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大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效 AC/DC 電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅 MOSFET 已達(dá)到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵（GaN）晶體管已成為能夠取代硅基 MOSFET 的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮 GaN 晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN 晶體管的開關(guān)速度比硅 MOSFET 要快得多，并可降低開關(guān)損耗，原因在于：柵極電容和輸出電容更低。較低的漏源極導(dǎo)通電阻（RDS（ON））可實(shí)現(xiàn)更高的電流操作，從而降低了傳導(dǎo)損耗。無(wú)需體二極管，因此反向恢復(fù)電荷（QRR）低或?yàn)榱恪?GaN 晶體管支持大多數(shù)包含單獨(dú)功率因數(shù)校正（PFC）和 DC-DC 部分的 AC/DC 電源：前端、無(wú)電橋 PFC 以及其后的 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器（兩個(gè)電感和一個(gè)電容）。此拓?fù)渫耆蕾囉趫D 1 所示的半橋和全橋電路。
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