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標(biāo)簽 > 光刻機(jī)
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ASML研發(fā)下一代EUV光刻機(jī):分辨率提升70% 逼近1nm極限
一、2021年的交付量將是2019年的兩倍左右 據(jù)國外媒體報道,在推出兩代極紫外光刻機(jī)之后,阿斯麥公司又已在研發(fā)下一代極紫外光刻機(jī),計劃2022年年初開...
2020-03-18 標(biāo)簽:光刻機(jī)ASMLEUV光刻機(jī) 3084 0
臺積電已安裝全球超過一半的EUV光刻機(jī),7nm工藝愈發(fā)醇熟
工藝制程走入10nm以下后,臺積電的優(yōu)勢開始顯現(xiàn)出來。在7nm節(jié)點(diǎn),臺積電優(yōu)先確保產(chǎn)能,以DUV(深紫外光刻)打頭陣,結(jié)果進(jìn)度領(lǐng)先三星的7nm EUV,...
ASML與卡爾蔡司合作研發(fā)EUV光刻系統(tǒng) 2024年問世
半導(dǎo)體制造工藝是集成電路產(chǎn)業(yè)的核心,未來摩爾定律是否還能主宰產(chǎn)業(yè)發(fā)展就得看半導(dǎo)體工藝是否能在10nm以下的工藝?yán)^續(xù)突破了,而在這個問題上,荷蘭ASML公...
密度提升近3倍,高NA EUV光刻機(jī)有何玄機(jī)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/周凱揚(yáng))到了3nm這個工藝節(jié)點(diǎn)之后,單靠現(xiàn)有的0.33NA EUV光刻機(jī)就很難維系下去了。為了實現(xiàn)2nm乃至未來的埃米級工藝,將晶...
畢竟ASML是全球光刻機(jī)制造領(lǐng)域的霸主,常年壟斷全球市場。值得一提的是,其實荷蘭除了ASMl,還有一家芯片巨頭,該公司正是恩智浦。
平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法,以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計上”。在半導(dǎo)體器件制造中,石頭是硅片,而...
為什么說EDA工具是可以比肩光刻機(jī)的重要設(shè)備?
在芯片設(shè)計、制造的諸多環(huán)節(jié)中,光刻機(jī)等核心設(shè)備發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。殊不知,在眾多核心設(shè)備中,EDA工具才是真正的重中之重。
半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)聚落集中度高,美國與日本為主要玩家
最后在晶圓檢驗設(shè)備方面,美商KLA Tencor市占最高超過5成,Applied Materials與Hitachi High-Technology是主...
Roger Dassen指出,ASML了解美國當(dāng)局目前的規(guī)章制度及其解釋,當(dāng)然也知道這些與特定的中國客戶密切相關(guān),但如果廣泛的來理解其規(guī)章制度對ASML...
華為儲備的芯片能夠支撐多久呢?整個芯片行業(yè)面臨芯片庫存積壓的難題
2020-09-25 標(biāo)簽:高通聯(lián)發(fā)科臺積電 3018 0
三星3nm工藝投產(chǎn)延遲,新技術(shù)讓芯片功耗下降約50%
4月7日消息,在 5nm 工藝即將大規(guī)模量產(chǎn)的情況下,3nm 工藝就成了臺積電和三星這兩大芯片代工商關(guān)注的焦點(diǎn)。三星電子旗下的三星晶圓代工,此前設(shè)定的目...
各家3D NAND技術(shù)大比拼 被壟斷的NAND閃存技術(shù)
隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年...
溫彼得此番言論是出于營收考慮?還是真的擔(dān)心全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷?我們根據(jù)幾項數(shù)據(jù)事實來深入分析一下。
中國芯再次“突圍”,可直接省略光刻機(jī)8英寸石墨烯單晶圓
據(jù)報道,中科院入局起作用,經(jīng)過團(tuán)隊科研人員的日夜奮戰(zhàn),中國芯再次“突圍”,終于研發(fā)出來了可以直接省略光刻機(jī)的8英寸石墨烯單晶圓。據(jù)悉,這是作為碳基芯片的...
從擬合結(jié)果看,指數(shù)擬合的擬合度較差,對應(yīng)的數(shù)據(jù)擬合結(jié)果可信度偏低,該測試結(jié)果可以去除,而對數(shù)擬合和線性擬合的 R2 均滿足了 0.95 的要求,在當(dāng)前情...
中芯國際發(fā)布公告,公司同阿斯麥上海在今年2月1日簽訂經(jīng)修訂和重述的ASML批量采購協(xié)議。
7納米、5納米先進(jìn)工藝能突破嗎?高端光刻機(jī)裝備可以“中國造”嗎?卡脖子技術(shù)體現(xiàn)在哪些方面?未來幾年“中國芯”最有可能在哪些方向突破?
與此同時,在ASML看來,下一代高NA EUV光刻機(jī)為光刻膠再度帶來了挑戰(zhàn),更少的隨機(jī)效應(yīng)、更高的分辨率和更薄的厚度。首先傳統(tǒng)的正膠和負(fù)膠肯定是沒法用了...
光刻機(jī)既是決定制程工藝的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn),也是國內(nèi)芯片設(shè)備最為薄弱的環(huán)節(jié)
根據(jù)所用光源改進(jìn)和工藝創(chuàng)新,光刻機(jī)經(jīng)歷了 5 代產(chǎn)品發(fā)展,每次光源的改進(jìn)都顯著提升了光刻機(jī)所能實現(xiàn)的最小工藝節(jié)點(diǎn)。在技術(shù)節(jié)點(diǎn)的更新上,光刻機(jī)經(jīng)歷了兩次重...
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