資料介紹
等效電路:
L:變壓器漏感及元器件引線電感等雜散電感之和。
R、C:吸收電阻電容。
D、Cd:整流二極管,Cd為D的結(jié)電容。
Q、Coss:開關(guān)MOSFET,Coss為MOSFET的結(jié)電容。
開關(guān)管由導(dǎo)通到截止時由于漏感L的存在,要通過R、C將其能量吸收掉,否則會產(chǎn)生一個尖峰電壓影響到元件的可靠性以及造成EMI問題。
整流二極管截止時還有個反向恢復(fù)電流的問題,但是把反向恢復(fù)電流最大時當作分析的起使點,那在實際分析時過程還是一樣的,只是初始狀態(tài)不同。
考慮整流二極管這個回路,設(shè)流過L上的電流為I1(t):
流過結(jié)電容Cd的電流為
流過吸收電容C的電流為
根據(jù)Cd兩端電壓等于R、C兩端電壓得到微積分方程:
由于含有積分,方程求解不便,將其求導(dǎo),得到3階微分方程:
由于Cd很小,可以將其忽略以簡化分析,得到簡化后的微分方程:
考慮初始狀態(tài)I1(0)=Io,I1’(0)=(Vin-Vo)/L,其中Io為開關(guān)管關(guān)閉時電流的最大值,應(yīng)用拉普拉斯變換得到變換后的方程:
這是個2階系統(tǒng),應(yīng)當讓其工作在過阻尼狀態(tài)防止振蕩,因此要保證極點有2個相異實根,得到
應(yīng)用拉普拉斯逆變換可以得到電流I1(t)的解:
電感L上的電壓:
二極管D上的電壓:
假定L=0.1uH,C=220pF,Vo=12V,Vin= -60V(此時MOSFET ON,變壓器次級電壓反向,Vin由12V跳變?yōu)?60V),R=2*sqrt(L/C)=42.6ohm。
DCM狀態(tài)下Io=0,考慮不同的R值對波形的影響:
可以看到阻值越小,電壓電流的波形振蕩越多,峰值越高,越容易對回路產(chǎn)生不利影響,因此要保證工作在過阻尼狀態(tài),電阻R不能取小。
考慮R=47ohm時不同電容C對波形的影響:
可以看到電容C越大,電壓電流變化率會減小,并且電壓的過沖會減小,這樣對EMI會有好處,但是峰值電流會變大。
考慮此時電阻R上的功率消耗,假定回路工作頻率50KHz:
可以看到正常情況下吸收電阻消耗的功率與R值大小無關(guān),只與C及C兩端的電壓有關(guān),因此可以看到改善EMI是以增加消耗功率為代價的,會降低回路的總體效率,因此C也不能取太大,此時P=1/2*C*(Vin-Vo)^2*f 。
需要看到此時吸收回路吸收的不是漏感L上的能量,而是電壓跳變在電容C上產(chǎn)生的能量。
考慮在CCM狀態(tài)下,設(shè)Io=1A和2A
C=220pF時不同R值對波形的影響:
R=47ohm時不同C值對波形的影響:
可以看到當截止電流比較大時,電阻越大電流下降越慢,吸收電容上初始電壓就會越高,對電容耐壓要求就會越高,此時電感L及二極管D兩端電壓變化也會更快,對回路產(chǎn)生不利影響的可能性會更大,因此吸收電阻R取值也不能太大。
吸收電容上有初始電壓是因為考慮二極管關(guān)斷時兩端電壓不能突變,電感L電流也不能突變,從而電流經(jīng)吸收電阻在吸收電容上產(chǎn)生了初始電壓。
吸收電容的增大可以減小電壓電流的變化率。
考慮此時吸收電阻R消耗的功率:
可以看到吸收功率始終隨吸收電容C值的增大而增大,但是不同的截止電流隨吸收電阻R值的變化會有不同的變化。
因此可以根據(jù)EMI的情況選取合適的C值,然后由此C值確定R值。
可以考慮一種確定R、C值的方法,在最大截止電流的情況下確定吸收電容C上的起始電壓,這時可以計算出R值,這個R值是最大值,然后再由R值計算出C值,這時的C值是吸收電容的最小值。
考慮結(jié)二極管電容Cd的影響,設(shè)Cd=15pF:DCM狀態(tài):Io=0,
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