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P 溝道增強(qiáng)模式 MLPAK33 （SOT8002-2） 表面中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （FET） - 采用溝槽MOSFET技術(shù)的貼裝器件（SMD）塑料封裝。 2. 特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì) 溝槽MOSFET技術(shù) • • MLPAK33封裝（3.3 x 3.3 mm 封裝） • • 低熱阻 薄型 0.8 mm 3. 應(yīng)用 • 有源鉗位電路 4. 快速參考數(shù)據(jù) 表 1.快速參考數(shù)據(jù) 象征 VDS系列 VGS系列 編號(hào) 靜態(tài)特性 RDSon的 參數(shù) 漏源電壓 柵源電壓 漏極電流 漏源開啟狀態(tài) 電阻 條件 Tj = 25 °C VGS = -10 V;坦布 = 25 °C [1] 最小 - -20 - 類型 - - - 麥克斯 -150 20 -1 單位 V V 一個(gè) VGS = -10 V;內(nèi)徑 = -1 A;Tj = 25 °C - 550 700 毫希 [1] 設(shè)備安裝在 FR4 印刷電路板 （PCB） 上，單面銅，鍍錫，用于漏極 6 cm2 的安裝墊。
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