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制造工藝

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制造工藝指制造CPU或GPU的制程，或指晶體管門電路的尺寸，單位為納米（nm）。主流的CPU制程已經(jīng)達到了7-14納米（AMD三代銳龍已全面采用7nm工藝，intel第9代全面采用14nm），更高的在研發(fā)制程甚至已經(jīng)達到了4nm或更高，已經(jīng)正式商用的高通855已采用7nm制程。

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制造工藝技術(shù)

半導(dǎo)體分層工藝的簡單介紹

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干法刻蝕的評價參數(shù)詳解

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一文詳解外延生長技術(shù)

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主流氧化工藝方法詳解

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2025-06-12 標簽：集成電路制造工藝氧化工藝 664 0

CMOS超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識

本節(jié)將介紹 CMOS 超大規(guī)模集成電路制造工藝流程的基礎(chǔ)知識，重點將放在工藝流程的概要和不同工藝步驟對器件及電路性能的影響上。

2025-06-04 標簽：集成電路 CMOS 晶體管 674 0

化合物半導(dǎo)體器件的定義和制造工藝

化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨特的電學與光學特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達8500cm2...

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源漏擴展結(jié)構(gòu)概述

源漏擴展結(jié)構(gòu)（Source/Drain Extension,SDE）在控制 MOS 器件的短溝道效應(yīng)中起到重要作用。SDE（源漏擴展結(jié)構(gòu)）引入了一個淺的...

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FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

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柵極技術(shù)的工作原理和制造工藝

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光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進，對光刻分辨率、套準精度和可靠性的要求...

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本文主要介紹CMOS集成電路基本制造工藝，特別聚焦于0.18μm工藝節(jié)點及其前后的變化，分述如下：前段工序（FrontEnd）；0.18μmCMOS前段...

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微矩形高密連接器技術(shù)難題怎么解決？

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集成電路制造中的電鍍工藝介紹

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