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?1998 IEEE。?1998 IEEE。經(jīng)許可轉(zhuǎn)載自 1998 年 IEEE 微波和導(dǎo)波快報(bào)，卷。3，第 3 期，第 136-137 頁經(jīng)許可轉(zhuǎn)載自 1998 年 IEEE 微波和導(dǎo)波快報(bào)，卷。3，第 3 期，第 136-137 頁一、簡介一、簡介在蜂窩電話和數(shù)字無繩電話等便攜式通信設(shè)備中，制造商正試圖用高密度 IC 替換盡可能多的分立器件，以在尺寸、重量、功耗和價(jià)格方面具有競爭力。在最近的一些論文中描述了用于 S 波段的低功率 LNA [1,2,3]。這些 LNA 是使用一些復(fù)雜的 GaAs 全定制工藝制造的。由于最先進(jìn)的硅雙極工藝的高頻性能正在不斷改進(jìn)，具有有限組件選擇的低成本半定制陣列為 RF 應(yīng)用提供了合理的解決方案。在蜂窩電話和數(shù)字無繩電話等便攜式通信設(shè)備中，制造商正試圖用高密度 IC 替換盡可能多的分立器件，以在尺寸、重量、功耗和價(jià)格方面具有競爭力。在最近的一些論文中描述了用于 S 波段的低功率 LNA [1,2,3]。這些 LNA 是使用一些復(fù)雜的 GaAs 全定制工藝制造的。由于最先進(jìn)的硅雙極工藝的高頻性能正在不斷改進(jìn)，具有有限組件選擇的低成本半定制陣列為 RF 應(yīng)用提供了合理的解決方案。為了展示這樣的解決方案，我們在這封信中展示了一個(gè)非常低功耗的單片 1.9GHz 硅 LNA，它消耗的總電流為 1.75mA，包括偏置電路。為了展示這樣的解決方案，我們在這封信中展示了一個(gè)非常低功耗的單片 1.9GHz 硅 LNA，它消耗的總電流為 1.75mA，包括偏置電路。二。電路設(shè)計(jì)二。電路設(shè)計(jì)二級 LNA 的示意圖二級 LNA 的示意圖如圖 1如圖 1所示。該電路采用高增益共發(fā)射極級 (Q1-RL) 和射極跟隨器輸出級 (Q2-Q3)。這種方法消除了對耦合電容器的需要。第一級的電流由電阻并聯(lián)反饋（R3 和 R4）設(shè)置，該反饋連接到外部匹配電感器 (L1)，因此不會(huì)發(fā)生噪聲衰減。因此，僅需要單一電源電壓。該反饋還改善了放大器的偏置和 RF 穩(wěn)定性。所示。該電路采用高增益共發(fā)射極級 (Q1-RL) 和射極跟隨器輸出級 (Q2-Q3)。這種方法消除了對耦合電容器的需要。第一級的電流由電阻并聯(lián)反饋（R3 和 R4）設(shè)置，該反饋連接到外部匹配電感器 (L1)，因此不會(huì)發(fā)生噪聲衰減。因此，僅需要單一電源電壓。該反饋還改善了放大器的偏置和 RF 穩(wěn)定性。圖 1. LNA 的簡化示意圖（灰色區(qū)域：片外匹配）。圖 1. LNA 的簡化示意圖（灰色區(qū)域：片外匹配）。
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