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一直在使用碳化硅（碳化硅）襯底生長氮化鋁(AlGaN)結(jié)構(gòu)，針對278nm深紫外(UV-C，100-280nm波長)發(fā)光二極管(LED)。使用 薄膜翻轉(zhuǎn)芯片設(shè)備的表面粗糙化，使光提取效率(LEE)比光滑表面的LED提高了3倍。在低TDD[線程位錯密度]的碳化硅上生長 AlGaNLEd的能力為制造高亮度、高LEE的高亮度、高功率UVled開辟了新的方法。260-280nm的波長范圍通過破壞病原體的 DNA和RNA分子實現(xiàn)有效消毒。
熱衷于對抗耐抗生素的細(xì)菌，如艱難梭菌(C。差異。），這種方法確實很難用化學(xué)方法來殺死。相比之下，紫外線消毒減少了 碳菌的差異。由于許多因素，制造高效的UV-cled一直具有挑戰(zhàn)性。材料質(zhì)量可以通過使用碳化硅而不是藍(lán)寶石，由于更緊密 的晶格和熱膨脹匹配。然而，與藍(lán)寶石不同的是，由于UV-C光的帶隙較窄，它被碳化硅強烈吸收。事實上，藍(lán)寶石經(jīng)常被用 于uv-cled。
熱衷于對抗耐抗生素的細(xì)菌，如艱難梭菌(C。差異。），這種方法確實很難用化學(xué)方法來殺死。相比之下，紫外線消毒減少了 碳菌的差異。由于許多因素，制造高效的UV-cled一直具有挑戰(zhàn)性。材料質(zhì)量可以通過使用碳化硅而不是藍(lán)寶石，由于更緊密 的晶格和熱膨脹匹配。然而，與藍(lán)寶石不同的是，由于UV-C光的帶隙較窄，它被碳化硅強烈吸收。事實上，藍(lán)寶石經(jīng)常被用 于uv-cled。
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