓋集成電路、LED、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體、MEMS微機(jī)電系統(tǒng)、化合物半導(dǎo)體、硅基微顯、分析儀器、功率器件、光通信器件等多個(gè)...
尹志堯揭秘:中微是怎么從初創(chuàng)公司,做到全球領(lǐng)先的刻蝕機(jī)大廠
9月15日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯在某活動(dòng)中探討如何打造高質(zhì)量、有競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體設(shè)備公司時(shí),表示目前半導(dǎo)體公司的設(shè)備...
2021-09-16 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體半導(dǎo)體設(shè)備刻蝕機(jī) 5177 0
中微上半年凈利潤(rùn)3.97億元!5nm以下刻蝕機(jī)已獲批量訂單
8月24日,中微公司發(fā)布2021年半年度業(yè)績(jī)報(bào)告。報(bào)告顯示,公司2021年上半年?duì)I業(yè)收入約13.39億元,同比增加36.82%;歸母凈利潤(rùn)3.97億元,...
北方華創(chuàng)ICP刻蝕機(jī)交付突破1000腔
北方華創(chuàng)(Naura)官方宣布,ICP等離子刻蝕機(jī)第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行,NAURA刻蝕機(jī)研發(fā)團(tuán)隊(duì)見(jiàn)證了這一歷史性時(shí)刻。 北方華創(chuàng)表...
2020-12-11 標(biāo)簽:ICP北方華創(chuàng)刻蝕機(jī) 3405 0
微公司透露:公司研發(fā)的等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入客戶的5nm生產(chǎn)線
近日,微公司董事長(zhǎng)、總經(jīng)理尹志堯透露,公司研發(fā)的等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入客戶的5nm生產(chǎn)線。 尹志堯表示,公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國(guó)際一線客戶從65...
我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響,通過(guò)對(duì)比試驗(yàn),評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理,各種表面...
慶祝!北方華創(chuàng)ICP刻蝕機(jī)交付已突破1000腔
北方華創(chuàng)(Naura)官方宣布,ICP等離子刻蝕機(jī)第1000腔交付儀式近日在北京亦莊基地舉行,NAURA刻蝕機(jī)研發(fā)團(tuán)隊(duì)見(jiàn)證了這一歷史性時(shí)刻。
比肩國(guó)際大廠,刻蝕設(shè)備會(huì)是率先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的嗎?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在半導(dǎo)體制造的各路工序中,尤其是前道工序中,技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接...
2023-07-30 標(biāo)簽:設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備刻蝕機(jī) 2653 0
關(guān)于玻璃濕法蝕刻的研究報(bào)告—江蘇華林科納半導(dǎo)體
引言 器件材料需要具有耐化學(xué)性高、耐熱性高、電絕緣性高、生物相容性好、光學(xué)躍遷范圍大和光吸收低等有趣的特性。在微機(jī)電系統(tǒng)器件制造中,玻璃是僅次于硅的第二...
Si和Ge的濕式化學(xué)刻蝕—蘇州華林科納半導(dǎo)體
介紹 在本研究中,我們使用不同的濕化學(xué)蝕刻條件來(lái)蝕刻硅、鍺和硅鍺,并將硅鍺蝕刻速率數(shù)據(jù)擴(kuò)展到鍺摩爾分?jǐn)?shù)在20%和100%之間。比較了三種情況下的刻蝕速率...
關(guān)于HF與HNO3混合物中硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理研究報(bào)告
介紹 本文通過(guò)詳細(xì)的動(dòng)力學(xué)研究,闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對(duì)硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后,我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫...
近日,中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)(證監(jiān)會(huì))披露了重慶臻寶科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“臻寶科技”)的首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告,標(biāo)志著該公司正式開(kāi)啟上市輔...
關(guān)于砷化鎵晶片的濕式化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告
引言 外延片或所謂的外延片是一種通過(guò)外延生長(zhǎng)生產(chǎn)的材料,商業(yè)上可用于許多不同的電子應(yīng)用。外延晶片可以由單一材料(單晶晶片)和/或多種材料(異質(zhì)晶片)制成...
據(jù)萬(wàn)業(yè)企業(yè)公告,2021年12月,萬(wàn)業(yè)企業(yè)攜手寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“寧波芯恩”)成立嘉芯半導(dǎo)體,以20億元總投資規(guī)模,重點(diǎn)打造國(guó)內(nèi)集成電...
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