PMP30446.1-采用標(biāo)準(zhǔn) Si-MOSFET 的 99% 峰值效率、585W高壓降壓 PCB layout 設(shè)計(jì)
資料介紹
此參考設(shè)計(jì)將 450V 至 780V 的直流輸入源轉(zhuǎn)換為 1.5A、390V 非隔離式輸出。由于其實(shí)際功率級僅使用標(biāo)準(zhǔn)的器件組件,該參考設(shè)計(jì)是 SiC FET 和 SiC 二極管降壓轉(zhuǎn)換器的替代解決方案。為了使用額定值為 600V 的器件,將輸入源拆分,從而允許兩個(gè)相同的降壓級共用中心點(diǎn)。單個(gè)耦合電感 (1:1) 可自動(dòng)平衡中心點(diǎn)。如果兩個(gè) FET 出現(xiàn)電壓不均衡,或其柵極驅(qū)動(dòng)延遲時(shí)間略有差異,兩個(gè)小型串聯(lián)電感器可限制每個(gè)分支的電流。在 CRM 模式(臨界導(dǎo)通模式)下,該轉(zhuǎn)換器可最大程度地降低開關(guān)損耗,從而在 450V 輸入電壓和滿載條件下實(shí)現(xiàn) 99% 的峰值效率。
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