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標(biāo)簽 > 光刻膠
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
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需要鋁金屬的地方太多了,在DRAM和flash等存儲器產(chǎn)品中,鋁連線由于成本低廉和加工簡便仍被廣泛使用。這些存儲器設(shè)備通常不像高性能邏輯芯片那樣對電阻和...
2023-12-25 標(biāo)簽:存儲器等離子體半導(dǎo)體封裝 1476 0
光刻膠中金屬雜質(zhì)對硅基基質(zhì)的吸附機理 南通華林科納分析
應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學(xué)放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù),即烘烤溫度和襯底類型(...
感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高,經(jīng)濟效益越好,另-方面,過快的感光速度會對引起工藝...
2023-05-25 標(biāo)簽:光刻膠半導(dǎo)體工藝 1341 0
隨著光刻膠層變得更薄,整體光刻膠的特性變得不那么重要,并且光刻膠(暴露與否)與顯影劑和底層之間的界面變得更加重要。
光刻膠是一種有機化合物,它受紫外線曝光后在顯影液中的溶解度發(fā)生顯著變化,而未曝光的部分在顯影液中幾乎不溶解。
2024-04-30 標(biāo)簽:光刻膠 1205 0
光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電...
EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當(dāng)受到EUV光子照射時會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減...
2023-09-11 標(biāo)簽:顯示器car半導(dǎo)體制造 1150 0
隨著線條寬度的不斷縮小,為了防止膠上圖形出現(xiàn)太大的深寬比,提高對比度,應(yīng)該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐腐蝕性的問題。由此開發(fā)出了 雙層光刻膠技術(shù),這...
KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200...
半導(dǎo)體材料介紹 | 光刻膠及生產(chǎn)工藝重點企業(yè)
光刻膠(Photoresist)又稱光致抗蝕劑,是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射,其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增...
2025-03-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料電子束光刻膠 1027 0
微型晶體管的制造過程 1. 硅晶圓的制備 微型晶體管的制造始于硅晶圓的制備。硅晶圓是半導(dǎo)體制造的基礎(chǔ)材料,通常采用高純度的單晶硅制成。硅晶圓的制備過程包...
2024-10-15 標(biāo)簽:晶圓晶體管半導(dǎo)體制造 991 0
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