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當提高GaN半橋設計的開關頻率時，系統(tǒng)的功率損耗會增加。與其他功率fet一樣，GaN FETs受到熱性能的限制，需要良好的熱設計來保持成本效益。冷卻系統(tǒng)和達到更高功率密度的關鍵是降低功率損耗。為了在1kw功率級系統(tǒng)中達到99 %的效率，可以耗散不到10 W的功率損耗。通過采用適當?shù)募夹g，驅動器的功耗可以降至1 W或總功耗的1 %以下。驅動器損耗包括靜態(tài)、動態(tài)和柵極電荷損耗，可能會限制系統(tǒng)的最大潛在效率。驅動器損耗越低，效率越高，有助于防止散熱問題。coolsystem需要一個快速、低功耗的柵極驅動器來提高效率。LMG1210有助于最大限度地降低驅動器散熱以冷卻系統(tǒng)，同時有助于實現(xiàn)更好的布局技術、兩個獨立散熱墊的熱量管理以及使用低LDO輸入電壓的低LDO損耗。
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