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SRAM 故障模型的檢測(cè)方法與應(yīng)用
馮軍宏 簡(jiǎn)維廷 劉云海
（中芯國(guó)際品質(zhì)與可靠性中心, 上海,201203 ）
摘 要： 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory, SRAM）的功能測(cè)試用來(lái)檢測(cè)該集成電路（IC）是否有功能缺陷，而目前大部分測(cè)試程序都只是集中在如何提高IC 測(cè)試覆蓋度，卻很少能夠做到檢測(cè)IC是否有缺陷的同時(shí)分析這些缺陷的物理失效機(jī)理。本文介紹了一種利用不同測(cè)試算法組合測(cè)試的方法，在檢測(cè)IC 是否有缺陷同時(shí)，還能進(jìn)行失效故障模型的分析，進(jìn)一步利用該故障模型可以推測(cè)出具體的物理失效機(jī)理。該方法能顯著提高測(cè)試中電性失效分析（EFA）的能力，進(jìn)而提高了物理失效分析和IC 制程信息反饋的效率和能力。
關(guān)鍵詞：SRAM；測(cè)試流程；故障模型；失效機(jī)理；失效分析；電性分析
馮軍宏 簡(jiǎn)維廷 劉云海
（中芯國(guó)際品質(zhì)與可靠性中心, 上海,201203 ）
摘 要： 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static Random Access Memory, SRAM）的功能測(cè)試用來(lái)檢測(cè)該集成電路（IC）是否有功能缺陷，而目前大部分測(cè)試程序都只是集中在如何提高IC 測(cè)試覆蓋度，卻很少能夠做到檢測(cè)IC是否有缺陷的同時(shí)分析這些缺陷的物理失效機(jī)理。本文介紹了一種利用不同測(cè)試算法組合測(cè)試的方法，在檢測(cè)IC 是否有缺陷同時(shí)，還能進(jìn)行失效故障模型的分析，進(jìn)一步利用該故障模型可以推測(cè)出具體的物理失效機(jī)理。該方法能顯著提高測(cè)試中電性失效分析（EFA）的能力，進(jìn)而提高了物理失效分析和IC 制程信息反饋的效率和能力。
關(guān)鍵詞：SRAM；測(cè)試流程；故障模型；失效機(jī)理；失效分析；電性分析
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