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標簽 > 制造工藝
制造工藝指制造CPU或GPU的制程,或指晶體管門電路的尺寸,單位為納米(nm)。主流的CPU制程已經(jīng)達到了7-14納米(AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝,intel第9代全面采用14nm),更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達到了4nm或更高,已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。
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稱TFT-LCD技術(shù)基于半導(dǎo)體IC制造加工。TFT-LCD技術(shù)的獨特之處在于它使用玻璃基板,而不是傳統(tǒng)的硅晶圓。對于TFT制造工藝,薄膜形成,如CVD,...
據(jù)麥姆斯咨詢報道,近日,由北京理工大學(xué)、佛羅里達大學(xué)(University of Florida)、南佛羅里達大學(xué)(University of Sout...
據(jù)麥姆斯咨詢報道,近期,來自南京理工大學(xué)的研究人員于《新型工業(yè)化》期刊發(fā)表綜述文章,總結(jié)了體微加工技術(shù)和表面微加工常用的MEMS加工工藝的原理、加工方法...
半導(dǎo)體制造工藝之快速加熱退火(RTA)系統(tǒng)
離子注入后的快速加熱退火(RTA)工藝是快速加熱步驟 (RTP)中最常使用的一種技術(shù)。當(dāng)離子注入完成后,靠近表面的硅晶體結(jié)構(gòu)會受到高能離子的轟擊而嚴重損...
陶瓷基板由于其良好的導(dǎo)熱性、耐熱性、絕緣性、低熱膨脹系數(shù)和成本的不斷降低,在電子封裝特別是功率電子器件如IGBT(絕緣柵雙極晶體管)、LD(激光二極管)...
當(dāng)前,無論是多層板的層數(shù)還是通孔的孔徑,無論是布線寬度還是線距,都趨于細微化。由于絕緣距離的縮短以及電子設(shè)備便攜化的影響,導(dǎo)致電路板容易發(fā)生吸濕現(xiàn)象,進...
目前,在國內(nèi)外半導(dǎo)體器件制造工藝中,用等離子去膠工藝代替常規(guī)化學(xué)溶劑去膠及高溫氧氣去膠已獲得顯著效果,越來越引起半導(dǎo)體器件制造者的重視。由于該工藝操作簡...
硅片減薄蝕刻技術(shù):RIE技術(shù)將硅片減薄到小于20微米
引言 高效交叉背接觸(IBC)太陽能電池有助于減少太陽能電池板的面積,從而為家庭消費提供足夠的能量。我們?nèi)A林科納認為,借助光阱方案,適當(dāng)鈍化的IBC電池...
減成法工藝是在覆銅箔層壓板表面上,有選擇性除去部分銅箔來獲得導(dǎo)電圖形的方法。減成法是當(dāng)今印制電路制造的主要方法,它的最大優(yōu)點是工藝成熟、穩(wěn)定和可靠。
DC SCAN與AC SCAN的異同 常用的OCC電路結(jié)構(gòu)分析
不同人設(shè)計的電路不一樣,它就是一個2選一的clock mux,設(shè)計時注意處理一下cdc的path,不要產(chǎn)生glitch就行了。
原子級工藝實現(xiàn)納米級圖形結(jié)構(gòu)的要求
技術(shù)節(jié)點的每次進步都要求對制造工藝變化進行更嚴格的控制。最先進的工藝現(xiàn)在可以達到僅7 nm的fin寬度,比30個硅原子稍大一點。半導(dǎo)體制造已經(jīng)跨越了從納...
通過3D IC集成來縮減I/O功耗:和傳統(tǒng)的多芯片設(shè)計相比,在具備相同的I/O帶寬的情況下,基于SSI的3D IC技術(shù)可以使I/O互連功耗減小100倍。
2019-07-24 標簽:3D制造工藝供電系統(tǒng) 4490 0
本期著重分享鋰離子電池的設(shè)計原則以及在實際生產(chǎn)制造過程中的一些關(guān)鍵控制要點,同時列出這些要點可能帶來的潛在問題。
PCB生產(chǎn)制造工藝的相關(guān)設(shè)計參數(shù)解析
1. 最小線距: 6mil(0.153mm).。最小線距,就是線到線,線到焊盤的距離不小于6mil 從生產(chǎn)角度出發(fā),是越大越好,一般常規(guī)在10mil,當(dāng)...
從現(xiàn)有PCB工藝制作情況來看,在PCB上安裝擠壓螺母可大致分為兩種方案,一種是專用螺母安裝設(shè)備加工,在拼版PCB分片后進行螺母安裝,另一種是先安裝擠壓螺...
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