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      電子發(fā)燒友網(wǎng)>電子資料下載>電子資料>MOSFET講解-18（可下載）

      MOSFET講解-18（可下載）

      2025-04-22 | pdf | 541.59 KB | 次下載 | 免費(fèi)

      資料介紹

      當(dāng) Vds 電壓升高時(shí)，MOSFET 寄生電容總體呈下降的。當(dāng) Vds 電壓 越低的時(shí)候，MOSFET 寄生電容越來越大，尤其是 Coss 電容。那么， 隨著電壓的升高，Coss 下降的是最快的，相對(duì)來說，Ciss 稍微穩(wěn)定一 些。這也就是為什么過了平臺(tái)區(qū)之后，管子不怎么震蕩了，這也和上 面這幅圖表達(dá)的含義有關(guān)系的

      上面這幅圖相對(duì)來說比較關(guān)鍵。它是 MOSFET 工作的一個(gè)安全區(qū) 域。MOSFET 選型的合適與否，就要看上面這幅圖。之前說的參數(shù)其 實(shí)是靜態(tài)的，那么這副圖的參數(shù)是動(dòng)態(tài)的

      在這條線的左下方都是安全工作區(qū)域。橫坐標(biāo)是 VDS，縱坐標(biāo)是 ID。 假設(shè) VDS 是 100V，對(duì)應(yīng)的 ID 電流大概是 1.7A 左右，在實(shí)際測(cè)試中， 就按照這個(gè)表中的數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比，觀察是否在 MOSFET 的安全工作區(qū) 域內(nèi)

       

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