單節(jié)鋰電池保護(hù)解決方案(2)

引言：上節(jié)（傳送門：CSS-1：單節(jié)鋰電池保護(hù)解決方案-1）簡單講解了PCM在充放電過程中的運(yùn)行過程，對(duì)于一個(gè)鋰電池組的PCM設(shè)計(jì)來說，不僅僅需要滿足法...

2023-06-12 標(biāo)簽：鋰電池電池管理MOSFET 1822 0

介紹直流開關(guān)電源中的buck電路

Buck、Boost、Buck-Boost作為直流開關(guān)電源中應(yīng)用廣泛的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，屬于非隔離的直流變換器。

2023-06-09 標(biāo)簽：開關(guān)電源濾波電容直流變換器 1325 0

如何用雙MOS設(shè)計(jì)分立式負(fù)載開關(guān)？

基于單個(gè)MOSFET拓?fù)涞呢?fù)載開關(guān)只能阻斷一個(gè)方向的電流，由于MOSFET有一個(gè)固有的體二極管，如果存在反向電流，它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管

2023-06-07 標(biāo)簽：MOSFET連接器負(fù)載開關(guān) 8067 0

主要介紹MOSFET電性能相關(guān)的參數(shù)

BVDSS 是反向偏壓的體二極管被擊穿，且雪崩倍增引發(fā)大量的電流在源極和漏極之間流動(dòng)的電壓。

2023-05-29 標(biāo)簽：MOSFET電壓源VDS 1.4萬 1

SiC動(dòng)態(tài)表征和測量方法

碳化硅（SiC）技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標(biāo)簽：MOSFET寄生電感體二極管 2319 0

經(jīng)典MOS管電平轉(zhuǎn)換電路原理分析

電平轉(zhuǎn)換在電路設(shè)計(jì)中非常常見，因?yàn)樽鲭娐吩O(shè)計(jì)很多時(shí)候就像在搭積木，這個(gè)電路模塊，加上那個(gè)電路模塊，拼拼湊湊連起來就是一個(gè)電子產(chǎn)品了。而各電路模塊間經(jīng)常會(huì)...

2023-05-05 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)MOS管I2C 3522 0

2023-03-20 標(biāo)簽：Boost開關(guān)管PFC電路 1.2萬 0

IIC總線雙向電平轉(zhuǎn)換電路的工作原理

在IIC主從設(shè)備連接時(shí)，需要考慮主從設(shè)備的電平情況，常規(guī)的主要有3種：5V、3.3V、1.8V，如果電平相同，那么就直接連接;若電平不同，一個(gè)高電平是5...

2023-03-16 標(biāo)簽：MOS管總線IIC 5313 0

PMOS管放倒灌電路講解(電路圖+工作原理)

如下電路圖所示，此種應(yīng)用，由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇，當(dāng)VIO9V電壓存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由VIO9V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT4.2V不提供電壓給...

2023-03-16 標(biāo)簽：電源電路圖PMOS 1.5萬 0

淺談NMOS的作用

說明：主要存在于單獨(dú)MOS中，這三種叫法意思都一樣。本文以NMOS來說明。

2023-03-10 標(biāo)簽：NMOSMOS電子開關(guān) 5954 0

介紹一種單MOS管的雙向電平轉(zhuǎn)換電路

我們經(jīng)常使用電平轉(zhuǎn)換芯片來轉(zhuǎn)換IO口電壓???實(shí)現(xiàn)不同電壓等級(jí)芯片之間電平轉(zhuǎn)換，比如兩個(gè)處理器使用串口通訊，其中一個(gè)處理器的串口為1.8V電平，另外一個(gè)...

2023-03-10 標(biāo)簽：處理器MOS管MOS 9605 0

基于MOSFET搭建簡易的電平轉(zhuǎn)換電路

在電子產(chǎn)品中，不同芯片的供電電壓不同，導(dǎo)致某些芯片之間的通信信號(hào)電平不同，無法直接相互連接。例如高通8155的IO是1.8V電壓域，而瑞薩RH850的I...

2023-03-10 標(biāo)簽：MOSFETMOS管體二極管 5399 0

N溝道型和P溝道型MOSFET的導(dǎo)通條件

從事于電子電路設(shè)計(jì)的朋友們應(yīng)該都知道，MOSFET是十分常見的一種電子元器件。

2023-02-21 標(biāo)簽：MOSFETN溝道電子電路 1.0萬 0

LLC轉(zhuǎn)換器中一次側(cè)開關(guān)器件反向恢復(fù)特性的重要性：MOSFET的反向恢復(fù)特性對(duì)于LLC轉(zhuǎn)換器失諧的重要性

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在LLC轉(zhuǎn)換器中，如果偏離預(yù)期的諧振條件，MOSFET體二極管的反向恢復(fù)電流會(huì)引發(fā)直通電流，這可能會(huì)造成開關(guān)損耗增加，最壞的情況下可能會(huì)...

2023-02-13 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器MOSFETLLC 2028 0

相移全橋電路的功率轉(zhuǎn)換效率提升：重負(fù)載時(shí)中開關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)

因此，在PSFB電路中，需要使用trr小的MOSFET。簡言之，trr越小越有效。市場上有一些低trr的快速恢復(fù)SJ MOSFET，但制造商和產(chǎn)品系列不...

2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFET功率轉(zhuǎn)換全橋電路 991 0

SiC-MOSFET體二極管的特性說明

上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對(duì)SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFE...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFETIGBTSiC 1935 0

MOS管的體二極管來源與作用

下圖是NMOS的示意圖，從圖中紅色框內(nèi)可以看到，MOS在D、S極之間并聯(lián)了一個(gè)二極管，其被稱為體二極管，或者叫寄生二極管、續(xù)流二極管。

2023-01-11 標(biāo)簽：二極管MOS管NMOS 3.4萬 0

MOS管內(nèi)的體二極管簡析

PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當(dāng)Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級(jí)別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏...

2022-08-12 標(biāo)簽：MOS管體二極管高電平 1.5萬 0