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光刻技術(shù)

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隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到 0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)。

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光刻技術(shù)技術(shù)

ASML光刻小講堂電子束量測(cè)中的透視眼電壓襯度檢測(cè)

那這個(gè)電壓差異如何變成可以甄別的表面圖像明顯的明暗變化呢？大家應(yīng)該都知道電子被正電壓吸引，被負(fù)電壓排斥。如下圖所示，這兩塊地方因?yàn)榻饘倩ミB的差異產(chǎn)生了不...

2024-06-23 標(biāo)簽：電子束光刻技術(shù)ASML 2905 0

光罩(Mask)的系統(tǒng)性講解

? ? ? 本文介紹了什么是光罩（Mask）。光罩（Mask），也稱為掩膜版，是集成電路（IC）制造過程中核心且關(guān)鍵的元件之一。作為光刻技術(shù)的核心工具...

2024-12-06 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)mask 2870 0

Mulith將激進(jìn)光學(xué)技術(shù)擴(kuò)展到原位計(jì)量

Mulith聲稱其基于激光的計(jì)量工具提供的分辨率優(yōu)于掃描電子顯微鏡（SEM），同時(shí)不需要昂貴的發(fā)射源，靜電透鏡，磁物鏡，復(fù)雜的熱傳導(dǎo)方法和真空系統(tǒng)。最重...

2019-08-13 標(biāo)簽：光刻技術(shù)PCB打樣華強(qiáng)PCB 2746 0

用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)介紹

? 本文介紹了用來提高光刻機(jī)分辨率的浸潤(rùn)式光刻技術(shù)。芯片制造：光刻技術(shù)的演進(jìn) 過去半個(gè)多世紀(jì)，摩爾定律一直推動(dòng)著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，但當(dāng)光刻機(jī)的光源波長(zhǎng)...

2024-11-24 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)光刻技術(shù) 2481 0

關(guān)于光刻技術(shù)的五大分類

光刻是通過一系列操作，除去外延片表面特定部分的工藝，在半導(dǎo)體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。

2023-10-08 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體器件光刻技術(shù) 2227 0

光刻工藝的基本步驟 ***的整體結(jié)構(gòu)圖

光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對(duì)分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評(píng)估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，...

2023-12-18 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律光刻機(jī) 2164 0

光刻工藝的基本知識(shí)

在萬物互聯(lián)，AI革命興起的今天，半導(dǎo)體芯片已成為推動(dòng)現(xiàn)代社會(huì)進(jìn)步的心臟。而光刻(Lithography)技術(shù)，作為先進(jìn)制造中最為精細(xì)和關(guān)鍵的工藝，不管是...

2024-08-26 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體光刻技術(shù) 2012 0

芯片背面供電網(wǎng)絡(luò)的三種實(shí)現(xiàn)方式通信

實(shí)現(xiàn)3nm以下微縮的關(guān)鍵技術(shù)之一涉及在芯片背面提供功率。這種新穎的方法增強(qiáng)了信號(hào)完整性并減少了路由擁塞，但它也帶來了一些新的挑戰(zhàn)，目前還沒有簡(jiǎn)單的解決方案。

2022-11-25 標(biāo)簽：晶體管光刻技術(shù)EUV 1932 0

一文解讀光刻膠的原理、應(yīng)用及市場(chǎng)前景展望

光刻技術(shù)是現(xiàn)代微電子和納米技術(shù)的研發(fā)中的關(guān)鍵一環(huán)，而光刻膠，又是光刻技術(shù)中的關(guān)鍵組成部分。隨著技術(shù)的發(fā)展，對(duì)微小、精密的結(jié)構(gòu)的需求日益增強(qiáng)，光刻膠的需求...

2024-11-11 標(biāo)簽：集成電路光刻技術(shù)光刻膠 1917 0

硅基光刻技術(shù)在柔性電子器件制造中的應(yīng)用

近日，湖南大學(xué)段輝高教授團(tuán)隊(duì)通過開發(fā)基于“光刻膠全干法轉(zhuǎn)印”技術(shù)的新型光刻工藝，用于柔性及不規(guī)則（曲面、懸空）襯底上柔性電子器件的原位和高保形制造，為高...

2023-06-17 標(biāo)簽：電子器件光刻技術(shù) 1727 0

光刻對(duì)準(zhǔn)原理與精度控制

中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解，本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...

2023-06-26 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)光刻技術(shù) 1575 0

***和半導(dǎo)體有什么關(guān)系

IRDS路線圖光刻委員會(huì)主席、廈門大學(xué)嘉庚創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)業(yè)運(yùn)營(yíng)平臺(tái)科技總監(jiān)，廈門大學(xué)半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院客座教授Mark Neisser對(duì)光刻技術(shù)與半導(dǎo)體...

2023-07-24 標(biāo)簽：控制系統(tǒng)半導(dǎo)體技術(shù)照明系統(tǒng) 1538 0

光刻工藝中分辨率增強(qiáng)技術(shù)詳解

分辨率增強(qiáng)及技術(shù)(Resolution Enhancement Technique, RET)實(shí)際上就是根據(jù)已有的掩膜版設(shè)計(jì)圖形，通過模擬計(jì)算確定最佳光...

