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SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)汽車、風(fēng)能發(fā) 電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來(lái)，全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國(guó)轉(zhuǎn)移。目前,我國(guó)已經(jīng)成為全球最重要的半導(dǎo)體功率器件封測(cè) 基地。 目前常用的SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)，其中碳化硅mosfet器件屬于單級(jí)器件，開通關(guān)斷速度較快，對(duì) 柵極可靠性提出了更高的要求，而由于碳化硅材料的物理特性，導(dǎo)致柵級(jí)結(jié)構(gòu)中的柵氧層缺陷數(shù)量較多，致使碳化硅mosfet器 件柵極早期失效率相比硅mosfet器件較高，限制了其商業(yè)化發(fā)展。為提高碳化硅mosfet器件柵級(jí)工作壽命，需要對(duì)碳化硅功率半 導(dǎo)體器件進(jìn)行基于柵極的測(cè)試，在將碳化硅功率半導(dǎo)體器件壽命較低的器件篩選出來(lái)，提高碳化硅功率半導(dǎo)體器件的使用壽 命。
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