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本用戶指南介紹了 TPS48111-Q1 智能高側(cè)驅(qū)動器評估模塊 (EVM)。本文檔提供了用于評估 TPS48111-Q1 器件的 EVM 配置信息和測試設(shè)置詳細(xì)信息，還包括 EVM 原理圖、電路板布局布線和物料清單 (BOM)。
TPS48111Q1EVM 可對 TI 的 TPS48111-Q1 智能高側(cè)驅(qū)動器進(jìn)行參考電路評估。TPS48111-Q1 的工作電壓范圍 為 3.5V 至 80V，具有 4A 的強(qiáng)大柵極驅(qū)動強(qiáng)度，可在高電流設(shè)計中實現(xiàn)開關(guān)并聯(lián) MOSFET。控制器 TPS48111- Q1 可驅(qū)動背對背 N 溝道 MOSFET 并具有一個單獨的預(yù)充電驅(qū)動器 (G)，該驅(qū)動器具有獨立的控制輸入 (INP_G)，可驅(qū)動大容性負(fù)載。該器件提供配有可調(diào)斷路器計時器的兩級可調(diào)過流保護(hù)、快速短路保護(hù)、準(zhǔn)確的模 擬電流監(jiān)視器輸出和遠(yuǎn)程過熱保護(hù)功能。
TPS48111Q1EVM 可對 TI 的 TPS48111-Q1 智能高側(cè)驅(qū)動器進(jìn)行參考電路評估。TPS48111-Q1 的工作電壓范圍 為 3.5V 至 80V，具有 4A 的強(qiáng)大柵極驅(qū)動強(qiáng)度，可在高電流設(shè)計中實現(xiàn)開關(guān)并聯(lián) MOSFET。控制器 TPS48111- Q1 可驅(qū)動背對背 N 溝道 MOSFET 并具有一個單獨的預(yù)充電驅(qū)動器 (G)，該驅(qū)動器具有獨立的控制輸入 (INP_G)，可驅(qū)動大容性負(fù)載。該器件提供配有可調(diào)斷路器計時器的兩級可調(diào)過流保護(hù)、快速短路保護(hù)、準(zhǔn)確的模 擬電流監(jiān)視器輸出和遠(yuǎn)程過熱保護(hù)功能。
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