2024-10-18 標(biāo)簽：晶圓分辨率光刻技術(shù) 1534 0

EUV光刻技術(shù)出現(xiàn)新的挑戰(zhàn)：3nm節(jié)點(diǎn)的金屬間距約為22nm

22 nm 節(jié)距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級(jí)避免了遮擋可以安全使用，但填充的pupil不到 20%，這再次意味著額外的...

2022-08-10 標(biāo)簽：光刻機(jī)光刻技術(shù)EUV 1521 0

光刻機(jī)精密碳化硅陶瓷部件揭秘

集成電路制造關(guān)鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強(qiáng)度、高彈性模量、高導(dǎo)熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點(diǎn)，且且結(jié)構(gòu)件要具有極高的尺寸精度和結(jié)構(gòu)復(fù)雜性，...

2024-03-07 標(biāo)簽：集成電路光刻機(jī)光刻技術(shù) 1441 0

FDSOI的技術(shù)特點(diǎn)及對(duì)光刻技術(shù)需求

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2023-06-26 標(biāo)簽：光刻技術(shù)fdsoi 1326 0

逆向光刻的原理及其優(yōu)勢(shì)

2023-05-26 標(biāo)簽：集成電路光刻光刻技術(shù) 1316 0

3D NAND刻蝕工藝的挑戰(zhàn)及特點(diǎn)

2023-06-12 標(biāo)簽：集成電路 NAND 3D 1316 0

基于雙光子光刻的光學(xué)封裝方法

雙光子光刻技術(shù)能夠精確制備三維結(jié)構(gòu)，并將其精準(zhǔn)集成在光電芯片上，能夠在光纖-芯片以及芯片-芯片之間，構(gòu)建大帶寬、低損耗的光信號(hào)鏈路，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的高效互連...

2023-11-06 標(biāo)簽：芯片 CMOS 半導(dǎo)體 1289 0

如何減少太陽能電池入射光在電池器件中的反射

為了制備蜂窩狀紋理的絨面結(jié)構(gòu)，研究人員利用了熱輔助紫外輥納米壓印光刻技術(shù)（TUV-Roller-NIL），基于TUV-Roller-NIL制造蜂窩紋理的...

2023-10-25 標(biāo)簽：太陽能電池光譜光刻技術(shù) 1246 0

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　　手機(jī)拆解過程，展示手機(jī)內(nèi)部零件及結(jié)構(gòu)。一輛報(bào)廢汽車的廢電瓶、廢油液進(jìn)行無害化處理，再拆解出可以利用的零部件后，整個(gè)車架被送進(jìn)一個(gè)巨大的破碎“神器”內(nèi)，瞬間進(jìn)行拆解破碎。
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3D打印（3DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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寒武紀(jì)是目前國(guó)際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺(tái)化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
半導(dǎo)體芯片

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進(jìn)行浸蝕，布線，制成的能實(shí)現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國(guó)企業(yè)在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（D-RAM）市場(chǎng)占上風(fēng)。
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德國(guó)易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國(guó)際電工技術(shù)委員會(huì)將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
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瑞芯微電子有限公司（Fuzhou Rockchips Electronics CO., Ltd）主要致力于數(shù)字音視頻和廣播領(lǐng)域，為消費(fèi)品生產(chǎn)廠家提供從芯片到系統(tǒng)SoC軟件的整體解決方案。主要產(chǎn)品線包括：數(shù)字音視頻處理芯片、語言復(fù)讀機(jī)主控芯片以及數(shù)字電調(diào)諧收音機(jī)控制芯片。
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RISC-V是一個(gè)基于精簡(jiǎn)指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點(diǎn)在于它是開源的，這是與另外兩個(gè)主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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柔性顯示是使用了PHOLED磷光性O(shè)LED技術(shù)，這種技術(shù)的特點(diǎn)是，低功耗，體積小，直接可視柔性。
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梁孟松

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梁孟松他是加州大學(xué)柏克萊分校電機(jī)博士，畢業(yè)后曾在美國(guó)處理器大廠AMD工作幾年，在四十歲那年加入臺(tái)積電，后來到三星，現(xiàn)在為中芯國(guó)際執(zhí)行長(zhǎng)。
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紫光展銳是我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)，以生態(tài)為核心戰(zhàn)略，高舉5G和AI兩面技術(shù)旗幟，以價(jià)值、未來、服務(wù)為三個(gè)指向，為個(gè)人與社會(huì)的智能化服務(wù)。
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北京時(shí)間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動(dòng)通信大會(huì)2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機(jī)——華為P10 & P10 Plus.
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MACOM是一家高性能模擬射頻、微波、毫米波和光電解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，總部位于美國(guó)馬薩諸塞州洛厄爾，擁有超過60年的歷史。總部設(shè)在美國(guó)洛厄爾，馬薩諸塞州。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)

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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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