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發(fā)視頻利用C2000實(shí)時(shí)MCU 提高GaN 數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性
2022-10-28 |
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資料介紹
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對(duì)于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換器等高開關(guān)頻率應(yīng)用大有裨益，可幫助減小磁性元件的尺寸。
電力電子行業(yè)的設(shè)計(jì)人員需要采用新的技術(shù)和方法來提高GaN 系統(tǒng)的性能，在利用GaN 技術(shù)開發(fā)現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)時(shí)，C2000?實(shí)時(shí)微控制器 (MCU) 可幫助應(yīng)對(duì)各種設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
C2000實(shí)時(shí)MCU?的優(yōu)點(diǎn)
C2000 MCU 等數(shù)字控制器具有出色的適用性，適合各種復(fù)雜的拓?fù)浜涂刂扑惴?，例如零電壓開關(guān)、零電流開關(guān)或采用混合磁滯控制的電感器-電感器-電容器 (LLC) 諧振直流/直流電源。
C2000 MCU 可提供以下優(yōu)勢：
復(fù)雜的時(shí)間關(guān)鍵型計(jì)算處理。C2000 MCU 擁有高級(jí)指令集，可顯著減少復(fù)雜數(shù)學(xué)計(jì)算所需的周期數(shù)…
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